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文檔簡介

用GaN基高效率藍綠光LED制作的超大屏全色顯示，可用于室內室外多個場合的LED10可比白熾燈節電5~10倍，達成節省資源、減少環境污染的雙重目的。GaN基LED的成本報告針對氮化鎵材料有關專利進行檢索和分析，并結合有關報道分析技術發呈現狀，通過對氮化鎵領域的專利分析揭示該領域現在的專利活動特點，為科技決策和課題研DeretInnovtionIndex23460（msonDaanyer（msonInnvatin）Innogrphy。是，由于受到沒有適宜的單晶襯底材料、位錯密度較大、n型本底濃度太高和無法實現p直到1989年，松下電器公司東京研究所的赤崎勇和弟子天野浩在全球初次實現了藍光LED；1993年，日本日亞化學工業公司（Nichia）的中村修二克服了兩個重大材料GaNGaN長和器件工藝水平的不停發展和完善，GaN（，但開始，專展。由此來看，GaN材料在將來幾年內可能又會形成一次研究熱潮。GaN2090GaNGaNGaN5GaN材料的大部分專利掌握在四個國家手中，其專利數量占據了全球專利總量的（38%（21%（16%（15%9449WO%（美國專利總量5304（3864基于德溫特手工代碼（ManualCode，MC）的統計，對氮化鎵專利涉及的器件類根據對MC的統計，氮化鎵專利涉及到的器件類型重要有發光二極管（lightdiodesLEDtransistorsFETdiodes，LDFET：：IGFET、HEMT、MOSFET、bipolartransistor、JFET、MISFET、IGBT半導體器件加工方面涉及的重要技術有：電極、沉積辦法、介電層、外延生長、刻蝕、摻雜、歐姆接觸、封裝、退火等。其中沉積辦法重要是化學氣相沉積（ChemiclrDeposiCVCVD實現的重要方法是在半導體表面層進行高摻雜或者引入大量復合中心，所用辦法重要是離子注入。2LED、FET、LD、太陽能電池、功率器件等方面，LEDFET氣相外延。根據上文對德溫特手工代碼的分析，結合TI專利地圖以及有關文獻報道，氮化鎵核心技術重要涉及外延生長、p型摻雜、歐姆接觸、刻蝕工藝等方面。InnographyTOP108LED9GaN1511松下、三菱、夏普、東芝、豐田、索尼、富士通、日立、日亞化學、羅姆；韓國共2家，分別是三星和LG；中國的中科院（第6位）和美國的加州大學（第15位）也進入前15位。除中國和美國的專利權人為科研院所/高校外，其它TOP15的專利權人均為公司，基本是全球出名的電器及電子公司或大型公司集團。TOP15的機構均保持了較為活躍的研發狀態，其中中科院、三菱、富士通、加州大學、東芝、LGTOP30臺灣地區的臺灣工業技術研究院分別與日本昭和、美國科銳以及臺灣Epistar有不同程度LEDLDLGTOP10的涉及年份來看，中科院、北京大學、南京大學進入該領域的時間較早（上世紀90年代偏重，西安電子科技大學、中國電子科技集團公司第五十五研究所重要研究領域為FET，其它8家機構則偏重LED的研究。28究所的實力最為

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