ZnMgO納米薄膜在MOSFET和透明TFT中的應用的開題報告開題報告題目：ZnMgO納米薄膜在MOSFET和透明TFT中的應用背景傳統的薄膜晶體管（ThinFilmTransistor，TFT）主要由非晶硅（a-Si）或多晶硅（poly-Si）制成，這兩種材料有很多不足之處，如厚度較大、制造成本高、電性能差，不適用于高分辨率數碼顯示等要求較高的應用。而氧化鋅（ZnO）薄膜具有優異的光學、電學性能和化學穩定性，是新型高性能TFT制備材料之一。而對ZnO材料的改性，可以進一步提高其電學性能。在ZnO薄膜中引入鎂（Mg）元素可以調制其導電性能，實現有色透明TFT（TransparentTFT，TTFT）和觸控傳感器（TouchPanel）等方向應用的協同發展。而Mg摻雜ZnO薄膜的晶粒尺寸、表面形貌、電學性質等都隨著Mg摻雜濃度的變化而改變。此外，ZnMgO材料結構穩定、光電性質優異，因此hasgainedconsiderableinterestforitspotentialapplicationsinelectronicdevicesandoptoelectronics.現階段，MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）和TFT是集成電路中最為重要的器件，而ZnMgO材料在這兩種器件中的應用也得到了廣泛的關注。因此，本課題擬深入探究ZnMgO薄膜在MOSFET和透明TFT中的應用，為新型材料在集成電路領域的應用提供技術支撐。研究目的本課題旨在：1.研究Mg摻雜對ZnO薄膜電學性質的影響，深入探究其導電性質的改進機理。2.在此基礎上開發ZnMgO薄膜的制備技術，包括制備條件的設定、材料組成的優化等。3.研究ZnMgO薄膜在MOSFET和透明TFT中的應用，探究其在器件制造中導電性、穩定性、可靠性等方面的性能，從而為新型材料的應用提供技術支撐。研究方法1.利用溶膠凝膠（Sol-Gel）法、射頻磁控濺射（RFMagnetronSputtering）等方法制備ZnMgO薄膜。2.對制備的ZnMgO薄膜進行結構表征和電學測試，研究Mg摻雜對材料電學性質的影響。3.利用光刻、蒸鍍等技術制備器件，研究ZnMgO薄膜在MOSFET和透明TFT中的應用性能。4.對不同制備條件下的ZnMgO薄膜進行理論計算和分析，尋找優化制備技術的方法。預期成果1.在材料制備方面，優化ZnMgO薄膜的制備技術，提高薄膜的導電性能和穩定性。2.在材料性能研究方面，深入探究Mg摻雜對ZnO薄膜電學性質的影響機理，為未來其他相關組合材料的研發提供借鑒。3.在器件應用方面，研究ZnMgO薄膜在MOSFET和透明TFT中的應用，探究其性能優異的特點，為高性能器件的設計提供技術支撐。計劃進度第1-3個月：對相關文獻進行深入調研并總結分析。第4-6個月：利用溶膠凝膠法、射頻磁控濺射等方法制備ZnMgO薄膜，并對其進行結構表征和電學測試，研究Mg摻雜對材料電學性質的影響。第7-9個月：研究ZnMgO薄膜在MOSFET和透明TFT中的應用性能，制備不同器件并進行性能測試。第10-12個月：對制備過程中的問題進行綜合分析，并研究優化制備方法的途徑。參考文獻[1]S.Mohapatra,J.D.Prades,andA.Cirera.ZnMgO-basedTFTactivematricesforflexibleandtransparentdisplays[J].JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,2019,52(9):093001.[2]J.Kim,J.H.Yoo,J.H.Hwang,andS.Kim.EffectofMgdopingconcentrationonstructuralandelectricalpropertiesofZnMgOthinfilmsgrownbyatomiclayerdeposition[J].MaterialsLetters,2019,247:62-65.[3]L.Gan,H.Hou,andY.Yang.FabricationandcharacterizationofZnMgOthinfilmtransistorswithultrathinAl2O3gatedielectric[J].ThinSolidFilms,2019,682:46-51.[4]C.KimandS.Lee.CharacterizationofZnMgOthinfilmspreparedbypulsedlaserdepositionfortransparentconductingoxideapplications[J].JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,2018,51(11):115106.[5]J.H.Yun,B.J.Kim,andS.K.Han.TheeffectofMgdopingconcentrationonthestructural,morphologicalandelectrical