2015年質量改進重點項目

（方阻均勻性改善）技術中心2015-05-20課題介紹隨著漿料技術及網版技術的提高，柵線細化、副柵加密及多主柵是現有提升效率的技術方向。配合柵線加密需要將方阻提升（目標100），但現有工藝方式提升到90，邊緣方阻就會顯著升到140以上（要求130以內），導致電池片FF無提升，效率無提升。97.2185.1683.7488.2895.96101.281.5479.9182.4476.975.1273.2782.678.1990.1788.5268.8391.3480.7566.280.1776.9164.7879.2884.2665.7578.2692.4870.5894.15107.290.3982.4988.3183.7978.1385.63124.482.9396.0691.3298.77106.5109.7104.9上表為現場四探針方阻測試結果、邊緣方阻有較多超過100的點。產線方阻水平：刻蝕最大邊緣方阻UocIscRsRshFFNCELLIrev1Irev2共計/Pcs120-1300.62968.75431.881904.55779.54718.0181.36050.050818130-1500.62858.75401.884736.19179.39917.9521.58530.061617140-1600.62968.75301.996740.01479.28517.9561.40530.059417邊緣方阻對電性能的影響：小結：1、刻蝕邊緣方阻增大并未在串聯得到明顯體現但在FF上的差異有很好的體現；

2、邊緣方阻升高體現為PN結的不均勻性變差，PN結的不均勻性變差對FF的影響較大；

3、從結果來看，刻蝕邊緣方阻控制130以內是可以設定的范圍（僅針對590B漿料）；目標設定方阻均勻性改善（中心90，邊緣低于130）原因分析圖一德鑫刻蝕后方阻分布圖圖二尚德刻蝕后方阻分布圖從圖一、圖二可以看出，德鑫現有設備及工藝方案邊緣方阻存在的明顯偏大問題。原因分析WHY-1:德鑫現有擴散方式導致角及邊緣方阻大于中間方阻；原因分析WHY-2：現有刻蝕方案由于氣象腐蝕的影響，導致邊緣方阻提升大于中間方阻提升；入料去PSG刻蝕槽水洗酸洗水洗堿洗水洗酸洗水洗下料現有工藝方案存在的問題:硅片和溶液反應，產生大量酸性氣體，酸性氣體從邊緣溢出，跟片子擴散面反應。由于邊緣濃度較中間高，導致邊緣方阻提升明顯高于中心方阻；反應氣體從邊緣溢出總結：1、鏈式擴散由于邊緣效應，角及邊緣方阻顯著大于中間方阻；2、刻蝕由于氣象腐蝕的影響，同樣出現邊緣方阻提升超過中間區域；3、擴散及刻蝕的工藝共同疊加導致了現有刻蝕邊緣及四角方阻顯著高于中間。

制訂對策改善方案：引入水膜保護刻蝕工藝水膜原理：

為減少刻蝕槽氣象腐蝕對表面PN結的影響，在硅片表面鋪上一層水膜，阻止硅片和酸性氣體接觸，從而穩定方阻提升。入料水膜去PSG刻蝕槽水洗酸洗水洗堿洗水洗酸洗水洗下料制訂對策設備改造方案：在入料段增加水膜產生裝置水刀；在入料設備頂端增加水膜穩壓裝置；水刀前后阻水滾輪，控制水膜厚度；去PSG槽改造：用專業設計的PVDF帶液滾輪代替原有滾輪；現有噴灑改造浸泡；在進入刻蝕之前增加水膜厚度控制