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文檔簡介
第4章基于S3C44B0X的嵌入式系統應用開發
端口組件原理及應用
4.2中斷組件原理及應用
34.3嵌入式最小系統34.14.4UART組件原理及應用
DMA組件原理及應用
4.5PWM定時器原理及應用
34.6I2C組件原理及應用
36.7知識回憶:1、S3C44B0X的概述2、嵌入式最小系統3、電源模塊4、時鐘源設計〔PLLCON〕4.1.4復位電路設計與模式選擇
1.復位電路的作用負責將處理器初始化為某個確定的狀態。2.S3C44B0X的復位
復位引腳為nRESET,至少保持4個MCLK時鐘周期的低電平,才能復位。專用復位IC芯片復位電路接口設計之
復位電路設計與模式選擇(3)OM1=0且OM0=1選擇16位數據寬度
大小端格式選擇及數據寬度選擇連接電路小端格式
大端格式S3C44B0X的數據存儲模式有大端和小端的選擇,由引腳ENDIAN決定。[OM1:OM0]啟動FLASH的數據寬度。4.1.5存儲器組件與接口模塊
嵌入式系統使用的存儲器有多種類型,主要包括Flash、EPROM、SDRAM以及SRAM等,為滿足不同類型的存儲器對不同速度、不同類型、不同總路線寬度等的存儲器的管理和控制,存儲控制組件是必不可少的。正是存儲控制器為片外存儲器訪問提供必要的控制信號,管理著片外存儲部件。存儲器區域劃分
不同存儲器組織的
存儲器地址線與系統地址總線的連接表6.6S3C44B0X不同存儲器組織的存儲器地址線與系統地址總線的連接存儲器地址線8位存儲器組織下的系統地址總線16位存儲器組織下的系統地址總線32位存儲器組織下的系統地址總線A0A0A1A2A1A1A2A3A2A2A3A4A3A3A4A5::::Am-1Am-1Am-2Am-3存儲器組件中的
特殊功能存放器之一
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總線寬度與等待控制存放器—BWSCONSTi寫高/低字節使能:1=使能;0=禁止〔表示SRAM映射在Banki時寫高/低字節使能〕WSi等待:1=等待;0=禁止等待〔表示SRAM映射在Banki時等待〕DWi總線寬度:00=8位,01=16位,10=32位,11=不用DW0為Bank0的寬度:00=8位,01=16位,10=32位,11=不用〔DW0只讀,不可寫〕ENDIAN大小端模式:0=小端模式;1=大端模式存儲器組件中的
特殊功能存放器之二
返回
內存通道控制存放器—BANKCONi存儲器類型16:1514:1312:1110:87:65:4321:0ROM或SRAMMT=00TacsTcosTaccTochTcahTacpPMCFPDRAM或EDODRAMMT=01或10TrcdTcasTcpCANSDRAMMT=11TrcdCAN決定BANK6、7的類型nGCSi選擇之前地址時鐘個數0,1,2,4分頁模式配置1,4,8,16個數據訪問時鐘個數1,2,3,4,6,8,10,14保持nOE時鐘個數0,1,2,4,nGCSi選擇前的保持時鐘個數0,1,2,4RAS到CAS的延時時鐘個數1,2,3,4頁訪問周期〔時鐘個數〕2,3,4,6CAS脈沖寬度〔時鐘個數〕1,2CAS預充電時間〔時鐘個數〕1,2列地址位數8,9,10,11位選擇nOE時鐘個數0,1,2,4,RAS到CAS的延時時間1,2,3,4存儲器組件中的
特殊功能存放器之三
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刷新控制存放器—REFRESH232221:2019:1817:1615:121110:0REFENTREFMDTrpTrcTchr000RefreshCounterREFEN刷新使能:0=禁止刷新,1=刷新
刷新模式:0=CBR(CASbeforeRAS)/自動刷新1=自刷新〔控制信號為電平〕行預充電時間DRAM:00=1.5個時鐘01=2.5個時鐘10=3.5個時鐘11=4.5個時鐘SDRAM:00=2個時鐘01=3個時鐘 10=4個時鐘11=不支持SDRAMRC最小時間:00=4個時鐘01=5個時鐘10=6個時鐘11=7個時鐘CAS保持時間〔DRAM):00=1個時鐘01=2個時鐘10=3個時鐘11=4個時鐘刷新計數值:刷新周期=(211-刷新計數值+1)/MCLK存儲器組件中的
特殊功能存放器之四
返回
Bank容量存放器—BANKSIZE在SDRAM訪問周期SCLK使能位:0=禁止,1=允許。BK76MAPBANK6/7存儲器容量大?。?00=32M100=2M101=4M 110=8M432:0SCLKEN0BK76MAP存儲器組件中的
特殊功能存放器之五
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SDRAM模式設置存放器—MRSRB6和MRSRB711:1098:76:432:0保留WBLTMCLBTBLWBL〔writeburstlength〕寫突發脈沖長度:0為推薦值TM〔Testmode〕測試模式選擇:00:由模式存放器設置01,10,11:保存CL〔CASlatency〕CAS發送時鐘000=1個時鐘 010=2個時鐘011=3個時鐘 其它=保存BT〔Bursttype〕突發類型:0:順序〔推薦〕1:未用〔Burstlength〕突發長度:000:1,其余未用注意:1、如果代碼在SDRAM中運行,不能重新配置MRSR存放器;2、所有的13個存儲器控制器必須使用STMIA指令寫入;3、在中止模式下,DRAM/SDRAM必須進入自刷新模式。Flash非易失性存儲器
S3C44B0X內部沒有存儲器,因此必須采用總線方式擴展外部存儲器,包括程序存儲器和數據存儲器。NANDFlashNORFlashFlash典型Flash芯片及與S3C44B0的連接程序存儲器采用SST39VF160,它是1M*16位的Flash存儲器芯片。
Flash的地址范圍為0x00000000~0x001FFFFF
典型SDRAM芯片及與S3C44B0的連接
SDRAMHY57V651620B內部有4個1M×16的存儲器陣列,所以容量為4×1M×16=4M*16=8MB。SDRAM必須放到BANK6開始的區域。
SDRAM地址范圍為0x0C000000~0x0C7FFFFF。4.1.6JTAG接口1.
ARM公司提供的標準20腳JTAG仿真調試接口電路,芯片內部有JTAGCORE。2.S3C44B0X通過外部JTAG/ICE端口支持ARM標準的嵌入式在線仿真,共有四個管腳:TMS:測試模式選擇TDI:測試數據輸入TDO:測試數據輸出TCK:測試時鐘4.2端口組件原理及應用
1.處理器通過I/O口和外圍硬件連接;2.ARM芯片的I/O口通常都是和其他引腳復用的;3.熟悉I/O口的功能,通過特殊功能存放器的配置對I/O口進行編程;4.S3C44B0有71個通用可編程多功能輸入/輸出引腳,共7類端口,如下所示:返回端口組件之
端口功能
一、雙功能端口
A,B、D端口具有兩種功能二、三功能端口
C,E、G端口具有三種功能三、四功能端口
F端口具有四種功能返回端口組件之
端口存放器每個端口都可以通過軟件設置來滿足各種各樣的系統設置和設計要求。每個端口的功能通常都要在主程序開始前被定義。如果一個引腳的多功能沒有使用,那么這個引腳將被設置為I/O端口。在引腳配置以前,需要對引腳的初始化狀態進行設定來防止一些問題的出現。GPIOIISDIEINT5GPG5引腳配置引腳功能選擇使用例如S3C44B0微控制器的引腳一般是多個功能復用,但是同一引腳在同一時刻只能使用其中一個功能,這可以通過設置PCONx存放器來選擇。通過PCONG控制引腳功能端口組件之
端口存放器(P49)1.端口配置存放器:PCONA~PCONG決定A~G各相應端口每個引腳的功能。2.端口數據存放器:PDATA~PDATG存放I/O端口的數據。3.端口上拉存放器:PUPC~PUPG 決定端口是否內部接通上拉電阻。 0=上拉;1=禁止4.特殊上拉電阻控制存放器:SPUPR 決定對數據總線引腳是否內部接上拉電阻。 0=上拉;1=禁止返回例題:例1:設置A端口均為輸出端口,并設置GPA4,GPA6為1,其他引腳均為0;
答案:PCONA=0x0;PDATA=0x50;PCONA為10位,當PCONAi=0,那么PAi設置為輸出端口,例題:例2:設置C端口均為數據總線,并讀取數據總線的值,當值為0x80時,讓變量i=0,否那么i=1;答案:PCONC=0xAAAAAAAA;if(PDATC==0x80)i=0;elsei=1;PCONC為32位,每兩位對應一個引腳,當PCONCi=10,表示數據線簡易鍵盤接口應用〔查詢方式〕獨立鍵盤接口設計鍵盤接口C語言代碼voidPortInit(void){//端口初始化函數,本函數只針對圖6.18電路進行了鍵盤初始化
rPCONG=rPCONG&0x0f;//設置PG2~PG7為輸入功能rPUDG=rPUDG|0xfC; //因為電路中PG2~PG7端口已接外部上拉,所以內部上拉可不使用}uint8GetKey(void)//讀按鍵程序{KeyValue=0;if((rPDATG&(1<<2))==0)//判斷KEY1鍵是否按下
{longdelay(3);//延時函數,用于鍵盤消抖
if((rPDATG&(1<<2))==0)//再次判斷KEY1鍵是否按下
KeyValue=1;}elseif((rPDATG&(1<<3))==0)//判斷KEY2鍵是否按下
{longdelay(3);if((rPDATG&(1<<3))
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