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1碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiCMOSFETs）高溫高濕反偏試驗方法本文件描述了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiCMOSFETs）高溫高濕反偏試驗方法，包GB/T4586-1994半導體器件分立器件第8部分場效應GB/T4937.23-2023半導體器件機械和氣候試驗方法第23部分：高溫工作壽命T/CASAS002-2021寬禁帶半導體T/CASAS006-2020碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范GB/T4586-1994、T/CASAS006-2020、T3.1柵-源電壓gate-sourcevo3.2漏-源電壓drain-source3.3IGSS漏極-源極短路時，柵極-源極電壓VGS達到最大的條件下對應的最大值。3.4IDSS3.5柵-源閾值電壓gate-sourcethresholdvo3.6漏-源通態電阻drain-sourceon-statere在規定的柵極電壓、溫度且忽略內部耗散條件下的最3.73.8漏-源擊穿電壓breakdown3.9Ta3.10Tc3.11Ts3.12Tj3.13虛擬結溫virtualjunctiontemperature,通常來說，功率半導體的結溫是沒有辦法直接測量到的，但是可以通過電學性能間接測量（例如MOSFET通過體二極管的正向電壓測量）。因此，TvSiCMOSFET器件高于高溫高濕反偏試驗裝置應能夠提供合適的SiCMOSFET偏置電壓a)功率偏置單元（電源）。功率偏置單元（電3SiCMOSFET功率半導體分立功率器件或功率模塊結構的薄弱點。非氣密封裝的功率器件隨著時間薄弱點會受到不同程度的影響。污染物也可以通過濕度封裝工藝和材料的熱膨脹系數（CTE）也會對鈍化完整性產生重大影5.2測試b)最初測試：在測試開始之前，進行器件的電特性參數測試及記錄，包括但不限于IDSSf)冷卻：在去掉偏置前，處于高溫應力下的器件應冷卻至55℃或更低溫度。對于規g)最終測試：在測試完成之后，進行器件的電特性參數測試及記錄，值漏極-源極電壓VDS柵極-源極電壓VGSa如果不能保證在VGS=0V時完全關斷，則必須采用數據表中推薦的最小靜態VGS.min。IDSS等器件的電特性參數在初始值的基礎上，加上包括DUT在內的測量裝置的噪聲水平（在室溫a)樣品名稱及數量；b)加熱期間的試驗偏置條件；h)其他必要的項目。5A.1SiCMOSFET器件高壓高求偏置電壓VDS：偏置電壓VGS：…IDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSSIDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSS1□2□3□…□[3]T/CASAS006-2020碳化硅金屬氧化物[11]

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