宇航用半導體分立器件通用規范2023-11-27發布2024-03-01實施國家標準化管理委員會I V 12規范性引用文件 13術語和定義 24技術要求 34.1總體要求 34.2質量保證等級 34.3設計 34.4材料 34.5標識 34.6生產過程 64.7外協加工和外購芯片 74.8基本要求 85試驗方法 5.1內部目檢 5.2外觀及尺寸檢查 5.3參數性能 5.4高溫壽命 5.5溫度循環 5.6二極管耐久性試驗 5.7晶體管耐久性試驗 5.8引線鍵合強度 5.9掃描電子顯微鏡檢查(SEM) 5.10浪涌 5.11熱響應 5.12恒定加速度 5.13粒子碰撞噪聲檢測試驗 5.14細檢漏 5.15粗檢漏 5.16晶體管高溫反偏 5.17功率FET高溫反偏 5.18二極管高溫反偏 5.19X射線照相 Ⅱ5.20超聲掃描 5.21可焊性 5.22耐溶劑 5.23熱沖擊(液體—液體) 5.24間歇工作壽命 5.25二極管熱阻 5.26雙極型晶體管熱阻 5.27功率FET熱阻 5.28閘流晶體管熱阻 5.30GaAsFET熱阻 5.31重量 5.32耐濕 5.33沖擊 5.34掃頻振動 5.35鹽氣(侵蝕) 5.36內部氣氛含量 5.37高壓蒸煮 5.38穩態總劑量輻射 5.39單粒子效應 5.40破壞性物理分析(DPA) 5.41低氣壓(只適用于額定電壓大于200V的器件) 5.42靜電放電敏感度(ESDS) 5.43耐焊接熱 5.44預處理 5.45回流焊模擬 5.46引出端強度 5.47強加速穩態濕熱 6檢驗規則 6.1通則 6.2檢驗分類 6.3試驗和檢驗的環境條件 6.4檢驗批 6.5篩選 6.6鑒定檢驗 6.7質量一致性檢驗 6.8用戶方監制 ⅢGB/T43366—20236.9用戶方驗收 7.1包裝和標識 27 附錄A(規范性)材料要求 A.1總體要求 A.2封裝材料 A.3器件的鍍涂 附錄B(資料性)用戶方監制 B.1監制方式 B.2監制內容 B.3監制 附錄C(資料性)用戶方驗收 C.1總則 C.2驗收工作內容 C.3質量文件審查 C.4驗收試驗 C.5驗收的結果和處理 V本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規則》的規定起草。請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別專利的責任。本文件由全國宇航技術及其應用標準化技術委員會(SAC/TC425)提出并歸口。本文件起草單位：中國運載火箭技術研究院、中國空間技術研究院、西安電子科技大學、濟南市半導體元件實驗所、北京中科新微特科技開發股份有限公司、國營第八七三廠、深圳吉華微特電子有限公司、朝陽微電子科技股份有限公司。1宇航用半導體分立器件通用規范2規范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于GB/T4023—2015半導體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管GB/T4586—1994半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管GB/T4587—1994半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導體分立器件第10部分：分立器件和集成電路總規范GB/T4937.2—2006半導體器件機械和氣候試驗方法第2部分：低氣壓GB/T4937.3—2012半導體器件機械和氣候試驗方法第3部分：外部目檢GB/T4937.4—2012半導體器件機械和氣候試驗方法第4部分：強加速穩態濕熱試驗GB/T4937.11—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第11部分：快速溫度變化雙液槽法GB/T4937.12—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第12部分：掃頻振動GB/T4937.13—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第13部分：鹽霧GB/T4937.14—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第14部分：引出端強度(引線牢固GB/T4937.15—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第15部分：通孔安裝器件的耐焊接熱GB/T4937.18—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第18部分：電離輻照(總劑量)GB/T4937.19—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第19部分：芯片剪切強度GB/T4937.20—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第20部分：塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響GB/T4937.21—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第21部分：可焊性GB/T4937.22—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第22部分：鍵合強度GB/T4937.30—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第30部分：非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理GB/T15291—2015半導體器件第6部分：晶閘管GB/T19403.1—2003半導體器件集成電路第11部分：第1篇：半導體集成電路內部目檢2(不包括混合電路)GB/T20516—2006半導體器件分立器件第4部分：微波器件GB/T29332—2012半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)QJ10005—2008宇航用半導體器件重離子單粒子效應試驗指南IEC60749-6:2017半導體器件機械和氣候試驗方法第6部分：高溫貯存(Semiconductorde-vices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)IEC60749-7:2011半導體器件機械和氣候試驗方法第7部分：內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part7:Internalmoisturecontentmeasurementandtheanalysisofotherresidualgases)IEC60749-8:2002半導體器件機械和氣候試驗方法第'8部分：密封(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)IEC60749-9:2017半導體器件機械和氣候試驗方法第9部分：標志耐久性(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)IEC60749-10:2022半導體器件機械和氣候試驗方法第10部分：機械沖擊(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part10:Mechanicalshock—deviceandsubassembly)IEC60749-16:2003半導體器件機械和氣候試驗方法第16部分：粒子碰撞噪聲檢測(PIND)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part16:Particleimpactnoisedetection(PIND)]IEC60749-25:2003半導體器件機械和氣候試驗方法第25部分：溫度循環(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part25:Temperaturecycling)IEC60749-26:2018半導體器件機械和氣候試驗方法第26部分：靜電放電(ESDS)敏感度試驗人體模型(HBM)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part26:Elec-trostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—Humanbodymodel(HBM)]IEC60749-33:2022半導體器件機械和氣候試驗方法第33部分：加速耐濕無偏壓高壓蒸煮(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part33:Acceleratedmoisturere-sistance—Unbiasedautoclave)IEC60749-34:2010半導體器件機械和氣候試驗方法第34部分：功率循環(Semiconductorde-vices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part34:Powercycling)IEC60749-35:2006半導體器件機械和氣候試驗方法第35部分：塑封電子元器件的聲學掃描(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part35:Acousticmicroscopyforplasticencapsulatedelectroniccomponents)部分：恒定加速度(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceleration,steadystate)IEC60749-42:2014半導體器件機械和氣候試驗方法第42部分：溫度和濕度貯存(Semicon-ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part42:Temperatureandhumiditystorage)3術語和定義本文件沒有需要界定的術語和定義。34技術要求4.1總體要求器件設計、結構應能承受正常使用過程的電、熱等應力。在預定應用環境下，器件不應受環境影響產生超過允許范圍的電氣性能劣化。4.2質量保證等級級器件應符合第4章規定的技術要求，第6章規定的檢驗要求和第器件設計基本要求如下。a)應建立設計規范。設計規范應規定與設計相關的工藝和材料，包括應用環境與受影響材料或(和)工藝之間的相互作用。應記錄與本文件不一致的任何設計要求。b)應建立熱特性、機械特性和電氣性能最惡劣情況下的設計模型和程序。c)適用時，應規定對設計規則、電氣規則、可靠性規則和熱設計規則的檢查程序。d)應制定封裝外殼性能驗證程序。為保證新研制器件的設計滿足要求，應進行以下設計驗證。a)模型驗證：提供證據證明設計過程中用到的模型起到預期的作用，能夠精確覆蓋最嚴酷的溫度條件和最惡劣的電學條件，模型包括半導體工藝、裝配和封裝等。b)版圖驗證，人工或自動化布圖過程中，進行設計、電氣和可靠性規則的檢查，規則檢查至少包括：1)設計規則檢查(DRC):幾何學和物理學檢查；2)電氣規則檢查(ERC):短路、開路、連通性檢查；4)輻射加固保證(RHA)規則檢查(有要求時)。c)性能驗證：驗證器件性能覆蓋溫度、電壓及電流的極限范圍(該范圍由設計仿真確定)。所有臨界于幾何和電氣設計規則最低要求的情況應重點關注。電應力試驗在最嚴苛條件下進行。當器件出現失效時，通過失效分析確定失效機理，并對發現的問題采取糾正措施。器件的材料應符合附錄A的規定。每只已封裝的器件上均應有下列標識，且標識應清晰可讀。如果器件上沒有足夠的區域打上所有4適用的標識，可對標識進行簡化，簡化優先級按下列順序。簡化后的標識應在訂貨文件中規定。a)極性標識(適用時);b)器件標識符(見4.5.2);c)承制方的名稱、商標或標識(見4.5.3);d)批識別代碼(見4.5.4);e)序列號(適用時)(見4.5.5);f)特殊標識(見4.5.6);g)靜電放電敏感度標識(見4.5.7)。示例：XX—XXXXXQ質量保證等級標識抗輻射能力—抗單粒子效應器件型號自產芯片時留空根據器件的質量保證等級，在器件封裝上打印質量保證等級標識，規定如下：a)質量保證等級為A級的器件，標識為A;b)質量保證等級為B級的器件，標識為B;c)質量保證等級為C級的器件，標識為C?？馆椛淠芰Φ燃壍囊幎ㄒ姳?。表1抗輻射能力等級對照抗輻射能力等級抗電離總劑量輻射能力Gy(Si)MDP3×102L5×102RF3×103G5×103H注：當無抗輻射能力時，該標識位為空。54.5.2.4抗單粒子效應能力等級抗單粒子效應能力等級的規定見表2。表2抗單粒子能力等級對照抗單粒子效應能力等級單粒子效應閾值MeV·cm2/mgIⅡⅢ注：當無抗單粒子效應能力時，該標識位為空。4.5.3承制方名稱或商標器件上應標出承制方名稱、商標或標識。4.5.4批識別代碼器件至少應標出能夠識別最后密封周的識別代碼。識別代碼中，前兩位數字為年份的最后兩位數，第三位和第四位數字表示該年的周數；當周數是一位數字時，第三位數字為零。對A級、B級器件，每個器件應有唯一的連續給定的序列號。如器件的封裝含有氧化鈹，則該器件應標有“BeO”標識。ESDS等級見表3。表3靜電放電敏感度等級對照能承受的靜電電壓V1B級1C級6表3靜電放電敏感度等級對照(續)ESDS等級能承受的靜電電壓V△△△A3B級△△△B不敏感無標識>15999除非另有規定，在由分級試驗確定出器件ESDS等級之前，承制方可對未經分級試驗的器件使用4.6生產過程A級、B級器件采取器件過程確認的生產過程控制方法，具體要求見4.6.2;C級器件采用工藝首件控制及過程中控制的生產過程控制方法，具體要求見4.6.3,并制定一致性控制基線，保證工藝狀態的一A級、B級器件生產控制應符合器件過程確認要求，建立器件過程確認文件，對器件的生產過程控制提出具體要求。過程識別文件應至少包括以下內容。a)生產流程。b)統計過程控制實施規則。c)生產流程中每項試驗的依據說明。d)器件結構(應附結構圖或照片)。e)試驗程序和方法。f)關鍵工序和特殊工序。g)關鍵原材料控制方法：應對原材料生產廠的生產資質進行確認；原材料至少包括管殼、晶圓、粘接材料、鍵合絲等；應制定外購原材料入廠檢驗文件，文件中應說明檢驗的方式、抽樣與檢驗的程序，接收、拒收的判據以及試驗實施的周期。h)承制方組織結構。4.6.3工藝首件控制及過程中控制對于C級器件，除非另有規定，原則上執行工藝首件控制及過程中控制要求，并形成工藝過程控制報告。生產過程中，器件的每一批次以及生產人員的每一班次中均應對關鍵工藝或特殊工藝進行檢查，應當制定過程中控制要求，控制要求應包括證明有效的檢驗試驗和抽樣方案。4.6.4一致性控制基線對于C級器件，承制方應建立一致性控制基線，確保每一供貨批器件與鑒定器件在原材料、芯片、工藝參數等方面的一致性。74.7外協加工和外購芯片器件的生產和質量保證過程應在器件承制方完成。如果某些項目需要外協，器件承制方應建立合格外協單位管理制度，對外協單位的資質進行審查，形成合格外協單位清單。承制方采用外協加工或外購的國產芯片時，遵循以下要求：a)外購或外協加工芯片應按照4.7.3的規定進行芯片評價；b)A級器件允許采用外購國產芯片或國內流片的外協加工芯片，應有充分的數據或資料說明芯片的可靠性，并提供芯片鑒定報告。4.7.2芯片生產相關信息承制方應至少掌握芯片生產的以下方面信息：a)芯片代工廠的質量和可靠性歷史；b)芯片代工廠與器件承制方的合作情況；c)芯片代工廠生產線狀況；d)承制方以往外協加工芯片的質量信息。4.7.3外購或外協加工芯片評價要求外購或外協加工芯片應按照表4的要求對每個晶圓批進行評價。表4外購或外協加工芯片評價要求分組質量保證等級試驗項目試驗方法及技術要求樣本大小(接收數)或抽樣要求A級B、C級1√√芯片版圖符合性檢查“5.1及4.8.1√√芯片尺寸測量(長度、寬度、厚度)'5.2及4.8.22√√電參數測試5.3及4.8.33√√內部目檢5.1及4.8.14°√√高溫壽命5.4及4.8.4√√溫度循環5.5及4.8.5√√中間電參數測試5.3及4.8.3√—耐久性試驗5.6、5.7及4.8.6、4.8.7√——最終電參數測試5.3及4.8.35√√引線鍵合強度評價d5.8及4.8.815線(0)6√掃描電子顯微鏡檢查(SEM)5.9及4.8.9每個晶片隨機抽取1只”表示需要開展該試驗項目；“—”表示無需開展該試驗項目。檢查芯片版圖結構是否符合預定要求，首次評價時，器件承制方應提供芯片設計版圖結構。按每晶片批抽樣，樣品盡量分布在每個晶片。b檢查芯片尺寸是否符合要求。按每晶片批抽樣，樣品盡量分布在每個晶片。芯片封裝后進行。采用耐久性試驗后樣品進行本項試驗。84.8基本要求按5.1的規定進行試驗，內部材料、結構應符合設計要求，工藝質量應符合試驗方法規定的通過判據。4.8.2外觀及尺寸符合性按5.2的規定進行試驗，外觀質量應符合試驗方法規定的通過判據，尺寸應符合設計要求。按5.3的規定進行試驗，測試結果和參數變化量(△)(有要求時)應滿足訂貨文件要求，變化量不應出現6.5.4.1.2規定的參數漂移失效。按5.4的規定進行試驗，試驗后電測試應滿足訂貨文件要求。按5.5的規定進行試驗，試驗后電測試應滿足訂貨文件要求。4.8.6二極管耐久性試驗按5.6的規定進行試驗，試驗后電測試應滿足訂貨文件要求。除非另有規定，在篩選中只有當不合格品率不超過規定允許的不合格率的2倍或20%(取較大者)時，才可將該批次再次提交檢驗，并且只準重新提交一次。重新提交的各批器件只包含原來批次中的器件。重新提交的批次應與新的批次分開，并采用PDA為3%的加嚴檢驗。若該批次的不合格率超過加嚴檢驗的允許的合格率，整個重新提交的批次不應按任一質量保證等級接收。4.8.7晶體管耐久性試驗按5.7的規定進行試驗，試驗后電測試應滿足訂貨文件要求。4.8.8引線鍵合強度按5.8的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。4.8.9掃描電子顯微鏡檢查(SEM)按5.9的規定進行試驗，要求如下：a)應檢查氧化層臺階邊上所有的金屬化層，金屬化層變薄、缺陷(空洞、剝離、凹槽或裂紋)不應導致金屬條橫截面的面積小于50%;b)氧化層以外的所有區域上的金屬層不應出現任何張開或翹起(未附著),任何缺陷不應使金屬化條的橫截面積小于50%。按5.10的規定進行試驗，試驗后電測試應滿足訂貨文件要求。9按5.11的規定進行試驗，測試結果應符合訂貨文件的要求。4.8.12恒定加速度按5.12的規定進行試驗，試驗后電測試應符合訂貨文件要求。本試驗不適用于實體封裝器件及灌封器件。4.8.13粒子碰撞噪聲檢測試驗按5.13的規定進行試驗，對于除背景噪聲之外的任何噪聲爆發均應拒收。按5.14的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。該項試驗不適用于實體封裝器件及非密封器件。按5.15的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。該項試驗不適用于實體封裝器件及非密封器件。按5.16規定進行試驗，試驗后電測試應符合訂貨文件要求。4.8.17功率場效應晶體管(FET)高溫反偏按5.17的規定進行試驗，試驗后電測試應符合訂貨文件要求。4.8.18二極管高溫反偏按5.18的規定進行試驗，試驗后電測試應符合訂貨文件要求。按5.19的規定進行試驗，要求如下：a)X射線照相檢驗所揭示的特征應符合設計要求；b)接觸區的空洞總面積不應超過接觸面積的1/2;功率器件接觸區的空洞總面積不應超過接觸面積的15%;c)單個空洞不應橫貫半導體芯片的長度、寬度，且單個空洞不應超過整個預定接觸面積的10%;d)各元件及管殼之間不應互相接觸；e)對于密封器件，密封環的寬度不應小于設計值的25%。按5.20的規定進行試驗，要求如下：a)芯片表面不應存在分層；b)任何內引線鍵合區域(包括向下鍵合區域)或引線框架上不應存在分層；c)用于隔離金屬結構的聚合物薄膜表面的分層變化不應大于10%(使用穿透式超聲波掃描顯微鏡予以驗證);d)下列芯片粘接區域的分層/裂紋不應大于50%:1)芯片熱沉等用于導熱的封裝結構；2)芯片背面需要電氣連接的封裝結構；e)器件表面引出部件(包括引出端、連接筋、散熱片等)的連接界面不應存在分離。注：分層變化是指相關試驗前后分層的差異。分層比例或變化是按照評估的總面積來計算(在初次測量時發現芯片表面、任意內引線鍵合區以及整個封裝體內任何可測量的裂紋，則直接判定器件失效)。按5.21的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。按5.22的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。本技術要求不適用于激光標識器件。4.8.23熱沖擊(液體-液體)按5.23的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。按5.24的規定進行試驗，試驗結束后器件電參數測試應滿足訂貨文件的規定。按5.25的規定進行試驗，二極管熱阻應滿足訂貨文件的規定。4.8.26雙極型晶體管熱阻按5.26的規定進行試驗，雙極型晶體管熱阻應滿足訂貨文件的規定。按5.27的規定進行試驗，功率FET熱阻應滿足訂貨文件的規定。4.8.28閘流晶體管熱阻按5.28的規定進行試驗，閘流晶體管熱阻應滿足訂貨文件的規定。按5.29的規定進行試驗，IGBT熱阻應滿足訂貨文件的規定。按5.30的規定進行試驗，GaAsFET熱阻應滿足訂貨文件的規定。按5.31的規定進行試驗，應符合訂貨文件要求。按5.32的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。按照5.33的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。對冶金鍵合雙插頭封裝和螺栓封裝的器件不要求。按照5.34的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。4.8.35鹽氣(侵蝕)按照5.35的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。按照5.36的規定進行試驗，溫度為100℃時，水汽含量應不超過5000×10-?;當采用軟焊料作為芯片焊接材料時，氧氣含量不應超過2000×10-6。按照5.37的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。4.8.38穩態總劑量輻射按照5.38的規定進行試驗，結果應符合訂貨文件規定的輻射保證等級要求。按照5.39的規定進行試驗，結果應符合訂貨文件規定的輻射保證等級要求。4.8.40破壞性物理分析(DPA)按照5.40的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。按照5.41的規定進行試驗(只適用于額定電壓大于200V的器件),應符合試驗方法規定的通過判據。按照5.42的規定進行試驗，應符合訂貨文件規定的靜電放電敏感度等級。按照5.43的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。按照5.44的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的要求。4.8.45回流焊模擬按照5.45的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的要求。4.8.46引出端強度按照5.46的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。4.8.47強加速穩態濕熱按照5.47的規定進行試驗，應符合試驗方法規定的通過判據。5試驗方法5.1內部目檢”內部目檢按GB/T19403.1—2003進行試驗。外觀質量按GB/T4937.3—2012進行試驗。尺寸檢查應選擇測量精度足夠的測試設備，對相關尺寸進行測試。5.3參數性能GB/T15291—2015、GB/T20516—2006、GB/T相關訂貨文件計算參數變化量(△)。4023—2015、GB/T4587—1994、GB/T4586—1994、29332—2012進行。耐久性試驗后的參數測試應按照5.4高溫壽命高溫壽命按IEC60749-6:2017進行試驗。在最高貯存溫度下，外購芯片評價采用340h,篩選采用96h,A級、B級器件的B組檢驗采用1000h。5.5溫度循環溫度循環按IEC60749-25:2003進行試驗。溫度取一55℃~175℃或最大貯存溫度范圍，若沖突則取小者。外購芯片評價25次循環，篩選20次循環，A級、B級器件的B組、C組檢驗25次循環，A級、B級器件的E1分組500次循環；C級器件的E1分組500次循環。二極管耐久性試驗按GB/T4023—2015中的7.4進行試驗。二極管采用阻性負載試驗條件，在最高結溫下，外購芯片評價及篩選中A級240h、B級160h、C級器件48h;A級、B級器件的B組檢驗340h;A級、B級、C級器件的C組檢驗1000h;A級、B級器件的E組檢驗1000h,C級器件的E組檢驗200h。5.7晶體管耐久性試驗晶體管耐久性試驗按GB/T4587—1994中第V章進行試驗。晶體管可采用工作壽命試驗條件或高溫反偏試驗條件(僅對功率FET及IGBT)。當采用高溫反偏試驗條件時，在最高貯存溫度下，至少為功率FET額定值(Vps)或IGBT額定值(Vce)的80%。在最高結溫下，外購芯片評價及篩選中A級240h、B級160h、C級器件48h;A級、B級器件的B組檢驗340h;A級、B級、C級器件的C組檢驗1000h;A級、B級器件的E組檢驗1000h,C級器件的E組檢驗200h。5.8引線鍵合強度引線鍵合強度按GB/T4937.22—2018進行試驗。5.9掃描電子顯微鏡檢查(SEM)本試驗通過掃描電子顯微鏡對器件的金屬化層、氧化層臺階部位的缺陷進行檢查，掃描電子顯微鏡的最高分辨率至少應為10nm,最大放大倍數可達到20000倍。調整掃描電子顯微鏡獲取金屬化層、氧化層臺階的清晰形貌后，對形貌進行檢查。5.10浪涌浪涌按GB/T4023—2015中7.3進行試驗。在額定值下，試驗次數為2次。5.11熱響應熱響應根據產品類型按GB/T4587—1994第IV章、GB/T4023—2015中7.2、GB/T15291—2015、GB/T4586—1994、GB/T20516—2006及GB/T29332—2012進行試驗。5.12恒定加速度恒定加速度按IEC60749-36:2003進行試驗。在Y1方向，加速度至少為196000m/s2;對于殼溫(Tc)=25℃時功率額定值不小于10W的器件，加速度至少為98000m/s2;對帶內匹配的微波器件加速度至少為9800m/s2。保持時間為1min。加速度逐漸增加到規定值的時間不少于20s;加速度逐漸減小到零的時間不少于20s。5.13粒子碰撞噪聲檢測試驗粒子碰撞噪聲檢測試驗按IEC60749-16:2003進行試驗。5.14細檢漏細檢漏按IEC60749-8:2002進行試驗。5.15粗檢漏粗檢漏按IEC60749-8:2002進行試驗。5.16晶體管高溫反偏晶體管高溫反偏按GB/T4587—1994中的第IN章進行試驗。反偏電壓應至少為雙極型晶體管額定值(Vcg)的80%,環境溫度(TA)=150℃,篩選48h,A級、B級器件的B6分組340h,C級器件的El分組200h。5.17功率FET高溫反偏功率FET高溫反偏按GB/T4586—1994進行試驗。反偏電壓應至少為額定值的80%,TA=150℃,篩選48h,A級、B級器件的B6分組340h,C級器件的E1分組200h。5.18二極管高溫反偏二極管高溫反偏按GB/T4023—2015中7.4進行試驗。TA=150℃(除非另有規定，肖特基二極管TA=125℃),反向偏置電壓為VRwM的95%～100%,篩選48h,A級、B級器件的B6分組340h,C級器件的E1分組200h。5.19X射線照相本試驗通過X射線設備對管帽與殼體密封工藝引起的缺陷進行檢查。通過調整或選擇X射線曝光系數、電壓、電流大小和時間長短等，使缺陷特征圖像達到最佳的清晰5.20超聲掃描超聲掃描按IEC60749-35:2006進行試驗。5.21可焊性可焊性按GB/T4937.21—2018進行試驗。5.22耐溶劑耐溶劑按IEC60749-9:2017進行試驗。5.23熱沖擊(液體—液體)熱沖擊(液體—液體)按GB/T4937.11—2018進行試驗，溫度范圍為一55℃~125℃,A級、B級器件的B組檢驗10次循環，C組檢驗25次循環、E組檢驗100次循環。5.24間歇工作壽命間歇工作壽命按IEC60749-34:2010進行試驗，B組至少2000次，C組、E組至少6000次。5.25二極管熱阻二極管熱阻按GB/T4023—2015中的第7章進行試驗。5.26雙極型晶體管熱阻雙極型晶體管熱阻按GB/T4587—1994中的第IV章進行試驗。5.27功率FET熱阻功率FET熱阻按GB/T4586—1994進行試驗。5.28閘流晶體管熱阻閘流晶體管熱阻按GB/T15291—2015進行試驗。IGBT熱阻按GB/T29332—2012進行試驗。GaAsFET熱阻按GB/T20516—2006第VⅡ篇進行試驗。5.31重量重量采用精度合適的天平或其他稱重工具稱重進行試驗。耐濕按IEC60749-42:2014進行試驗。沖擊按IEC60749-10:2022進行試驗。器件不工作，在X1、Y1和Z1的每個方向各沖擊5次(軸向玻璃封裝二極管僅在Y1方向上沖擊),14700m/s2,0.5ms。5.34掃頻振動掃頻振動按GB/T4937.12—2018進行試驗。在X1、Y1和Z1的每個方向各進行4次。5.35鹽氣(侵蝕)鹽氣(侵蝕)按GB/T4937.13—2018進行試驗。5.36內部氣氛含量內部氣氛含量按IEC60749-7:2011進行試驗。高壓蒸煮按IEC60749-33:2022進行試驗，溫度為121℃,時間為96h,2個標準氣壓。5.38穩態總劑量輻射穩態總劑量輻射按GB/T4937.18—2018進行試驗。5.39單粒子效應單粒子效應按QJ10005—2008進行試驗。5.40破壞性物理分析(DPA)破壞性物理分析(DPA)應按照器件具體封裝、類型和宇航任務要求制定DPA方案，方案至少應包括樣品的基本結構信息、檢驗項目、試驗方法和程序、缺陷判據，一般每檢驗批抽樣3只～5只。DPA的檢驗項目至少應包含以下項目：——外部目檢，按照5.2的規定進行；——X射線檢查，按照5.19的規定進行；——PIND(適用于密封空腔結構),按照5.13的規定進行；——密封(適用于密封空腔結構),按照5.14、5.15的規定進行；——內部氣氛含量(適用于密封空腔結構),按照5.36的規定進行；——內部目檢，按照5.1的規定進行；——鍵合強度，按照5.8的規定進行；——掃描電子顯微鏡檢查，按照5.9的規定進行；——剪切強度，按照GB/T4937.19—2018的規定進行。5.41低氣壓(只適用于額定電壓大于200V的器件)低氣壓按GB/T4937.2—2006進行試驗。5.42靜電放電敏感度(ESDS)靜電放電敏感度(ESDS)按IEC60749-26:2018進行試驗。耐焊接熱按GB/T4937.15—2018進行試驗。5.44預處理預處理按GB/T4937.30—2018進行試驗。5.45回流焊模擬回流焊模擬按GB/T4937.20—2018進行試驗。引出端強度按GB/T4937.14—2018進行試驗。5.47強加速穩態濕熱強加速穩態濕熱按GB/T4937.4—20126檢驗規則6.1通則進行試驗，試驗溫度130℃,濕度85%RH,時間96h。對器件的質量保證應按GB/T4589.1—2006中的第3章以及本文件的要求實施。除非另有規定，承受了破壞性試驗的器件不能作為合格品交付使用，承受了非破壞性試驗的器件通過驗收可作為合格品交付使用。6.2檢驗分類檢驗分類如下：b)鑒定檢驗；c)質量一致性檢驗；d)用戶方監制(適用時);e)用戶方驗收(適用時)。6.3試驗和檢驗的環境條件除非另有規定，試驗和檢驗的環境條件要求如下：a)電測量環境溫度：25℃±3℃;b)其他試驗環境溫度：25℃±10℃;c)環境相對濕度：20%～80%;承制方一次提交進行鑒定檢驗或質量一致性檢驗的全部器件構成一個器件檢驗批。每個檢驗批的器件由同一封裝形式和引線鍍涂工藝制造的來自同一晶圓批的同一種型號的器件組成。所有的器件均應在不超過31天內在同一生產線上采用從芯片燒結到最后密封都相同的工藝制造。對每個檢驗子批均應能識別，以保持從晶圓批到檢驗批中對各子批的可追溯性。承制方一次提交進行鑒定檢驗或質量一致性檢驗的全部器件構成一個器件檢驗批。每個檢驗批的器件由同一種型號的器件組成，或由采用同一種封裝形式和引線鍍涂工藝的結構相似的(器件)子批組成。所有的器件均應在同一生產線上采用從芯片燒結到最后密封都相同的工藝制造。其封裝應在不超過6周的同一期間內完成。封裝批的識別應從封裝批的構成開始，一直保持到被接收為止，并應能追溯到形成該檢驗批的生產批。對外購芯片，檢驗批由一個晶圓批組成。6.5篩選級器件應根據器件類型和規定的質量保證等級，100%按表5規定的試驗順序和所允許的不合格品率(PDA)經受并通過所有適用的篩選試驗。批的數據記錄應標明器件的失效點和實際的不合格品率(適用時)。在交貨前，應將所有失效器件從批中剔除，且不應再次提交篩選。承制方應建立一套處理篩除的失效品的程序。必要時應對篩出的失效品進行評價，以確定失效的根本原因，并提供持續改進器件質量的方法。6.5.2允許的不合格品率(PDA)相關訂貨文件中應規定用于PDA計算所選定的電參數，應對這些參數在耐久性試驗前后的數值變化(△)進行比較，以確定該批器件是否出現了穩定性問題。序號試驗項目試驗方法及技術要求ABC1內部目檢5.1及4.8.12高溫壽命5.4及4.8.43溫度循環(空氣一空氣)5.5及4.8.5浪涌5.10及4.8.10熱響應5.11及4.8.114恒定加速度5.12及4.8.12 一表5篩選(續)序號試驗項目試驗方法及技術要求ABC5粒子碰撞噪聲檢測試驗5.13及4.8.136密封細檢漏5.14及4.8.14選做粗檢漏5.15及4.8.157中間測試電參數5.3及4.8.3100%(讀取并記錄數據)8高溫反偏(HTRB)晶體管5.16及4.8.165.17及4.8.17二極管5.18及4.8.189中間電測試(要求計算PDA和△變化5.3及4.8.3100%(測試所有要求的電參數；在去掉24h內測試漏電流；記錄有△變化量要求的電參數)耐久性試驗二極管5.6及4.8.6少240h100%至少160h晶體管5.7及4.8.7老煉后測試(要求計算PDA和△變化5.3及4.8.3A2分組，讀取并記錄電測試參數和△變化量A2分組，不要求變化量終點測試5.3及4.8.3用戶要求時，A3分組密封細檢漏5.14及4.8.14—粗檢漏5.15及4.8.15—X射線照相5.19及4.8.19選做——外部目檢5.2及4.8.2超聲掃描5.20及4.8.20用戶要求時6.5.3篩選的方法和程序除非另有規定，承制方按照表5規定的項目、試驗方法和要求對器件進行篩選。在環境和機械試驗過程中發生的物理結構失效，例如粒子碰撞噪聲檢測試驗、密封性、外部目檢等。若老煉后器件的參數變化大于電參數的允許變化范圍(△),則視為發生參數漂移失效。若器件的一個或多個參數超出訂貨文件規定的室溫、高溫或低溫電參數測試極限，則視為發生參數超差失效。當測量出現測量值超過訂貨文件規定極限值的2個數量級時，為參數嚴重超差失效。器件喪失規定的功能，視為發生功能失效。出現6.5.4.1所描述的一種或多種失效的器件應視為失效器件，對失效器件應嚴格隔離。篩選過程中發現功能失效或參數嚴重超差的器件時，應進行失效分析；如失效分析結論認為該批次器件具有批次性問題，則整批器件不應提交驗收。對老煉試驗后失效的器件，應提交試驗數據。有條件時(如未進行后續破壞性試驗),用戶方有權進行復測檢查。一旦批失效發生，承制方應按6.5.4.2進行處理。批失效包括：a)篩選過程發生6.5.4.1.2、6.5.4.1.3和6.5.4.1.4失效數量的比例超過規定的PDA;b)出現6.5.4.1.1所描述的失效具有批次性。提交鑒定的器件應當通過篩選試驗。當某一器件按給定的質量等級鑒定合格，并滿足其他質量等組的所有要求，且經批準的篩選設施可以滿足其他質量等級試驗和應力水平的要求，則鑒定機構可以將鑒定擴展到其他質量等級。鑒定檢驗不應采用小批量抽樣方案。6.6.2鑒定檢驗的要求和試驗項目鑒定檢驗的要求和試驗項目應符合6.7.4的要求。此外，還應按照表12、表13的檢驗要求和試驗項目開展E組檢驗。除訂貨文件規定允許使用電參數不合格的器件作為樣品的試驗項目外，所有進行B、C、D(需要時)和E組檢驗的器件均應首先通過A組檢驗。6.7質量一致性檢驗凡通過了6.6規定的鑒定檢驗的檢驗批，可不再進行質量一致性檢驗。質量一致性檢驗分A組、B組、C組和D組(需要時)。質量一致性檢驗的樣本應在同一檢驗批中隨機抽取，除非另有規定，抽樣應采取零失效方案。在質量一致性檢驗過程中如發生器件失效，則質量一致性檢驗判為不合格，且該檢驗批不應進行第二次質量一致性檢驗。對連續生產的器件應按6.7.4的規定進行質量一致性檢驗。對生產中斷超過30d的器件應按封裝批逐批進行質量一致性檢驗。在同一周內封裝同一類型的器件視為一個封裝批。質量一致性檢驗的樣本應在同一檢驗批中隨機抽取，除非另有規定，抽樣試驗應取合格判定數(C)為0的抽樣方案。小批量質量一致性檢驗的抽樣應按表7、表9的規定。其中小批量的規定為：a)對于二極管，電流額定值不小于3A的器件N≤100;電流額定值小于3A的器件N≤200;b)對于晶體管，功率額定值不小于1W的器件N≤100;功率額定值小于1W的器件N≤200。6.7.4質量一致性檢驗的項目和要求A組檢驗的要求按照表6的規定。B組檢驗的要求按照表7和表8的規定。C組檢驗的要求按照表9和表10的規定。A級、B級器件的檢驗周期為6個月，C級器件檢驗周期為12個月。表6A組檢驗分組試驗項目“試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)外部目檢5.2及4.8.25.3及4.8.3最高額定工作溫度直流(靜態)測試最低額定工作溫度直流(靜態)測試5.3及4.8.35.3及4.8.3安全工作區測試(只對功率晶體管):a)直流；b)筘位電感(適用時);終點電測試5.3及4.8.3表6A組檢驗(續)分組試驗項目“試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)浪涌電流(僅對二極管)終點電測試5.10及4.8.105.3及4.8.3選擇性靜態和動態測試5.3及4.8.3每分組中測試包括的具體參數由訂貨文件具體規定。b所有要求進行抽樣的器件要滿足A2、A3和A4組。分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)鑒定檢驗和大批量的質量一致性檢驗小批量的質量一致性檢驗N≤200N≤100B1?可焊性5.21及4.8.2115線(0)4線(0)耐溶劑5.22及4.8.22熱沖擊(液體—液體)5.23及4.8.23溫度循環(空氣一空氣)5.5及4.8.5浪涌5.10及4.8.10細檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.155.3及4.8.3B3d耐久性試驗二極管5.6及4.8.6晶體管5.7及4.8.7或間歇工作壽命5.24及4.8.24終點電測試5.3及4.8.3鍵合強度5.8及4.8.822線(0)22線(0)開帽內部目檢(設計驗證)5.1及4.8.15.9及4.8.9熱阻二極管5.25及4.8.25雙極型晶體管5.26及4.8.265.27及4.8.27閘流晶體管5.28及4.8.285.29及4.8.295.30及4.8.30分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)鑒定檢驗和大批量的質量一致性檢驗小批量的質量一致性檢驗N≤200N≤100高溫反偏晶體管5.16及4.8.165.17及4.8.17二極管5.18及4.8.18或高溫壽命5.4及4.8.4電參數測試5.3及4.8.3恒定加速度5.12及4.8.12粒子碰撞噪聲檢測試驗5.13及4.8.13電參數測試5.3及4.8.3對不要求終點測試的所有分組試驗，可采用同一檢驗批中電參數不合格或者其他非嚴重不合格的器件(如X射線和粒子碰撞噪聲檢測試驗不合格的器件)。不透明玻璃封裝、非空腔軸向引線二極管可不進行該項試驗。這項測試可在電參數測試之后進行。除非另有規定，不統計終點電測試中小電流增益(hje)和漏電流的變化量。如果進行過B組檢驗的檢驗批被選擇要求達到C組檢驗的要求，340h或2000次循環壽命測試可延續到1000h或6000次循環來滿足C組壽命測試要求。可在C組壽命試驗后進行鍵合拉力試驗?？蛇x擇在B3分組試驗后進行電測試以驗證檢驗批是否滿足B組的批接收要求，也可選擇在C6分組試驗后進行電測試以驗證檢驗批是否滿足B組和C組的批接收要求。大電流(電流額定值不小于3A)的二極管、大功率(功率額定值不小于1W)的晶體管，通過實測樣品的穩態熱阻，控制器件達到最高結溫。有要求時，A級器件中電流額定值不小于3A的開關二極管、肖特基二極管和功率額定值不小于1W的開關晶體管、場效應管應另增加一個分組進行間歇壽命考核，至少2000次。表8C級的B組檢驗分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣數(接收判據數)B1耐溶劑性*5.22及4.8.22B2可焊性5.21及4.8.2122線(0),最少3個器件B3超聲掃描5.20及4.8.20a適用時?？梢每蚣芑蚧鍣z驗數據。分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)鑒定檢驗和大批量的質量一致性檢驗小批量的質量一致性檢驗N≤200N≤100物理尺寸重量5.2及4.8.25.31及4.8.316(0)熱沖擊5.23及4.8.2322(0)6(0)溫度循環(空氣-空氣)5.5及4.8.5引出端強度5.46及4.8.47密封細檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.15耐濕5.32及4.8.32外觀檢查5.2及4.8.2電參數測試5.3及4.8.3沖擊5.33及4.8.3322(0)6(0)掃頻振動5.34及4.8.34恒定加速度'5.12及4.8.12電參數測試5.3及4.8.3鹽氣(侵蝕)“5.35及4.8.356(0)密封細檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.15熱阻二極管5.25及4.8.256(0)雙極型晶體管5.26及4.8.266(0)5.27及4.8.27閘流晶體管5.28及4.8.285.29及4.8.29GaAsFET5.30及4.8.30耐久性試驗二極管5.6及4.8.632(0)22(0)晶體管5.7及4.8.7或間歇工作壽命5.24及4.8.24電參數測試5.3及4.8.3表9A級、B級的C組周期檢驗(續)分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)鑒定檢驗和大批量的質量一致性檢驗小批量的質量一致性檢驗N≤200N≤100內部氣氛含量5.36及4.8.36對不要求終點測試的所有分組試驗，可采用同一檢驗批中電參數不合格或者其他非嚴重不合格的器件(如X射線和粒子碰撞噪聲檢測試驗不合格的器件)。要求進行電參數測試的分組，應進行表5中1～12項篩選?！贿m用于外部和內部壓力接點(芯片到電接觸頭),光耦合器和雙插頭二極管。如果進行過B組檢驗的檢驗批被選擇要求達到C組檢驗的要求，適用時，340h或2000次循環壽命測試可延續到1000h或6000次循環來滿足C組壽命測試要求?？稍贑組壽命試驗后進行鍵合拉力試驗?？蛇x擇在B3分組試驗后進行電測試以驗證檢驗批是否滿足B組的批接收要求，也可選擇在C6分組試驗后進行電測試以驗證檢驗批是否滿足B組和C組的批接收要求。大電流(電流額定值不小于3A)的二極管、大功率(功率額定值不小于1W)的晶體管，通過實測樣品的穩態熱阻，控制器件達到最高結溫。有要求時，A級器件中電流額定值不小于3A的開關二極管、肖特基二極管和功率額定值不小于1W的開關晶體管、場效應管應另增加一個分組進行間歇壽命考核，至少6000次。對非空腔器件，不要求。對內部氣體含量如有特殊要求，應在訂貨文件中說明。應采用壽命試驗后樣品進行本試驗。表10C級器件的C組檢驗分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣數(接收判據數)外形尺寸5.2及4.8.2高壓蒸煮5.37及4.8.37耐久性試驗二極管5.6及4.8.6晶體管5.7及4.8.7或間歇工作壽命5.24及4.8.24終點電測試5.3及4.8.3D組檢驗的要求按照表11的規定。表11D組檢驗(RHA試驗)”分組試驗項目試驗方法及技術要求樣品數(接收判定數)A級、B級穩態總劑量輻射鑒定和質量一致性檢驗5.38及4.8.382(0)只/晶圓或5(0)只/晶圓批或22(0)只/檢驗批終點電參數測試5.3及4.8.3分組試驗項目試驗方法及技術要求樣品數(接收判定數)A級、B級單粒子效應5.39及4.8.394(0)/檢驗批在鑒定及發生可能影響器件單粒子效應的設計或工藝更改時進行，或當訂貨文件或合同有規定時進行。)對于場效應晶體管，應遍歷每種偏置或選擇最嚴偏置。表12A級、B級的E組檢驗(僅供鑒定用)分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)熱沖擊5.23及4.8.23或溫度循環5.5及4.8.5密封"細檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.15電參數測試5.3及4.8.3耐久性試驗二極管5.6及4.8.6晶體管5.7及4.8.7或間歇工作壽命5.24及4.8.24電參數測試5.3及4.8.3破壞性物理分析(DPA)5.40及4.8.40低氣壓(只適用于額定電壓大于200V的器件)5.41及4.8.41靜電放電敏感度(ESDS)5.42及4.8.42電參數測試5.3及4.8.3(適用時)耐焊接熱5.43及4.8.43外部目檢5.2及4.8.2密封“細檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.15電參數測試5.3及4.8.3(適用時)溫度循環5.5及4.8.5機械沖擊5.33及4.8.33掃頻振動5.34及4.8.34外觀檢查5.2及4.8.2電參數測試5.3及4.8.3表12A級、B級的E組檢驗(僅供鑒定用)(續)分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)這項測試可在電參數測試之后進行?！箅娏?電流額定值不小于3A)的二極管、大功率(功率額定值不小于1W)的晶體管，應通過樣本實測器件的穩態熱阻數值，控制到最高結溫進行耐久性試驗。有要求時，A級器件中電流額定值不小于3A的開關二極管、肖特基二極管和功率額定值不小于10W的開關晶體管、場效應管應另增加一個分組進行間歇壽命考核，至少6000次。效。試驗中由夾具或操作引起的標記破壞不應引起器件的拒收。由夾具或操作造成的標識的損傷不會導致器件拒收。表13C級的E組檢驗(僅供鑒定用)分組試驗項目試驗方法及技術要求抽樣方案樣品數(接收判定數)E1°超聲掃描5.20及4.8.20預處理5.44及4.8.44回流焊模擬”5.45及4.8.45終點電測試5.3及4.8.3超聲掃描5.20及4.8.20耐久性試驗二極管5.6及4.8.6晶體管5.7及4.8.7終點電測試5.3及4.8.3超聲掃描5.20及4.8.20溫度循環5.5及4.8.5終點電測試5.3及4.8.3超聲掃描5.20及4.8.20強加速穩態濕熱5.47及4.8.47終點電測試5.3及4.8.3超聲掃描5.20及4.8.20高壓蒸煮5.37及4.8.37終點電測試5.3及4.8.3鹽氣(侵蝕)5.35及4.8.35引出端強度5.46及4.8.4645線(0),最少3個器件靜電放電敏感度5.42及4.8.42終點測試5.3及4.8.31b、1c分組的試驗的樣品從1a分組的試驗后的樣品中隨機抽取。6回流模擬試驗僅針對表貼塑封器件進行，應在潮濕吸附后4h內完成。6.8用戶方監制當用戶方有要求時，可與承制方協商開展用戶方監制，用戶方監制可參考附錄B執行或協商制定其他雙方認可的方案。6.9用戶方驗收當用戶方有要求時，可與承制方協商開展用戶方驗收，用戶方驗收可參考附錄C執行或協商制定其他雙方認可的方案。7.1包裝和標識規定如下。a)應由無腐蝕性的材料制成。b)應具有足夠的強度，能夠經得起搬運過程中的振動和沖擊。c)應具備足夠的抗靜電能力。d)應能夠牢固的把所裝器件支撐在固定的位置。e)應能保證器件引線不發生變形。f)應沒有鋒利的棱角。成分的材料；應使用具有低放氣指數、低塵粒脫落的材料制造。內包裝上應包括下列標識內容：a)型號規格；b)數量；c)生產批號和日期代號；e)防靜電標識(必要時)。7.1.2.2外包裝標識(運輸包裝)外包裝除應在明顯位置標識防潮防雨、防倒置、防振等標識外，還應注明：a)承制方名稱；b)承制方通信地址；c)用戶方收件人姓名和聯系電話；d)用戶方通信地址。性和其他腐蝕性物體堆放在一起。A級、B級包裝好的器件應貯存在符合器件可靠性要求的貯存環境中，貯存期不應超過36個月；C級器件應采用防潮、防靜電包裝，并貯存在充有惰性氣體的密封容器內，或貯存在采取有效防氧化措施(如加吸濕劑、防氧化劑等)的密封容器內，交付前儲存期不應超過18個月。(規范性)材料要求A.1總體要求按本文件供貨的器件的材料應符合本附錄的規定。A.2封裝材料A.2.1外殼材料或包封材料按本文件要求供貨的A級、B級器件應為氣密封裝，不應使用有機或聚合材料作為管殼或管殼密封材料。C級器件允許使用有機或聚合材料作為封裝材料。在滿足使用和維護要求的前提下，C級器件宜盡可能采用有利于環境保護的材料。表A.1中列出17種對環境有害的材料，建議只有在其他材料不能滿足性能要求時，方可使用。表A.1有害材料清單序號材料名稱序號材料名稱汞及其化合物三氯乙烯2鉛及其化合物四氯乙烯3鎳及其化合物1,1,1-三氯乙烷4鎘及其化合物二氯甲烷5鉻及其化合物三氯甲烷6氰化物及其復合物四氯化碳7苯甲基異丁基酮8甲苯甲基乙基酮9二甲苯A.2.2內部導體材料沿其整個長度與襯底熱接觸的內部導體(如金屬化帶、接觸區和鍵合界面)在器件的最大額定電流下，導體材料(包括最壞狀況下的導體成分、截面積、關鍵界面尺寸的正常制造公差及諸如突起的臺階或接觸窗口這些關鍵區域的實際厚度所允許的)的電流密度超過了表A.2所示的數值。表A.2導體最大電流密度導體材料允許最大連續電流密度(脈沖為均方根值)A/cm2無玻璃鈍化的鋁(純度99.99%或摻雜的)GB/T43366—2023導體材料允許最大連續電流密度(脈沖為均方根值)A/cm2有玻璃鈍化的鋁(純度99.99%或摻雜的)金6×10?所有其他金屬(除另有規定外)2×10?A.2.2.2引線鍵合當用鋁引線時不應采用熱壓楔形鍵合。除另有規定外，不允許在芯片上進行金-鋁鍵合。A.2.2.3芯片安裝TA為25℃時，最大額定功率大于1W的器件芯片安裝不應使用純玻璃或導電膠。A.2.3硅晶體管金屬化保護層所有Tc為25℃時最大額定值小于4W的硅晶體管應在芯片有源區金屬化層上(不包括鍵合區)覆蓋一層無機透明保護材料。對于A級器件(覆蓋結構或擴展金屬化層),淀積玻璃鈍化層的最小厚度。玻璃鈍化層應覆蓋芯片上除鍵合區外的所有導體。對于A級器件(覆蓋結構或擴展金屬化層),除器件的功能特性參數要求更小間距外，所有非覆蓋導電通路間的間距不應小于0.05mm.A.2.4關鍵界面材料除非作為原始設計的一部分，管殼、底座或法蘭器件的外表面應光潔、無凹陷或凹坑。外露的部分零件或鍍涂層不應起皮、裂紋(玻璃彎月面除外)、漏氣、軟化或變形，也不應顯現對器件儲存、工作或環境適應性產生有害影響的缺陷。對于B級器件，如需在管殼內部使用硅酮或有機材料，應與用戶協商。對于A級器件，不應使用硅酮或有機材料，管殼內不允許注入聚合物。不應使用干燥劑。含有氧化鈹(BeO)的管殼應進行標記，且不應進行研磨、機械加工、噴沙或經受任何會產生鈹混合物粉塵的機械操作。不應對任何含有鈹化合物的管殼進行任何會產生含鈹或其化合物的霧氣的化學處理(如蝕刻)。A.3.1管殼鍍涂金屬外露部分(包括引線及引出端)在無外加覆蓋層的情況下應滿足相應的環境要求，或選擇符合A.3.2列出的一種方案進行鍍涂。A級、B級器件不可采用純錫鍍涂任何表面，也不可采用純錫作底鍍層A.3.2引線鍍涂層詳細要求引線及引出端鍍涂層要求如下：a)對于所有采用熱浸焊料鍍涂的引線或引出端進行安裝的器件，鍍涂層應擴展到安裝面，對于用導線焊接到不用于安裝器件的接線片或其他接線端的器件，焊料應在所有方向覆蓋住設計連接區再擴展1.27mm之內的區域；b)若引線施加焊料時覆蓋了不符合表A.3規定的表面層，所有不符合規定的材料應使用焊料覆蓋至管殼密封區或引線露出處，否則，批應通過鹽氣試驗(樣品數22只，接收判定數為0);c)所有浸焊料器件均應參數測試合格；d)所有鍍金或鍍銀的銅或銅包引線首先應鍍涂一層阻擋層以防止銅通過引線表面鍍涂層擴散；e)銀引線或銀包層中銀的純度不