HEDP羥基亞乙基二膦酸直接鍍銅工藝清潔生產推薦技術技術說明HEDP即羥基亞乙基二瞵酸，其分散能力好，加強工藝控制可直接在鋼鐵件上鍍覆，無需預鍍工序就可獲得結合力良好的細致半光亮鍍層。該鍍液成分簡單、操作維護方便，深鍍能力優于氰化工藝。缺點是允許陰極電流密度范圍較窄（小于1.5A/dm2），整平性能也不如氰化工藝。加入CuR-1型添加劑的鍍銅新工藝克服了原工藝允許電流密度范圍窄的缺點（可擴大至3A/dm2），并提高了整平性能。①工藝規范成分及工藝參數配方1配方2銅（g/L）8~12HEDP（g/L）80~13080~250碳酸鉀（g/L）40~60硫酸鉀（g/L）20~30硫酸銅（g/L）40~60CuR-1（ml/L）20~25pH值9~108.5~9.5溫度（℃）30~5020~40電流密度（A/dm2）1~3.00.5~1陰陽面積比（1~1.5）：1（0.8~2）：1陰極移動15~20次/min15~20次/min陽極材料壓延的電解銅板壓延的電解銅板②鍍液中各種成分的作用及影響銅鹽：銅鹽可用堿式碳酸銅或硫酸銅。鍍液中Cu2+的濃度與允許電流密度和分散能力有關，為了使允許電流密度、分散能力和沉積速度等性能均達到實用要求，銅含量控制在8~12g/L為宜。鍍液Cu2+的濃度過低時，光亮范圍縮小，允許電流密度下降，Cu2+的濃度過高時，則分散能力降低。HEDP：是鍍液中的Cu2+的主絡合劑，在鍍液所確定的工藝范圍內主要生成HEDP/Cu2+物質的量比值為2的絡陰離子，其組成和結構已經研究確定。為保證鍍液中HEDP與Cu2+充分絡合還必須有一定量的HEDP呈游離狀態。當鍍液中HEDP/Cu2+物質的量比值在（3~4）：1范圍內、pH值在9~10范圍內時，所獲得的銅鍍層與鋼鐵基體結合力好，外觀細致半光亮。如HEDP/Cu2+物質的量比值太低，鍍層光亮區范圍縮小，分散能力降低并且影響結合力，陽極也易鈍化。HEDP/Cu2+物質的量比值抬高，則鍍液陰極電流效率低，沉積速度慢，鍍液成本也相應提高。因此，鍍液中Cu2+含量在8~12g/L為宜，HEDP（100%）的濃度以80~130g/L為宜。碳酸鉀：碳酸鉀是導電鹽，能提高鍍液顛倒和分散能力，其含量一般在40~60g/L為宜，含量太高會縮小鍍層光亮區范圍。CuR-1添加劑：主要作用是擴大允許陰極電流密度，并提高整平性能。鍍液未加添加劑時最大允許陰極電流密度為1.5A/dm2，加入CuR-1添加劑后最大允許陰極電流密度能提高至3A/dm2.配槽時CuR-1添加量為20~25ml/L，補充添加量可根據允許電流密度變化，利用梯形槽實驗確定。③工藝條件的影響pH值：HEDP與生成的Cu2+絡離子狀態視鍍液的pH值而定，pH值應控制在9~10范圍為宜。pH值過低易產生置換鍍層而且分散能力變差，pH值過高，梯形槽試片光亮區范圍縮小，鍍層色澤變暗。鍍液pH值一般用氫氧化鉀和HEDP酸調節。溫度：鍍液溫度在30~50℃范圍內均能獲得結合力良好的銅鍍層，但鍍液溫度會影響鍍層外觀光澤性和分散能力。如溫度控制在45~50℃時鍍層的光澤性和分散能力要比30℃時的高，但若溫度過高（50℃以上），則能源消耗大，槽液揮發量大，因此鍍液溫度視具體情況而定，一般以不超過50℃為宜。陰極電流密度：根據實際實驗結果，上述基本鍍液配方在未加入CuR-1添加劑時允許電流密度范圍在1~1.5A/dm2。實際允許電流密度大小還決定于鍍液的溫度及是否有陰極移動。一般溫度為50℃、采用陰極移動（15~25次/min）時允許電流密度的上限可達1.5A/dm2，加入CuR-1添加劑的鍍液允許電流密度上限可達3A/dm2。陽極：陽極采用高純度的軋制銅板較好，為避免陽極泥污染鍍液，影響電鍍質量，陽極最好采用尼龍套包裹，鍍液中HEDP/Cu2+物質的量比值降低或陽極面積較陰極面積比例過小均易使陽極鈍化。一般陰極面積比例要求控制在1：（1~1.5），可根據電鍍實際情況進行調整。適用范圍（替代的落后技術）硫酸鹽光亮鍍銅溶液是在普通鍍液的成分中加入了適當的添加劑，改善了鍍液的分散能力，并能直接鍍取全光亮的鍍層，省去了繁重的機械拋光工序。主要環境、經濟指標酸性硫酸鹽鍍銅是一種裝飾性電鍍的中間鍍層，其鍍層光亮