ATC新能源動力系統技術周–蘇州12345G基站–通信電源充電樁–電源模塊數據中心–服務器電源特高壓–直流斷路器城際高鐵–牽引變流器新能源車–電機控制器光伏–逆變器風電–變流器激光雷達–開關電源國防軍工–全電推進寬禁帶半導體（WBG）–更為理想的半導體材料[W/cm.K]n與硅基半導體相比（SiCvs.Si）:–10x擊穿場強1/300Ron–3x禁帶寬度極低的本征載流子濃度，耐高壓、高溫能力–3x熱導率散熱能力提升、有助于提升功率密度–SiC、GaN為代表的寬禁帶半導體是實現高效率能量轉換、小型化、低系統成本的更佳選擇碳化硅功率半導體典型應用市場大批量應用熟大批量應用熟，小范圍應用年研發周期研發周期Ga2O3VerticalGaNSiC.GaNHEMTs●SiCSBDSidevices●成熟，逐漸成>10年DiamondnSi器件（IGBT）穩步增長；技術、市場出現大幅度變動概率不大；國內外差距在縮小，但想登頂非常困難nSiC&GaN器件逐漸成熟；市場接受度放量提升；國內外差距比硅器件要小，主要體現在上游材料n超寬禁帶器件（Ga2O3，AlN，Diamond）還處于早期探索階段，10年內很難導入實際應用SiC功率半導體發展時間線SiCSBD(IFX,Cree)SiCJFETSiCBJTSiCMOSFETSiCIGBTEVTractionInvert(TeslaModel3)200920002005200920002005●2001●2006●2007●2010●2014●2018mmJFETOtherMOSFETOtherMOSFETPlanarMOSFETTrenchMOSFETWolfspeed,STMicro,onsemi–PlanargateRohm,Infineon,Bosch–Trenchgate元建造SiC材料制造廠，新工廠于2022年實n2024年預計整體產能將達到n2019年在日本開工建設SiC晶圓廠，2021年投入使用，預計2021年產能n2025年產能達始每年投入數應商，2017年至2019年連續三年擴大SiC政策文件發布部門發布時間相關內容《重點新材料首批次應用示范指導目錄》工信部2019.12將GaN單晶襯底、功率器件用GaN外延片、SiC外延片、SiC單晶襯底等第三代半導體產品列入目錄《長江三角洲區域—體化發展規劃綱要》國務院2019.12明確要求加快培育布局第三代半導體產業，推動制造業高質量發展《“戰略性先進電子材料”重點專項2020年度項目》科技部2020.04支持功率碳化硅芯片和器件在移動儲能裝置中的應用(應用示范類）《基礎電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023年）》工信部2021.01加快電子元器件及配套材料和設備儀器等基礎電子產業發展，對推進信息技術產業基礎高級化、產業鏈現代化，乃至實現國民經濟高質量發展具有重要意義《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035遠景目標綱要》十三屆全國人大四次會議審議通過2021.03集中電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集中電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。國內碳化硅功率半導體產業化進展SubstrateEpitaxyPackagingApplication復旦大學上海積塔6吋SiC產業化代工生產線 // //gygyCategory2022JBSmmmrC***VFVFJFJR1VR7VRAn2020.12：完成1200V/70mΩSiCMOSFET工程批；通過n2021.06：完成1200V/60mΩSiCMOSFET工程批；比導通電阻4.0mΩ·cm2n2021.12：完成1200V/75mΩSiCMOSFET工程批；比導通電阻3.3mΩ·cm2n2022.04：工藝平臺通過車規級可靠性驗證；完成1200V/14mΩSiCMOSFT產品開發n2022.10：1200V/75mΩMOSFET通過AEC-Q101及HV-H3TRB可靠性驗證n2023Q2：Gen-IIMOSFET2.8mΩ·cm2@VGS=15VVGS(on)驅動電壓VRth(j-c)D持續工作電流A柵極電荷n國內首次公開報道能夠同時通過AEC-Q101車規最小導通電阻最小導通電阻FudanCompanyAUnitConditionBV25℃1590<1400VVgs=0V,Id=800μA1630<1400Vth25℃2.963.7xVVds=Vgs,Id=600mA2.0525℃2.352.3xmΩVgs=15V,Id=600A2.662.9xIGSS25℃0.092>0.2nAVgs=15V,Vds=0V0.043>0.3IDSS25℃0.683>7.0Vgs=0V,Vds=1200V4.0