1基于gm-Id設(shè)計方法的電荷放大器研究與實現(xiàn)第一章：緒論 2 21.2研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢 2第二章：電荷放大器設(shè)計方法的基本理論 32.1傳統(tǒng)設(shè)計方法簡述 32.2折中與優(yōu)化 3 5 5 53.3gm/Id設(shè)計方法背景——MOS管工作特性 6 13.5gm/Id曲線的電路仿真圖 第四章：電荷放大器原理及利用gm/Id設(shè)計方法設(shè)計電荷放大器 24.1電荷放大器的原理 4.2電路分析 4.3仿真分析 5.1版圖設(shè)計需要考慮因素 285.2版圖設(shè)計中需要注意事項 295.3整體版圖繪制 30 2第一章：緒論在非電學(xué)物理量(例如，振動、壓力聲強等)的測量和采集過程中，輸入信號大多是微小的振動，在現(xiàn)實生活中，這類微小輸入通常使用壓電加速度傳感器采集，由獲得的加速度來衡量。壓電加速度傳感器的輸出想要用于后續(xù)的放大、處理等流程，就必須經(jīng)過電荷放大器進行轉(zhuǎn)換。由于壓電式加速度傳感器在各個領(lǐng)域的測量和控制技術(shù)中得到大量應(yīng)用，所以作為與壓電加速度傳感器相匹配的二次儀表設(shè)備，電荷放大器的設(shè)計對于實際測量應(yīng)用是至關(guān)重要的。在壓電式加速度傳感器中，輸出電荷量難以檢測，以至于對整個測量電路的測量精度要求比較嚴格。一般來說，測量電路的輸入阻抗很小，因此電荷在流經(jīng)測量電路時，會極快地被泄露出去，后續(xù)電路無法檢測到輸入，從而產(chǎn)生誤差，這將限制壓電式加速度傳感器的應(yīng)用。因此，依據(jù)此理論框架深入探究可得出對其測量電路的研究是十分重要的。在測試傳感器的系統(tǒng)中，先后有兩種類型的測量電路，即電荷放大器和電壓放大器，由于后者的電壓隨距離的變化迅速反應(yīng)，從而存在的測量上的弊端，從20世紀(jì)60年代起基本被前者取代。電荷放大器的測量結(jié)果不受電纜分布電容的變化的影響，即在測量數(shù)據(jù)和確定尺寸時，纜線類型和尺寸的改變，不影響儀器的靈敏度。因此據(jù)此優(yōu)勢，電荷放大器可以適用于各種改變電纜長度的情況，尤其是在實際生活中長達數(shù)千米的測量中非常實用。當(dāng)下，隨著科學(xué)的發(fā)展，這在一定程度上代表了電荷放大器的研究已經(jīng)走向超低頻范圍。目前，幾乎所有應(yīng)用于實際電路的電荷放大器都是國外測試設(shè)備制造商的產(chǎn)品，但價格昂貴，但是市面上國內(nèi)產(chǎn)品基本不符合參數(shù)要求。如今，相關(guān)電路理論已經(jīng)完善，性能參數(shù)也相應(yīng)得到了提高，其價格阻擋壓電式加速度傳感器的大范圍應(yīng)用。3第二章：電荷放大器設(shè)計方法的基本理論的結(jié)構(gòu)，這在某種程度上暗示了但關(guān)于直流電流的選擇和每個晶體管尺寸的確寸(陳曉東，張文博，成俊羽，2022)。但是在設(shè)計過程中，根據(jù)參數(shù)計算出的MOS管尺寸往往與最終值偏差很大，在此情況下，設(shè)計人員不可避免需要反復(fù)等反型層的晶體管，這在一定層面上揭示可以對直流和交流MOS晶體管的反型層級別增加而減小，所以中等反型層的發(fā)展逐漸成為重中之重。在傳統(tǒng)的BJT電路設(shè)計中，一旦集電極電流確定，其余參數(shù)都確定，但在4本文的研究成果不僅在理論上有所突破，而且在實際應(yīng)用中也展現(xiàn)出了更高的準(zhǔn)確度和可靠性。當(dāng)使用8m/ID方法時，為了保證最大化折中結(jié)果，需要對MOS晶體管全部溝道長度以及所有工作區(qū)域進行遴選。對長溝器件而言，當(dāng)8m/Ip值較大時，偏置在弱或中等反型層，這在一定程度上預(yù)示了此時可以優(yōu)化低反型層系數(shù)來最大程度調(diào)整各項參數(shù)，這被稱為直流和低頻優(yōu)化(付雅楠，成奇瑤，2021);與此相對應(yīng)，當(dāng)短溝器件在強反向?qū)又泄ぷ鲿r，可以調(diào)整高反向?qū)酉禂?shù)進行優(yōu)化，以最大限度地提高帶寬，并最大限度地減少短通道器件的交叉?zhèn)鲗?dǎo)失真，這被稱為交流5第三章：gm/Id設(shè)計方法的提出EKV模型是一種應(yīng)用于MOS晶體管電路的低電壓、低電流的模型。所有信號變量，在EKV中涵蓋所有的工作區(qū)域，故對于這個模型的所有方程是連續(xù)的，其中Vch是溝道電壓，當(dāng)柵極電壓確定，V,對應(yīng)反型層電荷為零時的Vch數(shù)值，是Vch的特殊值(孫藝萌，邱瑞安，2020)。Vp只柵極電壓決定，所以可以將Vp視作柵極電壓對于溝道所產(chǎn)生影響的標(biāo)志。在EKV模型的基礎(chǔ)上，衍生出了8m/Ip設(shè)計方法，其本質(zhì)是查找表格，其通過對建模的晶體管進行掃描，從而繪制出不同尺寸參數(shù)下的gm/8。-8m/Ia、fr-gm/Ia和Ia/W-gm/Ia曲線族，對MOS器件工作在哪個工作區(qū)進行分析，然后根據(jù)需求確定電路結(jié)構(gòu)以及性能參數(shù)，甄別出工作性能最好的反型區(qū)，進而在確定次要參數(shù)后，通過查表確定器件的關(guān)鍵尺寸。上文提及的曲線族對應(yīng)的圖像，是在CadenceVirtuoso軟件中，從這些討論中明白對MOS器件掃描多種參數(shù)變量，例如，不同柵源電壓、不同頻率、不同寬長比、不同柵寬等，運用ADE仿應(yīng)考慮在電荷放大器電路設(shè)計中襯底效應(yīng)的影響，本文中所討論的MOS晶體管的特性曲線均是在Vs=VB=0V條件下得到的，未考慮襯偏效應(yīng)的影響。為保障研究結(jié)果的可靠性和可信度，本文首先通過廣泛搜集國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的文獻資料，系統(tǒng)梳理了當(dāng)前研究的前沿動態(tài)和理論基礎(chǔ)。在此基礎(chǔ)上結(jié)合研究主題，精心設(shè)計了科學(xué)合理的研究方案包括數(shù)據(jù)收集方法、樣本選取標(biāo)準(zhǔn)以及分析框架。為確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和完整性，本文采用了多種數(shù)據(jù)來源進行交叉驗證直接反映了研究對象的真實情況，在數(shù)據(jù)分析過程中，本文運用了先進的統(tǒng)計分析工具和方法對數(shù)據(jù)進行了嚴謹?shù)奶幚砗徒庾x，確保研究結(jié)論的科學(xué)性和客觀性。同時還對研究過程中可能出現(xiàn)的誤差和偏差進行了敏感性分析，進一步增強了研究結(jié)果的穩(wěn)健性。8m/Ip設(shè)計和優(yōu)化方法相比傳統(tǒng)設(shè)計方法更為容易使用，它建立在經(jīng)典的手工分析方法的基礎(chǔ)上，使用SPICE生成的查找表消除了手工分析和復(fù)雜晶體管行為之間的差距。同EKV模型一樣，在所有工作區(qū)域內(nèi)，不論晶體管尺寸還是信號參量變化，都可以使用同一種方法推導(dǎo)，借此簡化電路的設(shè)計過程。通過6完全崩潰。成復(fù)雜的計算和對參數(shù)反復(fù)調(diào)整(鄭淑芳，許俊天，2021)。圖3-1漏極電流與柵源電壓關(guān)系7在傳統(tǒng)電路設(shè)計中，強反型區(qū)是應(yīng)用最為廣泛的MOS器件工作區(qū)反型區(qū)，溝道在強反型層條件下存在，漏極處的漂移電流起主導(dǎo)作用。根據(jù)上文提及的符號名稱閾值電壓VVVμcm2/V●sλ式(3-1)只有在Vcs≥VT,或者要求漏源電壓VDs大于其飽和值時才成立。8研究受到了何其飛教授工作的啟發(fā)，但本文也在多個環(huán)節(jié)中融入了自己的創(chuàng)新根據(jù)上式(3-1),這在一定程度上確認了可以求出強反型層的跨導(dǎo)為由(3-1)和(3-2)此可得強反型層的跨導(dǎo)效率為：由(3-3)可以看出，強反型層的跨導(dǎo)效率只與VEFF=VGs-V有關(guān)，跨導(dǎo)8mMOS晶體管偏置在強反型層時，如此能夠看出隨著反型層的增加，跨導(dǎo)率致理想情況下的平方律模型不適用于強反型時的漏極電流(陳亞軍，孫倩9當(dāng)VGs≤V時，晶體管中并未形成強反型區(qū)，所以此時漏極電流為零。如圖3-1所示，反型區(qū)內(nèi)存在的電荷數(shù)與隨著柵源電壓值正相關(guān)，圖中縱坐標(biāo)為對數(shù)濃度又與柵極電壓有關(guān)系。由此可以推導(dǎo)得到晶體管在飽和區(qū)的Id-Vds的函數(shù)關(guān)系。如果再將載流子速度飽和效應(yīng)加到模型中，會導(dǎo)致Id和gm的減小。當(dāng)MOSFET的柵極電壓較小時，柵下界面處于弱反型狀態(tài)，反型層很薄，溝道中符號名稱單位耗盡層的厚度氧化層的厚度耗盡層電容氧化層電容n亞閾值斜率因子這在某個角度上證明了一般情況下，CD/C。x=1/3=n-1約等于0.2,n為亞閾值斜率因子，數(shù)值一般在1.2~1.5之間，且與偏置電壓有關(guān)，不是一個固定的MOS管的跨導(dǎo)為帶入式(3-4)求出為：從上面的推導(dǎo)，MOS晶體管弱反型層的跨導(dǎo)8m和跨導(dǎo)效率8m/ID,與器件尺寸和工藝參數(shù)完全無關(guān)，而對于一個給定的溫度和n值，跨導(dǎo)8m只與直流偏置電流ID有關(guān)。在弱反型區(qū)，由于IDs與VGs之間為指數(shù)關(guān)系，這在一定層面上揭示可以獲得理想的高跨導(dǎo)效率。在弱反型區(qū)，如果想要獲得較大的MOS管的形狀系數(shù)S=W/L,需要滿足柵面積足夠大的條件，同時還要求較高的柵電容以中等反型層的有效柵源電壓在-72mV到+225mV之間，且在中等反型層，無論是經(jīng)典的漏極電流與柵源電壓的二階飽和區(qū)公式還是I-V特性曲線都不符合實缺，由于其特有的高的跨導(dǎo)效率8m/ID和對速度飽和效應(yīng)不敏感的優(yōu)勢而在與強當(dāng)MOS晶體管偏置工作在強反型區(qū)時，晶體管的尺寸比弱、中等反型區(qū)更管的特征頻率fr與與寄生電容成反比，跨導(dǎo)成正比，因此當(dāng)MOS管偏置在飽和區(qū)時，fr的上限會增加，相應(yīng)的，8m/Ip會減小，有可能會低于6V-1,而在同一溫度下，二極管的8m/Ip值大約為40v-1。隨著外界的偏置條件的變化，MOS管從強反型區(qū)轉(zhuǎn)向為弱反型區(qū)時，電流顯著減小，并且fr也減小，寄生電容增加(鄒天羽，朱靜怡，2022)。MOS管設(shè)計、應(yīng)用與發(fā)展由于對低功耗的要求越來越嚴格在如今變得非常重要(龔熙茜，賀志潤，2018)。3.4gm/Id設(shè)計方法的具體實現(xiàn)這種設(shè)計方法的核心是建立起晶體管跨到效率(8m/ID)與標(biāo)準(zhǔn)化電流Ip/(W/L)的函數(shù)關(guān)系。由建立的函數(shù)關(guān)系繪制圖像，可以性能參數(shù)，例如面積WL和各工作區(qū)域之間的界限。8m/ID設(shè)計方法最顯著的優(yōu)所有工作區(qū)域的8m/IpvsID/(W/L)曲線會下降的更快。8m/ID是以指數(shù)坐標(biāo)衡路設(shè)計要求。其次，柵極電壓VG和過驅(qū)動電壓VGs-VT的數(shù)值都比較低，這種現(xiàn)通過對研究對象的深入剖析和多維度檢驗本文不僅驗證了初始假設(shè)的可靠性還現(xiàn)在討論不同8m/Ip條件下的三個區(qū)域的限制條件及因素：WI是當(dāng)上式中的i,<<1時，gm/ID≥1/nU;SI是當(dāng)上式的is>>100時得到漏極電流大小，一旦考慮二階效應(yīng)上式將不符合模型特征。對于本文所用到的劃分為：8m/ID<10,在弱反型區(qū)；10≤8m/ID<20,處于中等反型區(qū)；整晶體管尺寸。可以建立通過柵、源、漏三極電壓和寬長比W/L建立MOS晶函數(shù)f一般被定義為標(biāo)準(zhǔn)化電流i=Ip/(W/L),根據(jù)式(3-8)和(3-9)我們可以推出跨導(dǎo)效率的公式為：一化)電流i=ID/(W/L)不會發(fā)生變化。所以8m/Ip與且只與標(biāo)準(zhǔn)化(歸一化)電立于晶體管的長和寬。綜上，8m/Ip會隨著晶體管的W,L變化而變化。增大跨導(dǎo)gm的目的，就必須調(diào)整晶體管寬度W,這樣上文建立的標(biāo)準(zhǔn)化電流i=Ip/(W/L)函數(shù)關(guān)系式的值就不受影響。這在一定程度上代表了但在調(diào)整溝道寬度W的同時，也隨之感應(yīng)出寄生電容，寄生電容一旦增加就會減小晶體管只有在中等反型層，才能達到帶寬和功耗之間(fr→ID)最理想的平衡。本文由式(3-10)可以推出，VDs參數(shù)的改變對8m/ID曲線沒有影響，圖3-5也結(jié)果，所以需經(jīng)仿真驗證8m/ID曲線與仿真工藝角的相關(guān)性，結(jié)果如下圖3-6所示，工藝角改變，曲線沒有明顯變化。綜上所述，所以圖3-5和圖3-6均說明了利用8m/Ip設(shè)計方法設(shè)計電路的可靠性。電容一旦增加就會減小晶體管的截止頻率fr,在截止頻率時，MOS晶體管增益為1。MOS器件的電流參數(shù)主要由柵氧化層電容Cx決定，總的柵氧化層電容Cox=WLCx,由總氧化層電容和面積決定。這在某個角度上證明了當(dāng)總氧化層輸入電容Ccs在最小溝道長度Lmin的情況下，可以簡單的地約等于2WfF,由此可見，CGs在最小溝道長度Lmin的情況下，僅僅取決于MOS晶體管寬度，這個經(jīng)驗法則已經(jīng)被廣泛用于實際運放寄生電容的計算。圖3-7和圖3-8體現(xiàn)了寄生電容CGs和8m/ID的相關(guān)性。從中可以看出本研究特別注重跨學(xué)科交叉截止頻率fr的定義是，當(dāng)輸出電流ibs等于輸入電流ics時，這在一定層面上揭示此時的頻率即為截止頻率，CGs和8m二者是其變量參數(shù)(成澤翔，付雪倩，從式(3-14)可以看出，截止頻率fr與Vcs-VT正相關(guān)，與L2負相關(guān)，因此而，當(dāng)Vcs>V時速度飽和，電子通過溝道的時間為L/Vsat,在VGs-V比較大的情況下，MOST能夠獲得的最高頻率是fr=Vsat/2πL,這時fr的值是隨著L的減跨導(dǎo)效率8m/Ip與跨導(dǎo)8m和寄生電容Ccs也能建立函數(shù)關(guān)系，聯(lián)立關(guān)系式推出fr與8m/ID的等式。圖3-10和圖3-11表示的分別為NMOS的截止頻率fr與跨導(dǎo)效率8m/Ip與溝道長、寬的關(guān)系。3.4.4gm/Id特性曲線與gds/Id的關(guān)系對8m/ID的設(shè)計方法而言，在分析MOS管的交流小信號模型時，參數(shù)輸出義為MOS輸出電阻的倒數(shù)，但由于在實際ibs-Vps曲線中飽和區(qū)并不是真正飽對于確定的工藝庫，上式中參數(shù)VE是一個常數(shù)。往常經(jīng)驗說明，在NMOS晶體管中VE=4V/μmL;而PMOS中VE如圖3-12得出，對于8as/ID來說，幅值不大，約在0到2v-1,且不受晶體3.5gm/Id曲線的電路仿真圖別連接對應(yīng)vdc,襯底與源極相連然后接gnd,若是在PMOS晶體管中襯底與源極相連然后接vdc。從這些討論中明白在漏極和源極處于理想偏置，晶體管工作于溝道長度固定的條件下，對其進行ADE仿真，掃描各個寬度值，能夠得到圖3.4到圖3.13橫坐標(biāo)為VG,縱坐標(biāo)分別為ID,8m,8as以及寄生電容C的相關(guān)如下圖3-15所示，是利用8m/Ip設(shè)計方法進行電路設(shè)計優(yōu)化的流程圖：首模型；其次，通過查找8m/Ip曲線族的各類圖像確定關(guān)鍵參數(shù)，例如，寬度W、圖中的反饋(YesorNo)這一流程來平衡各項參數(shù)(如漏極電流ID、漏源飽和等)變化對電路性能參數(shù)(如電壓增益、截止頻率、增益帶寬積、相位裕度、功耗等)的影響(陳志遠，張慧文，2022)。通過上文的分析可以論證前文的理論分析，尤其關(guān)鍵概念的理解在理論上進行了深化與拓展。這種深化不僅體現(xiàn)在對概念內(nèi)涵的細致剖析上，還體現(xiàn)在對其外延的廣泛探索中。通過對相關(guān)文獻的梳理和實證數(shù)據(jù)的分析，本文進一步明確了這些關(guān)鍵概念在理論體系中的地位和作用，以及它們之間的相互關(guān)系。同時這種拓展也為本文提供了新的研究視角和思考方向，有助于推動該領(lǐng)域理論的進一步發(fā)展。本文的研究還強調(diào)了理論與實踐的緊密結(jié)合，通過將理論分析應(yīng)用于實際問題的解決驗證了理論的有效性和實用性，這種結(jié)合也為相關(guān)領(lǐng)域的實踐提供了有力的理論支撐。↓找↓流不圖3-15設(shè)計流程圖第四章：電荷放大器原理及利用gm/Id設(shè)計方法設(shè)計電荷放避免電荷損失。電荷放大器示意圖如圖4-1所示：在圖4-1中，輸出信號U。通過反饋電容C,送回反向輸入端。對不考慮其它電纜電容C.的變化不影響測量結(jié)果。圖4-2所示等效電路圖，其中C,是壓電加單位輸入電纜等效電容輸入電纜絕緣電導(dǎo)S放大器輸入電容放大器輸入電導(dǎo)SC反饋回路電容反饋回路電導(dǎo)S由圖4-2知，此放大器是一個電壓并聯(lián)負反饋電路，從輸入端看反饋回路，可以看做Z./(1+A)的阻抗和輸入端阻抗并聯(lián)，閉環(huán)的輸入阻抗因此減小以至于比開環(huán)時低好幾個數(shù)量級，受此影響頻率升高。且Z,=1/輸入回路的時間常數(shù)取決于電容增益，存在反饋電容C,由于輸入端作用增如此參數(shù)條件下，功率和帶寬由Vov的值唯一確定，一旦過驅(qū)動電壓減小，功耗和帶寬同時損失。由公式W/L=8m/μCaVov得出，在不改變跨導(dǎo)和溝道長度的條件下討論過驅(qū)動電壓，Vov值越小MOS晶體管的柵寬和寄生電容C?s越大。總結(jié)上文，過驅(qū)動電壓Vov不適合作為電路設(shè)計的表征參考選項(高逸飛，趙心互補和驗證，同時運用標(biāo)準(zhǔn)化程序減少數(shù)據(jù)采集中的主觀誤差。在分析方法在現(xiàn)實設(shè)計當(dāng)中，我們在消耗相同電流的同時需要較大的跨導(dǎo)值8m但是與止頻率@r=8m/Cg以及本征增益8mro等參數(shù)，對運算放大器進行設(shè)計，以獲得各項性能的相互平衡，這種設(shè)計方法稱為8m/Ip設(shè)計方法。得到運算放大器直流電流和功耗參數(shù)，進而完成AC仿真，獲得電路的幅頻相頻SetupAnalysesYariablesQu口NetlistandRun器1>Resultsin/home/disk/simulation/SIM_IC61/amp1_d/spe3456789???????□□□□?1如圖4-7為不涉及外部測量電路的放大器原理圖。保持恒定的偏置電流和電源電壓。PM0、PM1組成PMOS差分對，依據(jù)此理論框架深入探究可得出其漏極輸出電流由NM0、NM1和NM2、NM3組成的NMOS電流鏡輸出，在NM0、NM3的漏極輸出接中間由PM3、PM5組成的PMOS電流鏡。最后PM2、PM4為差分對PM0和PM1提供了一個IBIAS的偏置電流(鄭奇，黃雅靜，2020)。NM3pmos1v_hvt圖4-7放大器電路結(jié)構(gòu)圖下表列出了上述電路圖中各晶體管的參數(shù)：仿真結(jié)果如圖4-7、圖4-8所示，增益大約為141dB,相位裕度在64.5°左右，滿足設(shè)計需求。L0m第五章：版圖設(shè)計結(jié)束了電路設(shè)計的前期工作后，需要依照工藝參數(shù)進行版圖繪制，并通過對版圖中各項參數(shù)的調(diào)整完成后期仿真，以上步驟都是為了能將預(yù)期的電路性能盡量避免各參數(shù)折中影響，最后落實到實際版圖。為了保證在生產(chǎn)芯片的過程中芯片性能和成品率不受外界因素，例如，工藝水平、濃度梯度、晶體各向異性、溫度等的影響，芯片制造商劃定了版圖設(shè)計過程須遵守的各項規(guī)則。首先，這在一定程度上代表了明確電路中可能產(chǎn)生的所有寄生效應(yīng)，包括器件自身存在的寄生電容、寄生電感和器件之間存在的閂鎖效應(yīng)、電荷儲存。其次，考慮匹配性能、寄生參數(shù)、耦合參數(shù)等因素對版圖設(shè)計的影響，并在設(shè)計過程中盡量將其減小(徐嘉潤，陳之妍，2020)。這些設(shè)計規(guī)則可以規(guī)范版圖設(shè)計人員的行為，以提高電路各項性能，例如，高頻條件下的噪聲容限、抗襯底耦合性能、電路匹配性等。電路不匹配主要有兩種情況：隨機失配是指由于元器件的尺寸、摻雜濃度不同引起的失配，可以通過遴選摻雜適合的元器件或尺寸來減小這種失配。系統(tǒng)失配是指，在制造過程中存在非人為可控因素的影響，如工藝水平差距、摻雜各向異性、濃度梯度效應(yīng)等，由于這些因素的存在，使得器件在版圖上的表現(xiàn)偏離理想情況，加大了版圖設(shè)計的復(fù)雜程度，可以通過相關(guān)的版圖技術(shù)來減小失配。5.1.2寄生效應(yīng)不合理的版圖設(shè)計會使器件內(nèi)部和器件間的寄生效應(yīng)急劇增加，從而影響電路各類重要參數(shù)。在現(xiàn)實生活中，每一條導(dǎo)線都有其自身的寄生電容和電阻，其要盡可能減少導(dǎo)線長度，這在某種程度上暗示了尤其是要優(yōu)先考慮減小關(guān)鍵路徑和節(jié)點上的寄生參數(shù)，以保證電路性能參數(shù)，一般采用的措施是放置器件時最大程度地相互靠近。封裝過程中也會存在寄生效應(yīng)，焊線與焊線、管腳與管腳之間的互感會增加封裝的寄生電感，從而影響基材襯底的噪聲，各個封裝的寄生電感量可以通過反向的差分信號來減少。在電路設(shè)計中，為了降低襯底耦合常使用以下方法：(1)減少電流、電壓源的波動和頻率變化，以避免開關(guān)噪聲產(chǎn)生；(2)采用差分電路結(jié)構(gòu)，能有效抑制共模噪聲，提高共模抑制比；(3)在物理上隔離器件與噪聲源；(4)加增(1)在不同層的兩條互連線發(fā)生交疊，由于導(dǎo)線中通過電流產(chǎn)生的磁場對另一條條導(dǎo)線中的載流子的運動會產(chǎn)生阻礙作用，便形成了交疊電容。(2)在相同積大的保護二極管，這在一定層面上揭示使其各項參數(shù)滿足設(shè)計規(guī)則的要求(嵇從而避免在ESD瞬間，大電流而產(chǎn)生的高熱量對芯片造成損傷。ESD防護電路的防護性能參數(shù)好壞，很大程度上取決于版圖設(shè)計，只有優(yōu)秀的版圖設(shè)計，才能保障電路的正常工作。5.2.2版圖尺寸從成本考慮，應(yīng)盡量將版圖面積盡可能的小，除了考慮版圖的合理性，還可將一些無源器件，合理改變形狀，將保持性能指標(biāo)的同時，將版圖面積盡可能縮小，不留大面積空白。放大器的失真和串?dāng)_很大程度上取決于電荷放大器版圖的布線布局，串?dāng)_發(fā)生于聲道內(nèi)部或聲道之間，通常情況下通過耦合產(chǎn)生影響，本質(zhì)上可以被認為是失真信號。在設(shè)計