4/5太陽能電池的量子效率是指太陽能電池的電荷載流子數目與照射在太陽能電池表面一定能量的光子數目的比率。因此，太陽能電池的量子效率與太陽能電池對照射在太陽能電池表面的各個波長的光的響應有關。外量子效率(ExternalQuantumEfficiency,EQE)，太陽能電池的電荷載流子數目與外部入射到太陽能電池表面的一定能量的光子數目之比。內量子效率(InternalQuantumEfficiency,IQE)，太陽能電池的電荷載流子數目與外部入射到太陽能電池表面的沒有被太陽能電池反射回去的，沒有透射過太陽能電池的，一定能量的光子數目之比。硅納米線太陽能電池基于硅納米線太陽能電池的金屬箔進行了闡述【foil-鋁箔】。此類設備的主要優點是討論，通過光的反射率，電壓，電流和外部量子效率數據一個單元的設計，采用薄非晶硅層上沉積形成的納米線陣列P-N結。一個有前途的1.6mA/cm2的電流密度為1.8平方厘米電池獲得，并廣闊的外部量子效率測定的最大值為12％，在690納米。“。2007年美國物理研究所。近年來，一直存在一個顯著的，復活在可再生能源系統的興趣。太陽能轉換特別感興趣，因為是豐富的源。今天的絕大多數鈥檚商業太陽能電池模塊是基于晶體硅，但有越來越多的薄膜的興趣，所謂的第二代太陽能電池，以及第三代高效率/低成本太陽能電池，一些需要使用的納米結構的概念。基于納米線凈重的太陽能電池是一種很有前途的階級由于幾個性能和光伏太陽能設備處理啟用的利益，包括直接路徑這樣的幾何形狀所帶來的電荷傳輸納米結構。【photovoltaic-光伏】納米線和納米棒，定義中的應用這里有寬高比5:1太陽能電池已試圖在幾個設備的配置和材料系統。納米線/棒功能的太陽能電池的最新展示已主要基于有機-無機混合材料或利用，如化合物半導體硒化鎘。黃長發等人。作為electronconducting利用的CdSe納米棒層孔導電聚合物基太陽能電池和生產效率AM1.5照射的1.7％。類似的結構已被證明為dye-sensitized使用二氧化鈦或氧化鋅納米線，與太陽能電池效率范圍從0.5％到1.5％.4,5這些結果，以及其他最近的研究表明，在納米結構太陽能電池中使用納米線增強電荷傳輸與其他非納米結構太陽能電池相比的好處，納米架構。在這里，我們目前全無機，大面積的太陽能電池概念基于硅納米線提供具有相同或更好的性能，具有與薄膜太陽能電池相似行列條理透明硅電池的潛力我們自己算了一筆賬，假設傳統的半導體物理學（沒有量子效應），和其他人，9表明，硅納米線為基礎的太陽能電池提供了一個15％-18％不等的順序上的效率權利納米線的規模和質量。【efficiencyentitlement-效率權利】。它有可能形成P–N路口在高密度的納米線表面的交界處，【ahighdensityarray-高密度陣列】，它已脫鉤吸收的好處允許橫向擴散，電荷傳輸的光少數載流子，其中大部分是PN結50鈥nm的距離，而不是很多微米的距離，在Si散裝太陽能電池。此外，我們已經表明，光硅納米線陣列的性能與那些有相同厚度的固體薄膜在整個光譜范圍光吸收顯著增加有明顯的不同。硅納米線，可以標準技術，如化學氣相沉積技術【chemicalvapordeposition(CVD)】合成，具有直接生長在低成本（例如，玻璃）和柔性金屬箔基板的可能性。最后，使用的CVD生長的納米線結構可能會產生與塊狀太陽能電池相比改善成本的電池，由于降低了材料消耗，（只有氣體用于制造活性物質），也可與透明塊狀硅比效率。圖1顯示的硅納米線太陽能電池設計的示意圖。圖1顯示典型的計劃視圖和橫截面硅凈重太陽能掃描電子顯微鏡細胞一個不銹鋼制作？SS？陪襯。盡管重點這項工作是對電池的不銹鋼基板上制造，我們有還編造了四凈重degenerately摻雜硅太陽能電池基板用鈦/鋁背接觸用于測試目的。設備制作開始先清潔的SS基板使用標準的溶劑，其次是濺射沉積100納米厚Ta2N的薄膜。作為一個Ta2N薄film11納米線陣列的電子背接觸以及納米線的生長過程中的擴散屏障。以下的沉積一個50-A-厚的金膜，催化化學氣相沉積用人汽液固？VLS的？增長mechanism12，13是用來生長p型Si納米線的直徑為109±30納米，長度？？16？M？帶硅烷，氫氣，鹽酸，在650trimethylboron14°C為30分鐘。奈米線陣列，然太陽能電池（光電材料）光譜響應測試，或稱量子效率QE（QuantumEfficiency）測試，或光電轉化效率IPCE(MonochromaticIn