半導體器件機械和氣候試驗方法國家市場監督管理總局國家標準化管理委員會I ——第27部分：靜電放電(ESD)敏感度測試機器模型( ⅡGB/T4937.23—2023/IEC6 Ⅲ——第26部分：靜電放電(ESD)敏感度測試人體模型(HBM)。目的在于規定可靠、可重復的——第27部分：靜電放電(ESD)敏感度測試機器模型(MM)。目的在于規定可靠、可重復的—第28部分：靜電放電(ESD)敏感度測試帶電器件模型(CDM)器件級。目的在于規定可 GB/T4937(所有部分)均為一一對應采用IEC60749(所有部分),以保證半導體器件試驗方法與國1本文件描述了隨時間的推移，偏置條件和溫度對固態器件影響的試驗方法。該試驗以加速壽命模2規范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文IEC60747(所有部分)半導體器件分立器件和集成電路(Semiconductordevices—Discretede-vicesandintegratedcirIEC60749-34半導體器件機械和氣候試驗方法第34部分：功率循環(Semiconductor符合器件規范或數據手冊中規定的器件工作時的最大電源電壓。23GB/T4937.23—2023/IEC6流水平的靜態工作模式。宜確定具體的偏置條件，使器件中最多數目的固態結處于偏置狀態。4GB/T4937.23—2023/IEC6超出96h的時間(t)h電測試之前附加應力時間h5與第2章中規范性引用的IEC60747(所有部分)有對應關系的國家標準見表NA.1。引用的國際標準與國際標準的對應關系1(所有部分)GB/T17573—1998半導體器件分立2GB/T4023—2015半導體器件分立器件和集成電路第3GB/T6351—1998半導體器件分立器(包括雪崩整流二極管)空白詳細規范4GB/T16894—1997大于100A,環境和管極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細規范5GB/T6571—1995半導體器件分立器件號(包括開關)和調整二極管6GB/T6588—2000半導體器件分立器件第極管和可控雪崩二極管空白詳細規范7GB/T6589—2002半導體器件分立器件第3-2部分：準二極管(不包括溫度補償精密基準二極管)空白詳細規范8GB/T20516—2006半導體器件分立器9GB/T21039.1—2007半導體器件分立器件第4-1部GB/T15651.2—2003半導體分立器件和集成GB/T15651.3—2003半導體分立器件和集GB/T15651.4—2017半導體器件分立器件第5-4部GB/T15291—2015半導體器件第6表NA.1與IEC60747(所有部分)有對應關系的國家標準(續)引用的國際標準與國際標準的對應關系(所有部分)GB/T6352—1998半導體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第一篇100A以下環境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細規范GB/T6590—1998半導體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第二篇100A以下環境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規范GB/T13151—2005半導體器件分立器閘管第三篇電流大于100A、環境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規范GB/T4587—1994半導體分立器件和集分：雙極型晶體管GB/T6217—1998半導體器件分立器件第管空白詳細規范GB/T7577—1996低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細規范GB/T6218—1996開關用雙極型晶體GB/T7576—1998半導體器件分立器件極型晶體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細規范GB/T4586—1994半導體器件分立器件效應晶體管GB/T6219—1998半導體器件分立器件第效應晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場效應晶體管空白詳細規范GB/T29332—2012半導體器件分立器緣柵雙極晶體管(IGBT)GB/T4589.1—2006半導體器件第10