晶體的能帶

晶體的能帶Eg隨x的變化關系IV族元素Si、Ge可以形成連續固溶體,構成混合晶體，其能帶結構隨合金成分的變化而變化。寫為Si1-xGex(0≤x≤1)，x稱為混晶比(或固相組分).在0≤x≤0.85時，其能帶結構與Si類似；0.85≤x≤1時，能帶結構與Ge類似。因為當Si含量小時，<111>能谷為導帶底;隨著Si含量的增大，<111>導帶極值和<100>導帶極值以不同速率相對價帶頂上移，<111>極值上升較快，在x＝0.85時，兩種能谷達到同一水平，在Si含量大于0.15后，<100>能谷代替<111>能谷為導帶底，能帶變為類硅型的。五、III－V族化合物半導體的能帶：1、GaAs1-xPx2、Ga1-xInxAsyP1-yGaAsP的Eg與組分的關系GaPGaAsInPInAsGaInAsP的Eg與組分的關系實線為等帶隙線，虛線為等晶格常數線。陰影表示該組分內材料為間接帶隙半導體虛線表示間接帶隙半導體1.82.02.22.42.62.83.01234567Bandgapenergy(eV)Bondlength

(?)AlNGaNMgSMgSeZnSInNZnSeCdTeInPGaAsZnOAlPGaPAlAsDirectbandgapIndirectbandgapGroupIII-nitrides:coveringthewavelengthregionfromUV

to

IRInN-GaN-AlNsystemcoversawiderangeofspectrumAlInGaN體系的能帶結構，在自然界材料體系中是空前絕后的能帶間隙全部是直接帶隙，從深紫外到遠紅外上堂課回顧：B

Si、Ge和GaAs的能帶結構：Si的導帶：極小值在[100]方向上，6個能谷，等能面為旋轉橢球；Ge的導帶：極小值在[111]方向的BZ邊界上，4個能谷，等能面為旋轉橢球；Si和Ge的價帶：極大值在BZ中心(k=0處)，3個能帶，重空穴帶，輕空穴帶，自旋－軌道耦合劈裂帶;Si和Ge：導帶極小值和價帶極大值在k空間不同點間接帶隙半導體；GaAs的導帶和價帶：導帶極小值和價帶極大值皆在BZ中心，等能面為球面。直接帶隙半導體B化合物半導體：

二元合金，如GaAs三元合金，如GaAs1-xPx

四元合金，如Ga1-xInxAsyP1-y另一種表述方法：

受主雜質電離過程

中性受主＝帶負電的受主離子＋空穴空穴激發到價帶，失去空穴雜質電離思考題：p61圖3.20(b)受主能級雜質補償：

(impuritycompensation)如果半導體中同時含有施主和受主雜質，由于受主能級比施主能級低得多，受主雜質也要首先接受來自施主雜質的電子，剩余的受主雜質才能接受來自價帶的電子。施主和受主雜質之間這種互相抵消的作用，稱為雜質補償。在這種情況下，半導體的導電類型由濃度大的雜質來決定。施主濃度大于受主濃度時，半導體是N型；反之則為P型。

二、III－V族化合物半導體中的雜質在Ⅳ族元素半導體中，取代Ⅳ族原子占據晶格位置的Ⅴ族原子成為施主雜質，而Ⅲ族原子卻成為受主雜質。這個結果說明，在半導體中，雜質原子的價電子數與晶格原子的價電子數之間的關系，是決定雜質行為的一個重要因素。則可知，在Ⅲ—Ⅴ族化合物半導體中，取代晶格中Ⅴ族原子的Ⅵ族原子(如Se、Te)，是施主雜質；取代Ⅲ族原子的Ⅱ族原子(如Zn、Mg、Cd)，是受主雜質。兩性雜質：IV族原子(如Si、Ge)在III－V族半導體中為兩性雜質。若取代III族原子，是施主雜質；若取代V族原子，是受主雜質，這種雜質稱為兩性雜質。具體行為與雜質濃度和外部條件有關：如GaAs:Si，Si濃度<1018cm-3時,Si基本只取代Ga施主;Si濃度>1018cm-3時，部分Si取代As受主,補償SiGa施主.等電子雜質和等電子陷阱：當雜質原子和晶格原子的價電子數相等時，雜質通常稱為等電子雜質。等電子雜質替代相同價電子數的晶格原子(組分原子)后，由于其負電性不同，可以束縛電子。由等電子雜質形成的陷阱稱為等電子陷阱。應用：如GaP:NLEDN與P同為V族元素，N比P的原子序數小，而負電性大，則可形成等電子陷阱。深能級

硅或鍺中的Ⅲ族和Ⅴ族雜質，Ⅲ—Ⅴ族化合物半導體中的ⅡB族和Ⅵ族雜質，都在禁帶中引入淺能級，實際上，在半導體中還存在另一類雜質：它們的能級在禁帶中心附近，常稱這樣的能級為深能級。深能級雜質的特點：①電離能大，對熱平衡中的載流子濃度無顯著影響