情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是后來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特征。光伏效應：光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流 增加的光電導效應，這是半導體又一個特有的體的這四個效應，雖在1880年以前就先后被發現了，但半而總結出半導體的這四個特性一直到194再加上一伏特的電壓，發現流經接點的電流增加了！但若想得到足夠的功率放大，相鄰兩接觸點的距離要接近到千分之二英在塑膠角上貼上金箔，然后用刀片切開一電壓的稱為集極(collector)，塑膠下方接觸的鍺晶體就是基極(base)，構成早期制造出來的電晶體均屬1958年，快捷半導體公司(FairchildSemIConductor)發展出平面工藝技術(planartechnology)，藉著氧化、黃光微影、蝕刻、金屬蒸鍍等技巧，可以很容易地在硅晶片的同一面制作半導體元件。1960年，磊晶(epitaxy)技術也由貝爾實驗室發展出來了。至此，半導體工業獲得了可以批次(batch)生產的能力，終于站穩PS:磊晶(epitaxy)技術：是指一種用于半導體器件制造過程中，在原有晶片上長出新結晶，以制成新半(像中國古代的銅錢制作)積體電路就是把許多分立元件制作在同一個半導體晶片上所形成的電路，早在1952年，英國的杜默(GeoffreyW.A.Dummer)就提出積體電路1958年9月12日，德州儀器公司(Texas細心地切了一塊鍺作為電阻，再用一塊pn接面做為電容，制造出一個震蕩器的電路，并在1964年獲得專利，首度證明了可以在同一塊半導體晶片上能包含不同的元件。1964年，快捷半導體(FairchildSemIConductor)的諾宜斯(RobertNoyce，1927~1990)，則使用平面工藝方法，即藉著蒸鍍金屬、微影、蝕刻等方式，解決了積體電路中，不同元件間導線連結的問題。發出金氧半電晶體(metal-在1970年代，決定半導體工業發展方向的，有兩個最重要的因素，那就是半導體記憶體(semIConductormemory)與微處理在微處理機方面，1968年，諾宜斯和莫爾成立了英特爾(Intel)公司，不久，葛洛夫(AndrewGrove)也加入了，1969年，一個日本計算機公司比吉康(Busicom)和英特爾接觸，希望英特爾生產一系列計算機晶片，但當時任職于英特爾的霍夫(MacianE.Hoff)卻設計出一個單一可程式化晶片。4004誕生了，它包括一個四位元的平行加法器、十六個四位元的暫存器、一個儲存器(aCCumulator)與一個下推堆疊(push-downstack)，共計約二千三百個電晶體；4004與其他唯讀記憶體、移位暫存器與隨機存取記憶體，結合成MCS-4微電腦系統。從此之后，各種集積度更高、功能更強的微處理器開始快速發展，對電子業產生巨大影響。2017INTEL開始生產10nm但攻克7nm才是決勝的關鍵）；）；現在如今采用的光刻技術是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學