標準解讀

《T/CIE 133-2022 磁隨機存儲器件數據保持時間測試方法》是一項專門針對磁隨機存儲器(MRAM)的數據保持能力進行評估的標準。該標準詳細規定了測試磁隨機存儲器件在不同條件下保持數據完整性的方法,確保這些器件能夠滿足長期存儲需求。

首先,該標準明確了適用范圍,主要針對使用磁性材料作為存儲介質的非易失性存儲器,如STT-MRAM、SOT-MRAM等類型。其次,它定義了一系列關鍵術語與定義,包括但不限于“數據保持時間”、“高溫老化”、“溫度循環”等,為后續測試過程提供統一的語言基礎。

接著,《T/CIE 133-2022》描述了具體的測試環境要求,比如溫度范圍、濕度控制以及電磁干擾水平等條件設定,以保證實驗結果的一致性和可靠性。此外,還特別強調了樣品準備階段的重要性,指出需要對被測設備進行預處理,如初始化設置、寫入特定模式的數據等步驟,以便于準確測量其數據保持性能。

對于實際操作流程,《T/CIE 133-2022》提供了詳細的指導,包括但不限于:

  • 初始狀態檢查:確認待測樣本處于正常工作狀態。
  • 編程與讀取:按照預定方案向存儲單元寫入數據,并通過讀取驗證正確性。
  • 加速老化試驗:通過模擬極端環境條件(如高溫高濕)來加速材料老化過程。
  • 周期性監測:定期檢查數據完整性,記錄任何可能發生的錯誤或變化。
  • 最終評估:基于整個測試期間收集的數據,分析并確定樣本的實際數據保持時間。

最后,本標準還提到了報告編寫的要求,建議包含所有相關參數、測試條件、觀察到的現象及結論等內容,以便其他研究者復現實驗或進行比較研究。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2022-08-10 頒布
  • 2022-08-10 實施
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文檔簡介

ICS31200

CCSL.56

團體標準

T/CIE133—2022

磁隨機存儲器件數據保持時間測試方法

Testmethodsfordataretentiontimeofmagneticrandom-accessmemorydevices

2022-08-10發布2022-08-10實施

中國電子學會發布

中國標準出版社出版

T/CIE133—2022

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

測試設備及條件

4…………………………3

測試設備和裝置

4.1……………………3

測試條件

4.2……………3

測試方法

5…………………3

通則

5.1…………………3

掃描磁場測試器件數據保持時間

5.2…………………4

測試原理

5.2.1………………………4

測試方法

5.2.2………………………5

測試記錄

5.2.3………………………7

掃描電流測試器件數據保持時間

5.3…………………7

測試原理

5.3.1………………………7

測試方法

5.3.2………………………8

測試記錄

5.3.3………………………10

參考文獻

……………………11

T/CIE133—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中國電子學會提出并歸口

本文件起草單位北京航空航天大學致真存儲北京科技有限公司中國電子科技集團公司第五

:、()、

十八研究所上海佑磁信息科技有限公司北京時代民芯科技有限公司深圳亙存科技有限責任公司合

、、、、

肥致真精密設備有限公司

本文件主要起草人趙巍勝彭守仲蘆家琪李偉祥李月婷雷娜曹凱華王昭昊聶天曉

:、、、、、、、、、

張博宇劉佳豪劉照春王戈飛劉宏喜趙桂林帥喆孫杰杰王超盧輝王亮鄭宏超陸時進

、、、、、、、、、、、、、

李鑫云曹安妮郭瑋何帆程厚義杜寅昌

、、、、、。

T/CIE133—2022

磁隨機存儲器件數據保持時間測試方法

1范圍

本文件規定了磁隨機存儲器件數據保持時間測試方法的測試原理測試環境測試設備測試程

、、、

序等

本文件適用于磁隨機存儲器件的數據保持時間測試和磁隨機存儲器件的數據保持時間驗證

2規范性引用文件

本文件沒有規范性引用文件

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

31

.

磁隨機存儲器magneticrandom-accessmemoryMRAM

;

利用磁性層的磁矩作為信息存儲的載體利用隧穿磁阻效應作為信息讀取方法具有非易失性近

,,、

乎無限次擦寫和快速寫入等優點的隨機存儲器

32

.

磁隧道結magnetictunneljunctionMTJ

;

磁隨機存儲器的基本存儲單元它的核心部分是由兩個鐵磁金屬層夾著一個隧穿勢壘層形成的三

明治結構

33

.

參考層固定層referencelayerpinnedlayer

()()

磁隧道結中的一個鐵磁層它的磁矩方向沿著易磁化軸方向保持不變

,。

34

.

自由層freelayer

磁隧道結中的另一個鐵磁層其磁化有兩個穩定的取向分別與參考層的磁矩方向平行或反平行

,,。

35

.

數據保持時間dataretentiontime

磁隧道結或者磁隨機存儲芯片不進行讀寫的情況下在允許錯誤范圍內能夠保持數據穩定存儲的

,

最長時間

注數據保持時間決定了磁隨機存儲芯片的可靠性數據保持的定義見中的相關規定

:

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