標(biāo)準(zhǔn)解讀
《T/CSPSTC 25-2019 硅基薄膜光伏組件光致衰減測(cè)試方法》是一項(xiàng)由中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn),主要針對(duì)硅基薄膜光伏組件在光照條件下性能變化的測(cè)試提供了具體的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估硅基薄膜太陽(yáng)能電池板因長(zhǎng)時(shí)間暴露于太陽(yáng)光下而可能發(fā)生的功率輸出下降情況,即所謂的光致衰減現(xiàn)象。
標(biāo)準(zhǔn)中定義了測(cè)試所需的基本條件,包括但不限于環(huán)境溫度、濕度以及光照強(qiáng)度等參數(shù)設(shè)定。此外,還詳細(xì)描述了樣品準(zhǔn)備步驟、測(cè)試設(shè)備要求及配置建議。對(duì)于測(cè)試流程,規(guī)定了從初始狀態(tài)測(cè)量到經(jīng)歷一定時(shí)間光照后再次進(jìn)行性能檢測(cè)的具體操作方式,并對(duì)如何記錄和分析數(shù)據(jù)提出了明確指導(dǎo)。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),測(cè)試過(guò)程中需關(guān)注的關(guān)鍵指標(biāo)包括但不限于最大功率點(diǎn)電壓(Vmp)、最大功率點(diǎn)電流(Imp)以及填充因子(FF)等,這些參數(shù)的變化可以用來(lái)評(píng)價(jià)組件的光致衰減程度。通過(guò)對(duì)比光照前后各項(xiàng)電性能參數(shù)的變化,能夠有效評(píng)估硅基薄膜光伏組件抵抗光致衰減的能力。
整個(gè)測(cè)試過(guò)程強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)重復(fù)性和結(jié)果準(zhǔn)確性的重要性,旨在為行業(yè)提供一個(gè)科學(xué)合理且可操作性強(qiáng)的測(cè)試規(guī)范,以促進(jìn)硅基薄膜光伏技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2019-08-28 頒布
- 2019-11-15 實(shí)施




文檔簡(jiǎn)介
ICS27160
F12.
團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
T/CSPSTC25—2019
硅基薄膜光伏組件光致衰減測(cè)試方法
Testmethodforthin-filmamorhoussiliconbasedhotovoltaicPVmodules
pp()
lihtinducedderationLID
gg()
2019-08-28發(fā)布2019-11-15實(shí)施
中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)化促進(jìn)會(huì)發(fā)布
T/CSPSTC25—2019
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語(yǔ)和定義
3………………1
裝置
4………………………1
試樣
5………………………2
程序
6………………………2
數(shù)據(jù)處理
7…………………2
試驗(yàn)報(bào)告
8…………………2
T/CSPSTC25—2019
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由漢能移動(dòng)能源控股集團(tuán)有限公司提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)化促進(jìn)會(huì)歸口
。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位漢能移動(dòng)能源控股集團(tuán)有限公司東泰高科裝備科技有限公司北京分公司杭州
:、、
纖納光電科技有限公司深圳市創(chuàng)益科技發(fā)展有限公司成都中建材光電材料有限公司河北漢盛光電
、、、
科技有限公司標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)合咨詢中心股份公司
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人丁建童翔李璇陳振史振亮姚冀眾李志堅(jiān)蔣猛薛俊明盧成緒郝宇花
:、、、、、、、、、、。
Ⅰ
T/CSPSTC25—2019
硅基薄膜光伏組件光致衰減測(cè)試方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅基薄膜光伏組件光致衰減測(cè)試方法的裝置試樣程序數(shù)據(jù)處理和試驗(yàn)報(bào)告等
、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅基薄膜光伏組件
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
太陽(yáng)光伏能源系統(tǒng)術(shù)語(yǔ)
GB/T2297—1989
光伏器件第部分太陽(yáng)模擬器性能要求
IEC60904-99:(Photovoltaicdevices—Part9:Solar
simulatorperformancerequirements)
地面光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定型第部分測(cè)試程序
IEC61215-2(PV)2:(Terrestrial
photovoltaic(PV)modules-designqualificationandtypeapproval—Part2:Testprocedures)
3術(shù)語(yǔ)和定義
界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
GB/T2297—1989。
31
.
硅基薄膜光伏組件thin-filmamorphoussiliconbasedphotovoltaicPVmodules
()
由硅基薄膜太陽(yáng)能電池前板膠膜背板接線盒引出端等材料組成具有發(fā)電功能的器件
、、、、、。
32
.
光致衰減lightinduceddegrationLID
()
硅基薄膜光伏組件在早期光照因素的影響下輸出功率顯著下降后趨于穩(wěn)定的現(xiàn)象
,。
4裝置
測(cè)試裝置為
:
符合的級(jí)或更優(yōu)的太陽(yáng)模擬器
a)IEC60904-9CCC;
帶積分器的標(biāo)準(zhǔn)裝置以監(jiān)測(cè)累積輻射量
b),;
標(biāo)準(zhǔn)裝置將輻照度設(shè)置在-2-2
c)600W·m~1000W·m;
用制造廠推薦的安裝方法安裝組件與標(biāo)準(zhǔn)裝置共平面安裝
d),;
在太陽(yáng)模擬器曝曬過(guò)程中組件溫度應(yīng)控制在范圍內(nèi)所有后續(xù)穩(wěn)定過(guò)程應(yīng)在初
e),(50±10)℃。
次穩(wěn)定溫度的之內(nèi)
±2℃;
監(jiān)測(cè)組件溫度的儀器準(zhǔn)確度為重復(fù)性為溫度傳感器應(yīng)安裝在一個(gè)能代表
f),
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