半導(dǎo)體CVD和ALD用前驅(qū)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)-集成電路芯片是最大的下游市場(chǎng)，占有72.1%份額

半導(dǎo)體CVD和ALD用前驅(qū)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)-集成電路芯片是最大的下游市場(chǎng)，占有72.1%份額半導(dǎo)體CVD和ALD用前驅(qū)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)報(bào)告主要研究該行業(yè)的產(chǎn)能、產(chǎn)量、銷量、銷售額、價(jià)格及未來(lái)趨勢(shì)。重點(diǎn)分析全球與中國(guó)市場(chǎng)的主要廠商產(chǎn)品特點(diǎn)、產(chǎn)品規(guī)格、價(jià)格、銷量、銷售收入及全球與中國(guó)市場(chǎng)主要生產(chǎn)商的市場(chǎng)份額。歷史數(shù)據(jù)為2018至2022年，預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)為2023至2029年。

根據(jù)最新調(diào)研報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)2029年全球半導(dǎo)體CVD和ALD用前驅(qū)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到27.91億美元，未來(lái)幾年年復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR為9.2%。

作為半導(dǎo)體薄膜沉積工藝的核心材料，ALD/CVD前驅(qū)體市場(chǎng)目前的放緩主要是由于存儲(chǔ)半導(dǎo)體價(jià)格降低（DRAM和3DNAND），相關(guān)供應(yīng)商開(kāi)工率下降。

預(yù)計(jì)到2024年，市場(chǎng)將從目前的晶圓開(kāi)工低迷中反彈。隨著2nm和3nm邏輯器件的量產(chǎn)帶動(dòng)，45nm以下節(jié)點(diǎn)的邏輯類IC需求量到2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率有望達(dá)到7%以上。此外，使用更多掩模層的邏輯IC增長(zhǎng)將推動(dòng)對(duì)與圖案化和低k相關(guān)的金屬和電介質(zhì)前驅(qū)體的需求。DRAM也在向EUV工藝過(guò)渡，而全球主要制造商將3DNAND競(jìng)相擴(kuò)展到200層以上，并繼續(xù)移動(dòng)向更高層數(shù)，預(yù)計(jì)到2030年將出現(xiàn)超過(guò)500層的產(chǎn)品，高縱橫比蝕刻的需求也將繼續(xù)驅(qū)動(dòng)前驅(qū)體材料市場(chǎng)發(fā)展。

全球范圍內(nèi)半導(dǎo)體CVD和ALD用前驅(qū)體生產(chǎn)商主要包括Merck、AirLiquide、SKMaterial、DNF、Yoke(UPChemical)、Soulbrain、HansolChemical、ADEKA、Dupont、Nanmat等。2022年，全球前十強(qiáng)廠商占有大約91.0%的市場(chǎng)份額。

就產(chǎn)品類型而言，目前硅前體是最主要的細(xì)分產(chǎn)品，占據(jù)大約35.7%的份額。