2025高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)之晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

一.選擇題（共20小題）

1.（2024?邵陽(yáng)二模）采用氮化鐵元件的充電器體積小、質(zhì)量輕，在發(fā)熱量、效率轉(zhuǎn)換上相比普通充電器

也有更大的優(yōu)勢(shì)，被稱為“快充黑科技”，如圖是氮化錢的一種晶體結(jié)構(gòu)（NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值）。

下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.晶體結(jié)構(gòu)中Ga原子的配位數(shù)為8

B.一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N

C.Ga元素位于元素周期表中第四周期第IHA族

D.晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm?則晶體的密度為16X1Qg*cin"

4獷

2.（2024?江西模擬）FeSO4?7H2。的結(jié)構(gòu)如圖1所示，F(xiàn)eS2（M=120）晶胞為立方體，棱氏為anm,如

圖2所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.圖1與圖2中的Fe?+的配位數(shù)都是6

B.相鄰兩個(gè)的最短距離為返~anm

22

23

C.FCS2晶胞的密度為，8：1°g/cm3

a3HA

D.FeSO4?7H2O中存在配位鍵、極性鍵、氫鍵等化學(xué)鍵

3.（2024?遵義模擬）新型脩化鎘（CdTe）太陽(yáng)能電池能量轉(zhuǎn)化效率較高，立方晶系CdTe的晶胞結(jié)構(gòu)如圖

所示，晶胞參數(shù)為叩m（己知Te與O同族）。下列說(shuō)法正確的是（）

A.硅原子的價(jià)層電子數(shù)為4

B.Cd的配位數(shù)為4

C.晶胞中Cd與Te的最短距離為1apm

D.晶體的密度為一4X24：3g?cm3

7

NA（aXlQ-）

4.（2024?湖北三模）鼠氨化鈣是無(wú)公害農(nóng)產(chǎn)品生產(chǎn)中極具使用價(jià)值的一種土壤改良劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖

所示，下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.該化合物的焰色試驗(yàn)為磚紅色

B.鼠氨化鈣的化學(xué)式為CaCN2

C.每個(gè)陰離子團(tuán)的配位數(shù)為12

D該晶體的密度為嗯干

g*cm~3

5.（2024?湖北模擬）磷化硼（BP）是一種半導(dǎo)體材料?，熔點(diǎn)1100C,晶胞如圖1所示，晶胞邊長(zhǎng)為apm。

下列有關(guān)說(shuō)法正確的是（）

A.每個(gè)P周圍距離最近且相等的P有6個(gè)

B.晶胞密度為些唱m'

C.平均每ImolBP晶體含2moi共價(jià)鍵

D.磷化硼晶胞在x、y、z軸方向的投影圖均如圖2所示

6.（2024?江西模擬）黑銅礦中含有CU2S,可以用于冶煉銅、制硫酸。Cu2s的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參

數(shù)為anm。下列說(shuō)法正確的是（）

A.工業(yè)制硫酸時(shí)，常用蒸儲(chǔ)水吸收SO3

B.圖中黑色的球?代表S?-

C.每個(gè)S2-周圍緊鄰且等距離的S2-個(gè)數(shù)為4

D.Cu+與S?-最小核心距為返亙加

2

7.（2024?河北三模）由Li、Al、Si構(gòu)成的某三元化合物固態(tài)晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:

下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.晶體中Li、ALA三種微粒的比例為1：1：1

B.圖中所指Si原子的坐標(biāo)為（耳，2,1）

444

C.晶體中與每個(gè)AI緊鄰的Li為6個(gè)，與每個(gè)Si緊鄰的Si為12個(gè)

D.晶體中A1和Li構(gòu)成CsCl型晶體結(jié)構(gòu)，晶體中A1和Si構(gòu)成金剛石型晶體結(jié)構(gòu)

8.（2024?重慶模擬）F2和Xe可在一定條件下反應(yīng)生成X,若Xe過(guò)量則生成Y,X和丫的晶胞示意圖如

圖所示，晶胞體積之比為V（X）：V（Y）=17：13。

A.兩種分子都屬于極性分子

B.分子中Xe的孤電子對(duì)數(shù)：X>Y

C.兩種晶體都屬于分子晶體

D.晶體密度：X>Y

9.（2024?湖北二模）一種由Cu、In、Te組成的晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為

90°,晶體中Te原子填充在Cu、In圍成的四面體空隙中，A點(diǎn)、B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0,0,

1

\

O7-,工），設(shè)A為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

、9N

22；

一a"

A.該晶體的化學(xué)式為CuInTe2

B.D點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為1,1

2-36

NA-acXIQ

C.該晶體的摩爾體積為」--------------m3/mol

4

D.晶胞中A、D間距離返年/pn

10.（2024?東西湖區(qū)校級(jí)模擬）泥十.彩塑（圖I）是我國(guó)的一種傳統(tǒng)民間藝術(shù)。在制作過(guò)程中匠人向泥中

加入鳥(niǎo)糞石有利于減少風(fēng)干的時(shí)間并避免泥塑出現(xiàn)裂縫.鳥(niǎo)類石的某種晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。下列說(shuō)法

錯(cuò)誤的是（）

圖1圖2

A.該晶體屬于離子晶體

B.該晶體中Mg和P的個(gè)數(shù)比為3：2

C.以po：一的P為頂點(diǎn)的晶胞中含兩個(gè)N,剩余P占據(jù)晶胞部分面心，則面心占有率為1

D.鳥(niǎo)糞石也可用于吸附沉降水中的重金屬離子，可能與其晶體表面大量的氧原子和翔基有關(guān)

II.（2024?全國(guó)四模）Li、Fc、Sc可形成新型超導(dǎo)材料?，晶胞如圖（Fe原子均位于面上）。晶胞棱邊夾角

均為90。，X的坐標(biāo)為（0,1,工），丫的坐標(biāo)為（工，-1,工），設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下

3226

列說(shuō)法正確的是（)

Fe

A.基態(tài)Fe原子的核外電子排布式為[Ar]3d，4s2

B.坐標(biāo)為名1,卷）的原子是Li原子

C.Se原子X(jué)與Se原子Y之訶的距離為山量上止

22

D.該晶體的密度為5；x1°g.—T

abNA

12.（2024?招遠(yuǎn)市三模）純凈的硫化鋅是半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料。在充放電過(guò)程中，負(fù)極材料晶胞的

組成變化如圖所示。負(fù)極充電過(guò)程中發(fā)生合金化反應(yīng)生成LiZn（合金相）。

os2-OZn2+?ZM+或Li+

卜列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（)

A.ZnS晶胞中S2.的配位數(shù)為4

B.x=6,y=l

C.在充電過(guò)程中，每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成2l6gLiZn（合金相）

D.若EF間的距離為anm,則Li2s的密度為一譽(yù)退~~彳g?cm*

J21

8aNAXIO_

13.（2024?江西模擬）由S、K、Ni三種元素形成的一種超導(dǎo)材料，其晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。卜列說(shuō)

法正確的是（

A.基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)：S>Ni>K

B.Ni位于元素周期表的s區(qū)

C.一個(gè)晶胞的質(zhì)量為絲2

NAg

D.與K原子距離最近且等距離的S原子數(shù)目為10

14.（2024?湖北模擬）氮化保充電器兼具高功率和小體積的特點(diǎn)。氮化綠晶體中部分結(jié)構(gòu)如圖所示，Ga

原子位于N原子圍成的正四面體中心.

填充了Ga原子的四面體空隙

已知：四面體空隙的填充率=X100%

總四面體空隙

A.氨化鐵的晶胞中包含2個(gè)N原子

B.晶體中四面體空隙的填充率為100%

C.晶體中存在N原子圍成的八面體空隙

D.若N-Ga鍵長(zhǎng)為a,則其晶胞的高為［2a+2asin（19°28'）］

15.（2024?秦皇島三模）碳化鈦在航空航天、機(jī)械加工等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。當(dāng)TiC中

的C原子被N原子取代時(shí)，則產(chǎn)生TiCi.xNx,其性能與x的值有關(guān)。下列說(shuō)法正確的是（)

?C

OTi

A.x值會(huì)影響碳氮化鈦的晶胞邊長(zhǎng)，x越大，則晶胞邊長(zhǎng)越長(zhǎng)

B.C原子位「Ti形成的四面體空隙中

C.離Ti原子最近的且距離相等的C原子的數(shù)目為8

D.碳化鈦具有高熔點(diǎn)、高硬度的特點(diǎn)

16.（2024?湖北模擬）如圖是氮化像的一種晶體結(jié)構(gòu)，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法正確的是

()

A.每個(gè)N原子周圍距離最近的N原子數(shù)目為4

B.氮化錢分子式為GaN

C.a、b原子坐標(biāo)參數(shù)依次為（0,0,0）、（1,1,1）,則c原子坐標(biāo)參數(shù)為（1,1,（

D.已知該晶體密度為dg?cm-3,則像氮原子間最短距離為3_x?佟工XlCjlOpn

4dN^

17.（2024?九龍坡區(qū)模擬）NiO的晶胞示意圖如圖甲所示。存在“缺陷”的氧化銀晶體（NixO）如圖乙所

示（一個(gè)Ni2+空缺，另有兩個(gè)Ni2+被兩個(gè)Ni3+所取代，其晶體仍呈電中性）。下列說(shuō)法正確的是（）

?O2-ONi2+

圖1

A.Ni元素位于元素周期表的ds區(qū)

B.NiO晶體中每個(gè)。2一周圍與它距離相等且最近的0?一有6個(gè)

C.某氧化銀（NixO）晶體中Ni3+與Ni2+的個(gè)數(shù)比為1：11,則x=0.96

D.NiO晶體中與一個(gè)Ni2+距離相等且最近的0?一構(gòu)成的空間幾何形狀為正四面體

18.（2024?兩江新區(qū)校級(jí)模擬）某鈦金合金有兩種結(jié)構(gòu)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，1號(hào)原子的原子坐標(biāo)是（0,

0,0）。下列說(shuō)法正確的是（）

A.晶體密度：a<0

B.a晶胞中Au原子的配位數(shù)為6

C.該鈦金合金的化學(xué)式為TiqAu

D.2號(hào)原子的原子坐標(biāo)為（方，0,

19.（2024?葫蘆島二模）鉆的一種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知A點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為（0,0,0）,

)

A.配合物中C02+價(jià)電子排布式為3d7

B.鉆的配位數(shù)為6

C.C點(diǎn)的原子坐標(biāo)參數(shù)為總11)

,2，2,

32

D.該晶體的密度為L(zhǎng)55X—g/cm3

20.（2024?廣西三模）LiZnAs是苜個(gè)發(fā)現(xiàn)的電荷與自旋摻雜分離的新型稀磁半導(dǎo)體材料，其立方晶胞結(jié)構(gòu)

如圖所示，a點(diǎn)（As原子）的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（3,-1,A）,晶胞密度為pg?cm汽

A.3oZn位于元素周期表的ds區(qū)

B.每個(gè)Zn周圍距離最近的As原子個(gè)數(shù)為4

c.b點(diǎn)（As原子）的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（3,3,1）

444

D.兩個(gè)Li原子之間的最短距離為號(hào)濾

2025高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)之晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

參考答案與試題解析

一.選擇題（共20小題）

1.（2024?邵陽(yáng)二模）采用氮化鐵元件的充電器體枳小、質(zhì)量輕，在發(fā)熱量、效率轉(zhuǎn)換上相比普通充電器

也有更大的優(yōu)勢(shì)，被稱為“快充黑科技”，如圖是氮化線的和晶體結(jié)構(gòu)（NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值）。

下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

eGa

ON

A.晶體結(jié)構(gòu)中Ga原子的配位數(shù)為8

B.一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N

C.Ga元素位于元素周期表中第四周期第IHA族

D.晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距離為xnm,則晶體的密度為"'"百了xlO^gFm

4城

【答案】A

【分析】A.以晶胞上邊平面中心的Ga原子為研究對(duì)象，可知：在該晶胞中Ga與2個(gè)N原子距離相

等且最近，在通過(guò)該平面上邊還存在1個(gè)晶胞，其中Ga與2個(gè)N原子距離相等且最近；

B.用均攤方法計(jì)算，在一個(gè)晶胞中含有Ga原子數(shù)目是8X2+6X2=4：含有的N原子數(shù)目是4X1

82

=4,故一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N；

C.Ga與AI處于同一主族，位于A1的下一周期；

D.根據(jù)選項(xiàng)B分析可知：在一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N,結(jié)合晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距

離為xnm,二者的距離為晶胞體對(duì)角線的q,假設(shè)品胞邊長(zhǎng)為L(zhǎng),則與L=X，L=巖，據(jù)此計(jì)算。

【解答】解：A.晶胞中的配位數(shù)為距離相等且?guī)喾措姾傻牧Ｗ觽€(gè)數(shù)，以晶胞上邊平面中心的Ga原

子為研究對(duì)象，在該晶胞中Ga與2個(gè)N原子距離相等且最近，在通過(guò)該平面上邊還存在I個(gè)晶胞，其

中Ga與2個(gè)N原子距離相等且最近，故Ga原子的配位數(shù)是4,故A錯(cuò)誤；

B.用均攤方法計(jì)算，在一個(gè)晶胞中含有Ga原子數(shù)目是8X』+6X_1=4；含有的N原子數(shù)目是4X1

82

=4,故一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N,故B正確;

C.Ga為31號(hào)元素，且Ga與Al處于同一主族，位于A1的下一周期，故Ga元素位于元素周期表中第

四周期第IHA族，故C正確;

D.根據(jù)選項(xiàng)B分析可知：在一個(gè)該晶胞結(jié)構(gòu)中含有4個(gè)Ga、4個(gè)N,結(jié)合晶體結(jié)構(gòu)中若Ga和N的距

離為xnm,二者的距離為晶胞體對(duì)角線的工,假設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為L(zhǎng),則YLL=X，L=g2,故該晶胞的

L

44V3

m4(70+14)g/由憶里烏213

密度p=X10g-cm-，故D正確;

3

V-734NAX

NA(^Xio)

故選：Ao

【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。

2.（2024?江西模擬）FeSO4?7H2O的結(jié)構(gòu)如圖1所示,FeSa（M=120）晶胞為立方體,棱長(zhǎng)為anm,如

圖2所示，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.圖1與圖2中的Fe?+的配，,立數(shù)都是6

B.相鄰兩個(gè)s會(huì)的最短距離為亞anm

2

23

C.FeS2晶胞的密度為8310-g/cm3

a3HA

D.FeSCM?7H2O中存在配位鍵、極性鍵、氫鍵等化學(xué)鍵

【答案】D

【分析】A.圖1中Fe2+與6個(gè)水分子形成配位鍵，圖2中距離Fe2+最近且相等的共6個(gè);

B.由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，相鄰兩個(gè)s/的最短距離為面對(duì)角線的一半；

C.由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，一個(gè)昂胞中有8X工+6X工=4個(gè)Fe",12乂工+1=4個(gè)S?’即一個(gè)晶胞中有

8242

4個(gè)FeS2；

D.氫鍵不是化學(xué)鍵。

【解答】解：A.圖1中Fe2+與6個(gè)水分子形成配位鍵，圖2中距離Fe?+最近且相等的5于共6個(gè)，故

配位數(shù)是6,故A正確;

B.相鄰兩個(gè)s標(biāo)的最短距離為面對(duì)角線的一半，為亞anm，故B正確；

2

C.一個(gè)晶胞中有12X工+1=4個(gè)sM，8X工+6X工=4個(gè)Fe”,即一個(gè)晶胞中有4個(gè)FeS2,則FeS2

4282

晶胞的密度為一4XI2。8/-3=4?8：1°2工/＜：1?，故C正確；

N（aX10-尸aJN

AAA

D.氫鍵不是化學(xué)鍵，故D錯(cuò)誤；

故選：D。

【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。

3.（2024?遵義模擬）新型硅化鎘（CdTe）太陽(yáng)能電池能量轉(zhuǎn)化效率較高，立方晶系CdTe的晶胞結(jié)構(gòu)如圖

所示，晶胞參數(shù)為叩m（已知Te與O同族）。下列說(shuō)法正確的是（）

A.硅原子的價(jià)層電子數(shù)為4

B.Cd的配位數(shù)為4

C.晶胞中Cd與Te的最短距離為母”

D.晶體的密度為——4X240-7g*cm'3

7

NA（aX10）

【答案】B

【分析】A.Te與O同族價(jià)層電子數(shù)為6；

B.Cd位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，Te位于體內(nèi)，故Cd的配位數(shù)即離某個(gè)Cd原子距離相等且最近的Te

原子個(gè)數(shù)；

C.Cd與Te的最短距離為體對(duì)角線的一半為與aPm；

D.Cd位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，Te位于體內(nèi)，則一個(gè)晶脆中含有Cd個(gè)數(shù)為：gx—+6X—=4?Te

82

原子個(gè)數(shù)為4個(gè)，故一個(gè)晶胞的質(zhì)量為：4乂（112+128%晶胞參數(shù)為apm,則一個(gè)晶胞的體積為：

NA

（aXIO"”3cm3。

【解答】解：A.TC與。同族價(jià)層電子數(shù)為6,故A錯(cuò)誤;

B.Cd位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，Te位于體內(nèi)，故Cd的配位數(shù)即離某個(gè)Cd原子距離相等且最近的Te

原子個(gè)數(shù)，故為4,故B正確；

C.Cd與Tc的最短距離為體對(duì)角線的一半為與aPm，故C錯(cuò)誤：

D.Cd位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，Te位于體內(nèi)，則一個(gè)晶胞中含有Cd個(gè)數(shù)為：gx—+6X—=4,Te

82

原子個(gè)數(shù)為4個(gè)，故一個(gè)晶胞的質(zhì)量為：4*（42+12嘰,晶胞參數(shù)為叩m,則一個(gè)晶胞的體積為：

NA

（aXlO10）3cm3,故晶體的密度為——經(jīng)？變_故D錯(cuò)誤；

-10

NA（aX10）

故選：Bo

【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。

4.（2024?湖北三模）鼠氨化鈣是無(wú)公害農(nóng)產(chǎn)品生產(chǎn)中極具使用價(jià)值的一種土壤改良劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖

所示，下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.該化合物的焰色試驗(yàn)為磚紅色

B.氟氨化鈣的化學(xué)式為CaCN2

C.每個(gè)陰離子團(tuán)的配位數(shù)為12

D.該晶體的密度為1迎X1022g.em—3

【答案】C

【分析】A.鈣元素的焰色試驗(yàn)呈破紅色；

B.一個(gè)晶胞中含鈣離子為：4XA+4XA+2=3,含CN4-為：2XA+2XA+2=3,Ca2+：CN1=3：

6122362

3=1：1；

C.根據(jù)晶胞圖可知，與每個(gè)陰高子團(tuán)最近且等距陽(yáng)的鈣離子有4個(gè);

D.根據(jù)p=號(hào)計(jì)算晶體的密度。

【解答】解：A.該化合物含有鈣元素，則焰色試驗(yàn)為磚紅色，故A正確；

2+C2-3

B.一個(gè)晶胞中含鈣離子為：4XA.+4X_L+2=3,含「可2-為：2X2+2X2+2=3,Ca：N2

612j36

3=1：1,則鼠氨化鈣的化學(xué)式為CaCN2,故B正確；

C.根據(jù)晶胞圖可知，與每個(gè)陰離子團(tuán)最近且等距離的鈣離子有4個(gè)，則配位數(shù)為4,故C錯(cuò)誤：

3-(40+12+14X2)

NA1fu/Qx1仆22

D.該晶體的密度p=1l=F-----------------------g-cm-3=空告LW_g?cm7,故D正確；

2

V華Xa2bxi0-21abNA

故選：Co

【點(diǎn)評(píng)】本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及焰色反應(yīng)、均攤法、配位數(shù)、晶胞計(jì)算等內(nèi)容，其中晶胞計(jì)算

為解題難點(diǎn)，掌握基礎(chǔ)為解題關(guān)鍵，整體難度適中。

5.(2024?湖北模擬)磷化硼(BP)是一種半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)II00C,晶胞如圖I所示，晶胞邊長(zhǎng)為apm。

下列有關(guān)說(shuō)法正確的是()

圖1圖2

A.每個(gè)P周圍距離最近且相等的P有6個(gè)

B.晶胞密度為些￥外

NAa

C.平均每ImolBP晶體含2mol共價(jià)鍵

D.磷化硼晶胞在x、y、z軸方向的投影圖均如圖2所示

【答案】D

【分析】A.由圖1可知，每個(gè)P周圍距離最近且相等的P芍4個(gè)；

B.根據(jù)均攤法可知，晶胞中含有4個(gè)B、JLX8+2X6=4個(gè)P,則晶胞密度為p=且;

82V

C.由圖可知，每個(gè)B、P原子均形成4個(gè)共價(jià)鍵，即1個(gè)BP含2X4+2X4=4個(gè)共價(jià)鍵；

22

D.P位于頂點(diǎn)和面心，將正方體分為8個(gè)小正方體，B原子位于小正方體的體心。

【解答】解：A.由圖1可知，每個(gè)P周圍距離最近且相等的P有4個(gè)，故A錯(cuò)誤；

B.根據(jù)均攤法可知，晶胞中含有4個(gè)B、-1X8+1X6=4個(gè)P,則晶胞密度為p=H=

82V

4X（31+11）,_168X1Q30,3Mnut：口

--------------------3---------o—g/cnr,故B錯(cuò)慶；

3-303

NAXaXIQNAa

C.由圖可知，每個(gè)B、P原子均形成4個(gè)共價(jià)鍵，即1個(gè)BP含2X4+2X4=4個(gè)共價(jià)鋌，則平均每

22

ImolBP晶體含4moi共價(jià)鍵，故C錯(cuò)誤;

D.P位于頂點(diǎn)和面心，將正方體分為8個(gè)小正方體，B原子位于小正方體的體心，則x、y、z軸方向

的投影圖均如圖2所示，故D正確；

故選：D。

【點(diǎn)評(píng)】本題是物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考題，涉及晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識(shí)，關(guān)鍵是理解并晶胞有關(guān)的t-算，需要學(xué)

生具有一定的空間想象力與數(shù)學(xué)計(jì)算能力。

6.（2024?江西模擬）黑銅礦中含有CU2S,可以用于冶煉銅、制硫酸。Cu2s的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參

數(shù)為anm。下列說(shuō)法正確的是（）

A.工業(yè)制硫酸時(shí)，常用蒸儲(chǔ)水吸收SO3

B.圖中黑色的球?代表S2.

C.每個(gè)S?周圍緊鄰且等距離的S?一個(gè)數(shù)為4

D.Cd與S?-最小核心距為返亙加

2

【答案】B

【分析】A.S03與H2O反應(yīng)劇烈形成酸霧，不易吸收；

B.根據(jù)S?-與Cu+的個(gè)數(shù)比為1：2可以確定，黑球代表S?-；

C.每個(gè)S?一周圍緊鄰且等距離的S?一個(gè)數(shù)為12；

D.Cd與S?-最小核心距為晶胞體對(duì)角線的2。

4

【解答】解：A.S03與H2O反應(yīng)劇烈形成酸霧，不易吸收，常用濃硫酸吸收SO3,故A錯(cuò)誤;

B.根據(jù)S2-與Cu+的個(gè)數(shù)比為1：2可以確定，黑球代表S2,故B正確；

C.每個(gè)S2一周圍緊鄰且等距離的S?一個(gè)數(shù)為12,故C錯(cuò)誤；

D.Cu+與S?.最小核心距為返生加，故D錯(cuò)誤；

故選：Bo

【點(diǎn)評(píng)】本題考杳物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及晶胞的計(jì)算、物質(zhì)的性質(zhì)和變化等知識(shí)點(diǎn)，為高頻考點(diǎn)，難

度中等。

7.（2024?河北三模）由Li、AkSi構(gòu)成的某三元化合物固態(tài)晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：

A.晶體中Li、AkSi三種微粒的比例為1：1：I

B.圖中所指Si原子的坐標(biāo)為（2,3,-1）

444

C.晶體中與每個(gè)A1緊鄰的Li為6個(gè)，與每個(gè)Si緊鄰的Si為12個(gè)

D.晶體中AI和Li構(gòu)成CsCl型晶體結(jié)構(gòu)，晶體中AI和Si構(gòu)成金剛石型晶體結(jié)構(gòu)

【答案】D

【分析】A.該晶胞中，Li原子個(gè)數(shù)2*12+1—4,A1原子個(gè)數(shù)2X8+2X6—4,Si原子個(gè)數(shù)=4；

482

B.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可得，圖中所指Si原子的坐標(biāo)為（2,2,』）；

444

C.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可得，晶體中與每個(gè)AI距離最近的Li為6個(gè)，與每個(gè)Si距離最近的Si為12個(gè)；

D.晶體中A1和Li構(gòu)成NaCl型骨架，而CsCl型為體心結(jié)構(gòu)；晶體中Al、Si構(gòu)成正四面體型結(jié)構(gòu)。

【解答】解：A.該晶胞中，Li原子個(gè)數(shù)工X12+1-4,A1原子個(gè)數(shù)2X8+^X6—4,Si原子個(gè)數(shù)=4,

482

原子個(gè)數(shù)比為1：1：1,故A正確；

B.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可得，圖中所指Si原子的坐標(biāo)為（2,1,2），故B正確；

444

C.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可得，晶體中與每個(gè)A1距離最近的Li為6個(gè)，與每個(gè)Si距離最近的Si為12個(gè),

故c正確；

D.晶體中Al和Li構(gòu)成NaCl型骨架，而CsCl型為體心結(jié)構(gòu)；晶體中Al、Si構(gòu)成正四面體型結(jié)構(gòu)，與

金剛石型的結(jié)構(gòu)相同，故D錯(cuò)誤；

故選：Do

【點(diǎn)評(píng)】本題是物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考題，涉及晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識(shí)，關(guān)鍵是理解并晶胞有關(guān)的計(jì)算，需要學(xué)

生具有一定的空間想象力與數(shù)學(xué)計(jì)算能力。

8.(2024?重慶模擬)F2和Xe可在一定條件下反應(yīng)生成X,若Xe過(guò)量則生成Y,X和Y的晶胞示意圖如

圖所示，晶胞體積之比為V(X)：V(Y)=17：13。

OF

OXe

X的晶胞示意圖Y的晶胞示意圖

下列關(guān)于X和丫的說(shuō)法正確的是()

A.兩種分子都屬于極性分子

B.分子中Xe的孤電子對(duì)數(shù)：X>Y

C.兩種晶體都屬于分子晶體

D.晶體密度：X>Y

【答案】C

【分析】A.XeF4為正方形，XeF2為更線形；

B.XeF4中中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+2=6,孤電子對(duì)數(shù)為2,XeFz中中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為

2+4=6,孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為4；

C.XeF4和XeF2均為共價(jià)化合物：

D.密度p=衛(wèi)，兩者的質(zhì)量比為(313+19X4)：(131+19X2)=207：169,胞體積之比為V(X)：V

(Y)=17：13,則晶體密度之比為迎?：出。

1713

【解答】解：A.XeF4為正方形，XcF2為直線形，均為非極性分子，故A錯(cuò)誤；

B.XeEi中中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+2=6,孤電子對(duì)數(shù)為2,XeF2中中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為

2+4=6,孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為4,則分子中Xe的孤電子對(duì)數(shù)：X<Y,故B錯(cuò)誤；

C.XeF4和XeF2均為共價(jià)化合物，則種晶體都屬于分子晶體，故C正確；

D.密度p=皿，兩者的質(zhì)量比為（313+19X4）：（131+19X2）=207：169,胞體積之比為V（X）：V

V

（Y）=17：13,則晶體密度之比為也：里，則晶體密度：X<Y,故D錯(cuò)誤；

1713

故選：Co

【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。

9.（2024?湖北二模）一種由Cu、In、Te組成的晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞楂邊夾角均為

90。，晶體中Te原子填充在Cu、In圍成的四面體空隙中，A點(diǎn)、B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為（0,0,

1

\

o)-

z、A）,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

2

2,

前-Q

A.該晶體的化學(xué)式為CuInTe2

B.D點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（I,1,1

1448

N■乙x1n

C.該晶體的摩爾體積為A查C--------m3/mol

4

D.晶胞中A、D間距離、2a；+c2RR

【答案】D

【分析】A.根據(jù)圖知，該晶胞中Cu的個(gè)數(shù)為8XA+4X2+1=4,In的個(gè)數(shù)為6X_1+4X2=4,Tc

8224

的個(gè)數(shù)為8,則Cu、In、Te的個(gè)數(shù)之比為4：4：8=1：1：2；

B.D點(diǎn)在x、y、z軸坐標(biāo)分別是工、A；

448

C.該晶胞的體積為a2cxi0一3。皿3,該晶胞中相當(dāng)于含有4個(gè)"CuInTez”,則每個(gè)"CuInTea”的體積

為』Xa2cXQ30cm3,其摩爾體積為Imol“CuInTe2”占有的體積；

4

D.晶胞中A、D間距離等于下面小立方體中體對(duì)角線的2。

4

【解答】解：A.根據(jù)圖知，該晶胞中Cu的個(gè)數(shù)為8X』+4X_1+1=4,In的個(gè)數(shù)為6X_1+4X_1=4,

8224

Te的個(gè)數(shù)為8,貝iJCu、In、Te的個(gè)數(shù)之比為4：4：8=1：1：2,所以其化學(xué)式為CuInTe2,故A正確：

B.D點(diǎn)在x、y、z軸坐標(biāo)分別是』、」?、1,所以D點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為仕，工，A）,故B正確;

448448

C.該晶胞的體積為a2cXQ30cm3,該晶胞中相當(dāng)于含有4個(gè)"CuInTez”,則每個(gè)“CuInTe2”的體積

為』Xa2cXQ30cm3,其摩爾體積為Imol“CuInTe2”占有的體積，即』Xa2cXIO-30NAcn?/mol=_lx

444

a2cX10-36NAm3/mol,故C正確；

D.晶胞中A、D間距離等于下面小立方體中體對(duì)角線的為《義=』居t2lpm,

故D錯(cuò)誤；

故選：Do

【點(diǎn)評(píng)】本題考杳晶胞的計(jì)算，側(cè)重考杳分析、判斷、計(jì)算及空間想象能力，明確各原子在晶胞中的位

置、化學(xué)式的判斷方法、坐標(biāo)參數(shù)的判斷方法、晶胞的計(jì)算方法是解本題關(guān)鍵，題目難度中等。

10.（2024?東西湖區(qū)校級(jí)模擬）泥土彩塑（圖I）是我國(guó)的一種傳統(tǒng)民間藝術(shù)。在制作過(guò)程中匠人向泥中

加入鳥(niǎo)糞石有利于減少風(fēng)干的時(shí)間并避免泥塑出現(xiàn)裂縫。鳥(niǎo)糞石的某種晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。下列說(shuō)法

錯(cuò)誤的是（）

圖I圖2

A.該晶體屬于黑子晶體

B.該晶體中Mg和P的個(gè)數(shù)比為3：2

C.以po：一的P為頂點(diǎn)的晶胞中含兩個(gè)N,剩余P占據(jù)晶胞部分面心，則面心占有率為1

D.鳥(niǎo)糞石也可用于吸附沉降水中的重金屬離子，可能與其晶體表面大量的氧原子和羥基有關(guān)

【答案】B

【分析】A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥(niǎo)糞石晶胞中含有六水合鎂離子、鉉根離子和磷酸根離子；

B.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥(niǎo)糞石晶胞中位于頂點(diǎn)和體心的磷酸根離子的個(gè)數(shù)為4義2+1=旦，位于面心的

82

六水合鎂離子的個(gè)數(shù)為3X2=3；

22

C.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥(niǎo)糞石晶胞中磷酸根離子位于頂點(diǎn)和體心，鉉根離子和六水合鎂離子位于面心，

則以磷酸根離子的磷原子為頂點(diǎn)的晶胞中含兩個(gè)氮原子，剩余磷原子占據(jù)晶胞部分面心；

D.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥(niǎo)糞石晶體表面大量的氧原子和羥基。

【解答】解：A.由晶胞結(jié)構(gòu)口］■知，鳥(niǎo)糞石晶胞中含有六水合鎂離子、錢根離子和磷酸根離子，則該晶

體是由陰陽(yáng)離子形成的離子晶體，故A正確；

B.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥(niǎo)糞石晶胞中位于頂點(diǎn)和體心的磷酸根離子的個(gè)數(shù)為4X_1+1=3,位于面心的

82

六水合鎂離子的個(gè)數(shù)為3X2=3,則晶體中鎂原子和磷原子的個(gè)數(shù)比為1：1,故B錯(cuò)誤；

22

C.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥(niǎo)炎石晶胞中磷酸根離子位于頂點(diǎn)和體心，錢根離子和六水合鎂離子位于面心，

則以磷酸根離子的磷原子為頂點(diǎn)的晶胞中含兩個(gè)氮原子，剩余磷原子占據(jù)晶胞部分面心，則面心占有率

為工，故C正確；

3

D.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鳥(niǎo)糞石晶體表面大量的氧原子和羥基，所以鳥(niǎo)糞石也可用于吸附沉降水中的重金

屬離子,故D正確；

故選：Bo

【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶胞計(jì)算，為高頻考點(diǎn)，把握離子晶體的性質(zhì)、均攤法計(jì)算為解答的關(guān)鍵，側(cè)重分析

與計(jì)算能力的考查，題目難度不大。

11.（2024?全國(guó)四模）Li、Fe、Sc可形成新型超導(dǎo)材料?，晶胞如圖（Fe原子均位于面上）。晶胞棱邊夾角

均為90“，X的坐標(biāo)為（0,1,1）,丫的坐標(biāo)為（工，-1,工），設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下

3226

列說(shuō)法正確的是（)

Fe

A.基態(tài)Fe原子的核外電子排布式為[Ar]3d，4s2

B.坐標(biāo)為名1,卷）的原子是Li原子

C.Se原子X(jué)與Se原子Y之訶的距離為山包%^

D.該晶體的密度為5?1°gym7

a'bN.

【答案】c

【分析】A.Fe為26號(hào)元素，位于元素周期表中第四周期第vm族；

B.由晶胞結(jié)構(gòu)可知坐標(biāo)為d，1,~1）的原子是Fe原子；

C.Se原子X(jué)與Se原子Y,沿x軸方向的距離為包，沿y軸方向的距離為烏，沿z軸方向的距離為上;

226

D.Li原子位于頂點(diǎn)和體心，個(gè)數(shù)為：8X-1+1=2,Fe位于面上，個(gè)數(shù)為8X_1=4,Se原子位于棱上

82

和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為：8X2+2=K,晶胞的質(zhì)量為：7X2+56j4+79X4g="￡g,晶胞體積為：a2bx

4町NA

1021cm3,根據(jù)p譚計(jì)算晶體密度。

【解答】解：A.Fe為26號(hào)元素，位于元素周期表中第四周期第VIII族，基態(tài)Fe原子的核外電子排布式

為[Ar]3d64s2,故A錯(cuò)誤；

B.由晶胞結(jié)構(gòu)可知坐標(biāo)為（J,1,1）的原子是Fe原子，故B錯(cuò)誤；

C.Se原子X(jué)與Se原子Y,沿x軸方向的距離為且，沿y軸方向的距離為烏，沿z軸方向的距離為上,

226

兩點(diǎn)間的距離為J管）？+弓）2+（己）2nm=+^—nm,

故C正確;

D.Li原子位于頂點(diǎn)和體心，個(gè)數(shù)為：8xl+l=2,Fe位于面上，個(gè)數(shù)為8X2=4,Se原子位于棱上

82

和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為：8義2+2=4,晶胞的質(zhì)量為：7X24-56X44-79X4g=554晶胞體積為：a2bx

4NANA

10-21cm3,密度p=JH=z554x1021g.emF,故D錯(cuò)誤；

VVNAXa'9b

故選：Co

【點(diǎn)評(píng)】本題考查晶體結(jié)構(gòu)，側(cè)重考查學(xué)生晶胞計(jì)算的掌握情況，試題難度中等。

12.（2024?招遠(yuǎn)市三模）純凈的硫化鋅是半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料。在充放電過(guò)程中，負(fù)極材料晶胞的

組成變化如圖所示。負(fù)極充電過(guò)程中發(fā)生合金化反應(yīng)生成LiZn（合金相）。

A.ZnS晶胞中S2-的配位數(shù)為4

B.x=6,y=l

C.在充電過(guò)程中，每轉(zhuǎn)移6moi電子，生成216gLiZn（合金相）

D.若EF間的距離為anm,貝JLi2s的密度為一譽(yù)返一^-g-cm-3

3_21

8aNAXIQ

【答案】C

【分析】A.由ZnS晶胞可知，S?-位于頂點(diǎn)和面心，離S?一最近的Zi?+有4個(gè)；

B.由ZnS晶胞可知，Li+和Zi?+共有7個(gè)，S?-位于頂點(diǎn)和面心，個(gè)數(shù)為8X2+6XJL=4,由化合價(jià)代

82

數(shù)和為0可解得x、y；

C.在充電過(guò)程，當(dāng)ZnS完全轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)ixZnyS,Li+>Zn2+轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)iZn,生成ImolLiZn轉(zhuǎn)移3moi電子,

故每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成2moiLiZn：

D.EF間的距離為anm,且EF間的距離為體對(duì)角線的工，則邊長(zhǎng)為哈anm,晶胞質(zhì)量為

4V3

4義（7X2+32）￡，晶胞體積為（意X10〃）3cm3,根據(jù)p=f計(jì)算Li2s的密度。

【解答】解：A.由ZnS晶胞可知，S?-位于頂點(diǎn)和面心，離