擴散工序試題及答案

一、單項選擇題（每題2分，共10題）1.擴散常用的源是（）A.硼源B.磷源C.砷源D.以上都有2.擴散溫度一般在（）A.200-400℃B.400-600℃C.800-1200℃D.1200-1500℃3.擴散的目的主要是（）A.形成PN結B.去除雜質C.增加硅片硬度D.改變硅片顏色4.下列哪種不是擴散設備（）A.管式爐B.離子注入機C.擴散爐D.光刻機5.擴散過程中硅片表面濃度（）A.不變B.減小C.增大D.隨機變化6.擴散工藝中，控制擴散深度的因素是（）A.擴散時間B.硅片厚度C.硅片顏色D.爐內壓力7.常用的擴散方法不包括（）A.高溫擴散B.低溫擴散C.離子注入D.化學氣相沉積8.擴散時，載氣一般用（）A.氧氣B.氮氣C.氫氣D.二氧化碳9.擴散后硅片的方塊電阻（）A.與擴散雜質無關B.只與擴散時間有關C.與擴散條件有關D.固定值10.擴散工序在半導體制造流程中處于（）A.前端B.中端C.后端D.任意位置二、多項選擇題（每題2分，共10題）1.擴散可能用到的氣體有（）A.氮氣B.氧氣C.氫氣D.氯化氫2.影響擴散結果的因素有（）A.擴散溫度B.擴散時間C.擴散源濃度D.硅片晶向3.擴散工藝可以應用在（）A.二極管制造B.三極管制造C.集成電路制造D.太陽能電池制造4.擴散源的形態有（）A.固態B.液態C.氣態D.等離子態5.擴散設備需要具備的條件有（）A.精確控溫B.氣體流量控制C.潔凈環境D.高真空度6.擴散工藝中，對硅片的要求包括（）A.表面平整度B.雜質含量低C.尺寸精度D.顏色均勻7.擴散后的檢測項目有（）A.方塊電阻B.結深C.雜質濃度分布D.硅片厚度8.與擴散相關的物理現象有（）A.熱運動B.擴散系數C.濃度梯度D.光電效應9.擴散工藝優化的方向包括（）A.提高均勻性B.降低成本C.縮短時間D.提高精度10.擴散工序中安全注意事項包括（）A.防止高溫燙傷B.避免氣體泄漏C.防止觸電D.佩戴防護用具三、判斷題（每題2分，共10題）1.擴散只能使用一種擴散源。（）2.擴散溫度越高，擴散速度越慢。（）3.擴散的雜質濃度在硅片內部是均勻分布的。（）4.離子注入不屬于擴散工藝。（）5.擴散爐不需要進行定期維護。（）6.擴散工藝對環境要求不高。（）7.擴散后硅片的電學性能不會改變。（）8.載氣的作用只是運輸擴散源。（）9.不同的擴散源擴散效果一樣。（）10.擴散時間越長，擴散深度一定越大。（）四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述擴散工序的主要目的。答案：主要目的是在半導體硅片內部形成特定的雜質分布，從而形成PN結，改變硅片的電學性能，滿足半導體器件制造需求，如制造二極管、三極管、集成電路等。2.列舉兩種常用的擴散方法及特點。答案：高溫擴散，溫度高，擴散速度快，但均勻性較難控制；離子注入，可精確控制雜質注入量和深度，均勻性好，但設備復雜，成本高。3.擴散過程中如何控制擴散深度？答案：通過控制擴散時間和溫度來控制擴散深度。溫度越高、時間越長，擴散深度越大，同時擴散源濃度等也會有一定影響。4.擴散后為什么要檢測方塊電阻？答案：方塊電阻反映了擴散后硅片表面雜質濃度及導電性能，是評估擴散工藝是否達標的重要參數，能判斷擴散效果是否符合器件制造要求。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論擴散工藝在太陽能電池制造中的作用及發展趨勢。答案：在太陽能電池制造中，擴散形成PN結，是產生光電效應基礎。發展趨勢是提高擴散均勻性、精確控制結深和雜質分布，以提升電池轉換效率，同時降低成本、提高生產效率。2.如何確保擴散工序的穩定性和重復性？答案：嚴格控制工藝參數，如溫度、時間、氣體流量等在規定范圍內；定期維護設備，保證設備正常運行；規范操作流程，操作人員嚴格培訓，減少人為因素影響。3.分析擴散工序中可能出現的問題及解決方法。答案：可能問題有擴散不均勻、結深不符合要求等。解決方法包括優化設備參數設置、改進氣體分布方式；針對結深問題，調整溫度、時間和擴散源濃度等參數。4.擴散工序與半導體制造其他工序有哪些關聯？答案：擴散前需硅片清洗等預處理工序，保證表面潔凈利于擴散；擴散后常銜接光刻、刻蝕等工序，為后續圖形化和器件結構制造做準備，是半導體制造重要中間環節。答案一、單項選擇題1.B2.C3.A4.D5.C6.A7.D8.B9.C10.A二、多項選擇題1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABC