ICS31020

CCSL.56

團體標準

T/CIE151—2022

現(xiàn)場可編程門陣列FPGA芯片

()

動態(tài)老化試驗方法

DnamicaintestmethodoffieldrorammableatearraFPGA

yggpggy()

2022-12-31發(fā)布2023-01-31實施

中國電子學會發(fā)布

中國標準出版社出版

T/CIE151—2022

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

縮略語

4……………………1

芯片動態(tài)老化試驗要求及條件

5FPGA…………………2

動態(tài)老化試驗原則要求

5.1……………2

動態(tài)老化試驗的配置向量設計

5.2……………………2

動態(tài)老化試驗的資源覆蓋率要求

5.3…………………3

動態(tài)老化試驗的頻率條件

5.4…………3

動態(tài)老化試驗的溫度條件

5.5…………3

動態(tài)老化試驗的電壓條件

5.6…………3

動態(tài)老化試驗的時間條件

5.7…………3

動態(tài)老化試驗的輸出監(jiān)測

5.8…………3

芯片動態(tài)老化試驗系統(tǒng)

6FPGA…………4

動態(tài)老化試驗系統(tǒng)構成

6.1……………4

動態(tài)老化試驗系統(tǒng)要求

6.2……………4

芯片動態(tài)老化試驗流程

7FPGA…………4

報告要求

8…………………5

附錄資料性芯片功能模塊動態(tài)老化配置向量設計

A()FPGA………6

參考文獻

………………………9

Ⅰ

T/CIE151—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中國電子學會可靠性分會提出并歸口

。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司成都華微電子

:、、

科技股份有限公司廣東高云半導體科技股份有限公司上海安路信息科技股份有限公司深圳市國微

、、、

電子有限公司中國航天科技集團公司第九研究院第研究所上海復旦微電子集團股份有限公司

、772、。

本文件主要起草人余永濤羅軍王小強廖步彪劉建明周奇袁智皓朱晴張帆周軍

:、、、、、、、、、。

Ⅲ

T/CIE151—2022

引言

集成電路老化試驗通過施加溫度應力和電應力激發(fā)器件的潛在缺陷篩選或剔除早期失效樣品提

,,

高芯片的使用可靠性器件的潛在缺陷會造成與時間和應力相關的失效如果不進行老化試驗具有潛

。,,

在缺陷的器件會在使用條件下出現(xiàn)初期致命失效或早期壽命失效與一般數(shù)字集成電路不同

。,FPGA

芯片作為可編程的半定制電路芯片由大量可配置的可編程邏輯塊輸入輸出塊數(shù)字處理器數(shù)

,FPGA、、、

字時鐘管理單元高速收發(fā)器等模塊構成在老化試驗中需要進行編程配置以實現(xiàn)芯片動態(tài)工作

、,。

芯片動態(tài)老化試驗是芯片工作在最大額定狀態(tài)或最大額定狀態(tài)之上并且施加動態(tài)激勵信號使

FPGA,,

芯片內(nèi)部邏輯節(jié)點發(fā)生翻轉以盡可能模擬實際工作狀態(tài)更有效地激發(fā)芯片潛在缺陷隨著

,,。FPGA

技術的發(fā)展性能指標不斷提升內(nèi)部功能模塊愈加復雜規(guī)范有效地開展芯片的動態(tài)老

,FPGA,,FPGA

化試驗對保證產(chǎn)品的可靠性具有重要意義

,。

Ⅳ

T/CIE151—2022

現(xiàn)場可編程門陣列FPGA芯片

()

動態(tài)老化試驗方法

1范圍

本文件規(guī)定了現(xiàn)場可編程門陣列芯片動態(tài)老化要求及試驗方法

(FPGA)。

本文件適用于芯片的提供者使用者和第三方開展老化試驗及評價

FPGA、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本

,;,()

文件

。

半導體集成電路現(xiàn)場可編程門陣列測試方法

SJ/T11706

微電子器件試驗方法和程序

GJB548C—2021

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

SJ/T11706。

3.1

動態(tài)老化dynamicagingtest

芯片老化試驗樣品工作在最大額定狀態(tài)或最大額定狀態(tài)之上施加動態(tài)激勵信號使芯片內(nèi)

FPGA,

部邏輯節(jié)點發(fā)生翻轉盡可能模擬實際工作狀態(tài)

,。

3.2

翻轉覆蓋率togglecoverage

芯片內(nèi)部模塊和端口信號在一