標準解讀
《T/CIE 155-2023 非易失性相變存儲器電性能測試方法》是一項針對非易失性相變存儲器(PCM)的電性能測試制定的標準。該標準詳細規定了PCM在不同工作條件下的電氣特性測量方法,旨在為PCM的研發、生產和質量控制提供統一的測試依據。其主要內容包括但不限于以下幾個方面:
- 范圍:明確了本標準適用于所有類型的非易失性相變存儲器件。
- 術語和定義:給出了與PCM及其電性能測試相關的專業術語及定義,確保行業內對相關概念有一致的理解。
- 測試環境:描述了進行電性能測試時所需的基本環境要求,如溫度、濕度等,以保證測試結果的一致性和可比性。
- 測試項目:列舉了PCM電性能測試的主要項目,比如讀寫速度、數據保持能力、耐久度等關鍵指標。
- 測試方法:對于每一項測試內容,都提供了具體的實驗步驟和技術參數設定指導,幫助測試人員準確執行測試過程。
- 數據分析:介紹了如何處理從測試中獲得的數據,以及如何根據這些數據評估PCM的性能是否符合預期或特定標準的要求。
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....
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- 現行
- 正在執行有效
- 2023-03-20 頒布
- 2023-03-20 實施





文檔簡介
ICS31200
CCSL.56
團體標準
T/CIE155—2023
非易失性相變存儲器電性能測試方法
Measuringmethodsofelectricalpropertiesfor
non-volatilephasechangememory
2023-03-20發布2023-03-20實施
中國電子學會發布
中國標準出版社出版
本標準版權歸中國電子學會所有除了用于國家法律或事先
。
得到發布單位文字上的許可外不許以任何形式對本標準包括電
,(
子版影印件進行復制改編翻譯匯編或將本標準用于其他任
、)、、、
何商業目的
。
T/CIE155—2023
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
測試環境與條件
4…………………………2
概述
4.1…………………2
源測量單元
4.2…………………………3
信號發生器
4.3…………………………3
探針臺
4.4………………3
示波器
4.5………………3
測試條件
4.6……………3
樣品
5………………………3
器件性能測試
6……………4
直流電流電壓特性
6.1-…………………4
存儲窗口
6.2……………5
置位時間
6.3……………6
置位電壓
6.4……………6
復位時間
6.5……………7
復位電壓
6.6……………8
功耗
6.7…………………9
器件可靠性測試
7…………………………9
耐久
7.1…………………9
數據保持時間
7.2………………………10
試驗報告
8…………………11
附錄資料性相變存儲器電性能測試實例
A()…………12
參考文獻
……………………18
Ⅰ
T/CIE155—2023
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件由中國電子學會提出并歸口
。
本文件起草單位華中科技大學長江存儲科技有限責任公司中國計量科學研究院中國電子技術
:、、、
標準化研究院
。
本文件主要起草人繆向水何強童浩程曉敏徐明劉峻李碩任玲玲李錕
:、、、、、、、、。
Ⅲ
T/CIE155—2023
引言
相變存儲器因具備超高速高集成度低功耗等特點而受到國內外研究者的廣泛關注被認為最有
、、,
潛力成為下一代主流非易失性存儲器正在以前所未有的速度向產業化方向發展
,。
關于相變存儲器的有效精準測試是指導性能優化的基礎但目前國際國內均無統一的相變存儲器
,
測試標準隨著近年來相變存儲器產業化進程加劇亟待建立一套明確的相變存儲器電性能測試標
。,
準以指導器件優化設計上下游測試設備等產業發展
,、。
本文件規定了一套明確的非易失性相變存儲器電性能測試方法標準分為器件性能測試和器件可
,
靠性測試器件性能測試包括電流電壓特性存儲窗口置位時間置位電壓復位時間復位電壓功
,-、、、、、、
耗器件可靠性測試包括耐久和數據保持時間這對相變存儲器的研究與應用至關重要滿足了眾多相
;。,
變存儲器生產與應用的迫切需求
。
Ⅳ
T/CIE155—2023
非易失性相變存儲器電性能測試方法
1范圍
本文件規定了相變存儲器件單元的電性能測試方法分為器件性能測試和器件可靠性測試器件性
,,
能測試包括電流電壓特性存儲窗口置位時間置位電壓復位時間復位電壓功耗器件可靠性測試
-、、、、、、;
包括耐久和數據保持時間
。
本文件適用于相變存儲器件單元以下簡稱器件
()。
2規范性引用文件
下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
半導體器件集成電路第部分數字集成電路
GB/T17574—19982:
3術語和定義
下列術語和定義適用于本文件
。
31
.
置位set
使相變存儲器件置入不表示零的規定狀態的置位操作
(SET)。
來源有修改
[:GB/T17574—1998,1.2.21,]
注通常施加一個寬度較寬且幅度適中的電脈沖使相變材料溫度升高到結晶溫度以上熔化溫度以下并且保持
:,、,
一定的時間使晶體成核生長實現相變材料由非晶態向多晶態的轉化進而實現相變存儲單元阻值降低即置
,,,,
操作
1。
32
.
復位reset
使相變存儲器件恢復到規定的不必一定表示零的初始狀態的復位操作
(RESET)。
來源有修改
[:GB/T17574—1998,1.2.22,]
注通常施加一個寬度較窄而幅度較高的電脈沖電能轉變成熱能使相變材料溫度迅速升高到熔化溫度以上然
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