材料分析方法智慧樹知到課后章節答案2023年下天津大學天津大學

緒論單元測試

材料研究方法分為（）

A:物相分析B:分子結構分析C:組織形貌分析D:成分價鍵分析

答案:物相分析;分子結構分析;組織形貌分析;成分價鍵分析

材料科學的主要研究內容包括（）

A:材料的成分結構B:材料應用C:材料的制備與加工D:材料的性能

答案:材料的成分結構;材料的制備與加工;材料的性能

下列哪些內容不屬于材料表面與界面分析（）

A:氣體的吸附B:表面結構C:晶粒大小、形態D:晶界組成、厚度

答案:晶粒大小、形態

下列哪些內容屬于材料微區分析（）

A:位錯B:裂紋大小C:晶粒取向D:晶格畸變

答案:位錯;裂紋大小;晶粒取向;晶格畸變

下列哪些內容不屬于材料成分結構分析（）

A:晶粒大小、形態B:晶界組成、厚度C:雜質含量D:物相組成

答案:晶粒大小、形態;晶界組成、厚度

第一章測試

掃描電子顯微鏡的分辨率已經達到了（）

A:0.1nmB:100nmC:1.0nmD:10nm

答案:1.0nm

利用量子隧穿效應進行分析的儀器是

A:掃描探針顯微鏡B:掃描隧道顯微鏡C:原子力顯微鏡D:掃描電子顯微鏡

答案:掃描隧道顯微鏡

能夠對樣品形貌和物相結構進行分析的是透射電子顯微鏡。

A:對B:錯

答案:對

掃描隧道顯微鏡的分辨率可以到達原子尺度級別。

A:對B:錯

答案:對

圖像的襯度是（）

A:任意兩點探測到的光強差異B:任意兩點探測到的信號強度差異C:任意兩點存在的明暗程度差異D:任意兩點探測到的電子信號強度差異

答案:任意兩點探測到的信號強度差異;任意兩點存在的明暗程度差異

對材料進行組織形貌分析包含哪些內容（）

A:晶粒的大小B:位錯、點缺陷C:材料的表面、界面結構信息D:材料的外觀形貌

答案:晶粒的大小;位錯、點缺陷;材料的表面、界面結構信息;材料的外觀形貌

光學顯微鏡的最高分辨率為（）

A:1μmB:0.2μmC:0.1μmD:0.5μm

答案:0.2μm

下列說法錯誤的是（）

A:可供照明的紫外線波長為200~250nm，可以作為顯微鏡的照明源B:可見光波長為450~750nm，比可見光波長短的光源有紫外線、X射線和γ射線C:X射線不能直接被聚焦，不可以作為顯微鏡的照明源D:X射線波長為0.05~10nm，可以作為顯微鏡的照明源

答案:X射線波長為0.05~10nm，可以作為顯微鏡的照明源

1924年，（）提出運動的電子、質子、中子等實物粒子都具有波動性質

A:狄拉克B:薛定諤C:德布羅意D:布施

答案:德布羅意

電子束入射到樣品表面后，會產生下列哪些信號（）

A:背散射電子B:特征X射線C:俄歇電子D:二次電子

答案:背散射電子;特征X射線;俄歇電子;二次電子

第二章測試

第一臺光學顯微鏡是由哪位科學家發明的（）

A:伽利略B:胡克C:惠更斯D:詹森父子

答案:詹森父子

德國科學家恩斯特·阿貝有哪些貢獻（）

A:闡明了放大理論B:解釋了數值孔徑等問題C:發明了油浸物鏡D:闡明了光學顯微鏡的成像原理

答案:闡明了放大理論;解釋了數值孔徑等問題;發明了油浸物鏡;闡明了光學顯微鏡的成像原理

光學顯微鏡包括（）

A:目鏡B:反光鏡C:物鏡D:聚光鏡

答案:目鏡;反光鏡;物鏡;聚光鏡

下列關于光波的衍射，錯誤的描述是（）

A:遇到尺寸與光波波長相比或更小的障礙物時，光線將沿直線傳播B:障礙物線度越小，衍射現象越明顯C:光是電磁波，具有波動性質D:遇到尺寸與光波波長相比或更小的障礙物時，光線將偏離直線傳播

答案:遇到尺寸與光波波長相比或更小的障礙物時，光線將沿直線傳播

下列說法正確的是（）

A:埃利斑半徑與光源波長成反比，與透鏡數值孔徑成正比B:兩個埃利斑靠得越近，越容易被分辨C:衍射現象可以用子波相干疊加的原理解釋D:由于衍射效應，樣品上每個物點通過透鏡成像后會形成一個埃利斑

答案:衍射現象可以用子波相干疊加的原理解釋;由于衍射效應，樣品上每個物點通過透鏡成像后會形成一個埃利斑

在狹縫衍射實驗中，下列說法錯誤的是（）

A:整個狹縫內發出的光波在中間點的波程差半波長，形成中央亮斑B:在第一級衍射極大值處，狹縫上下邊緣發出的光波波程差為1?波長C:子波之間相互干涉，在屏幕上形成衍射花樣D:狹縫中間每一點可以看成一個點光源，發射子波

答案:整個狹縫內發出的光波在中間點的波程差半波長，形成中央亮斑

下列關于阿貝成像原理的描述，正確的是（）

A:同一物點的各級衍射波在像面的干涉，形成物像B:不同物點的同級衍射波在后焦面的干涉，形成衍射譜C:參與成像的衍射斑點越多，物像與物體的相似性越好。D:物像由透射光和衍射光互相干涉而形成

答案:同一物點的各級衍射波在像面的干涉，形成物像;不同物點的同級衍射波在后焦面的干涉，形成衍射譜;參與成像的衍射斑點越多，物像與物體的相似性越好。;物像由透射光和衍射光互相干涉而形成

下列說法錯誤的是（）

A:孔徑半角與物鏡的有效直徑成反比，與物鏡的焦距成正比B:物鏡口徑越大，分辨率就越高C:物鏡的數值孔徑和分辨率成正比D:物鏡光軸上的物點與物鏡前透鏡的有效直徑所形成的角度是孔徑半角

答案:孔徑半角與物鏡的有效直徑成反比，與物鏡的焦距成正比

像差包括（）

A:色散B:色像差C:像域彎曲D:球面像差

答案:色像差;像域彎曲;球面像差

金相顯微鏡的制樣過程包括（）

A:腐蝕B:鑲樣C:磨光D:拋光

答案:腐蝕;鑲樣;磨光;拋光

第三章測試

下列關于掃描電子顯微鏡的描述錯誤的是（）

A:利用二次電子和背散射電子成像B:可觀察組織細胞內部結構C:可觀察塊狀樣品D:景深長，立體感強

答案:可觀察組織細胞內部結構

掃描電鏡的分辨率是指（）

A:二次電子像的分辨率B:俄歇電子的分辨率C:吸收電子像的分辨率D:背散射電子像的分辨率

答案:二次電子像的分辨率

電子束與固體樣品相互作用，可以產生以下哪些信號（）

A:二次電子B:俄歇電子C:特征X射線D:背散射電子

答案:二次電子;俄歇電子;特征X射線;背散射電子

下列說法正確的是（）

A:利用特征X射線信號可以進行定性成分分析B:利用特征X射線信號可以進行定量成分分析C:利用彈性背散射電子信號可以進行定性成分分析D:利用彈性背散射電子信號可以進行定量成分分析

答案:利用特征X射線信號可以進行定量成分分析;利用彈性背散射電子信號可以進行定性成分分析

關于二次電子的描述，正確的是（）

A:二次電子是入射電子與原子核外的價電子發生非彈性散射時被激發的核外電子B:二次電子信號反映樣品的成分信息C:二次電子信號反映樣品的表面形貌特征D:二次電子信號的分辨率高

答案:二次電子是入射電子與原子核外的價電子發生非彈性散射時被激發的核外電子;二次電子信號反映樣品的表面形貌特征;二次電子信號的分辨率高

背散射電子的性質是（）

A:產額隨原子序數增加而增加B:可用于樣品的表面成分分析C:可用于樣品的表面形貌分析D:產生范圍在表層100~1000nm內

答案:產額隨原子序數增加而增加;可用于樣品的表面成分分析;可用于樣品的表面形貌分析;產生范圍在表層100~1000nm內

掃描電子顯微鏡有以下哪種信號的探測器（）

A:二次電子B:特征X射線C:法拉第網杯D:背散射電子

答案:二次電子;特征X射線;背散射電子

關于掃描電子顯微鏡景深的描述，錯誤的是（）

A:掃描電子顯微鏡景深比透射電子顯微鏡的景深小B:景深是對樣品高低不平的各部位同時聚焦成像的能力范圍C:掃描電子顯微鏡景深比光學顯微鏡的景深大D:電子束的入射半角越大，景深越大

答案:掃描電子顯微鏡景深比透射電子顯微鏡的景深小;電子束的入射半角越大，景深越大

關于掃描電子顯微鏡的樣品制備，哪個說法是錯誤的（）

A:對于非導電樣品，要進行鍍膜處理，增加導電性B:鍍膜可以是金、銀、碳，膜厚在10~20nmC:鍍膜方法為離子濺射或真空蒸發D:對于導電性好的樣品，只需直接粘在樣品臺上，即可進行觀察

答案:鍍膜可以是金、銀、碳，膜厚在10~20nm;對于導電性好的樣品，只需直接粘在樣品臺上，即可進行觀察

電子槍由（）組成

A:陰極、陽極、柵極B:正極、負極、柵極C:陰極、陽極D:陰極、柵

答案:陰極、陽極、柵極

第四章測試

掃描探針顯微鏡的優點有（）

A:可以在高溫和低溫狀態下工作B:可以在大氣、真空、溶液環境下進行工作C:橫向分辨率為0.01nm，縱向分辨率為0.01nmD:可以對金屬樣品進行掃描

答案:可以在高溫和低溫狀態下工作;可以在大氣、真空、溶液環境下進行工作

下列哪些顯微鏡屬于掃描探針顯微鏡（

）。

A:掃描離子電導顯微鏡B:原子力顯微鏡C:靜電力顯微鏡D:掃描隧道顯微鏡

答案:掃描離子電導顯微鏡;原子力顯微鏡;靜電力顯微鏡;掃描隧道顯微鏡

下列關于掃描探針顯微鏡的描述，錯誤的是（）

A:可以對原子分子進行操縱B:分辨率從原子尺度級到毫米量級C:可以獲得樣品表面的摩擦力、粘附力等信息性D:一種具有非常高的空間分辨率的三維輪廓儀

答案:分辨率從原子尺度級到毫米量級

掃描探針顯微鏡的組成部分有（）

A:計算機系統B:粗調定位系統C:反饋系統D:壓電掃描器

答案:計算機系統;粗調定位系統;反饋系統;壓電掃描器

掃描隧道顯微鏡是基于哪個原理進行工作的（）

A:原子間相互作用力B:量子隧穿效應C:量子尺寸效應D:表面效應

答案:量子隧穿效應

下列關于掃描隧道顯微鏡的描述，正確的是（）

A:當探針與樣品表面相距1nm左右時，會發生隧穿效應B:探針與樣品間距發生變化時，隧穿電流發生指數級改變C:分辨率可以達到原子尺度級別D:使用鉑絲或者鎢絲探針進行掃描

答案:當探針與樣品表面相距1nm左右時，會發生隧穿效應;探針與樣品間距發生變化時，隧穿電流發生指數級改變;分辨率可以達到原子尺度級別;使用鉑絲或者鎢絲探針進行掃描

掃描隧道顯微鏡的兩種工作模式是（）

A:恒定電流模式B:恒定高度模式C:恒定電壓模式D:恒定掃速模式

答案:恒定電流模式;恒定高度模式

原子力顯微鏡（）

A:是利用原子間的吸引力來呈現樣品的表面特性B:探測針尖和樣品之間作用力變化所導致的懸臂彎曲或偏轉C:可以對導電樣品或非導電樣品進行觀測D:利用硅懸臂上的硅針尖進行掃描

答案:探測針尖和樣品之間作用力變化所導致的懸臂彎曲或偏轉;可以對導電樣品或非導電樣品進行觀測;利用硅懸臂上的硅針尖進行掃描

在接觸式原子力顯微鏡中，哪個描述是錯誤的（）

A:針尖與樣品有輕微的物理接觸B:針尖與懸臂受范德瓦爾斯力和毛細力兩種力的作用C:探針與樣品的距離小于1nmD:利用原子之間吸引力的變化來記錄樣品表面輪廓的起伏

答案:利用原子之間吸引力的變化來記錄樣品表面輪廓的起伏

第五章測試

相的內涵是具有特定的結構和性能的物質狀態，包括（）

A:固相B:液相C:氣相D:等離子相

答案:固相;液相;氣相;等離子相

利用衍射分析的方法可以研究材料的（）

A:物相結構B:晶胞常數C:晶格類型D:元素組成

答案:物相結構;晶胞常數;晶格類型

物相分析的手段包括（）

A:光子衍射B:中子衍射C:電子衍射D:X射線衍射

答案:中子衍射;電子衍射;X射線衍射

電子與物質的相互作用時（）

A:入射電子束可以被聚焦B:入射能量為10~500eV的低能電子可用于分析樣品表面1-5個原子層的結構信息C:入射電子與樣品原子發生彈性散射，散射波相互干涉形成衍射波D:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強，可用于薄膜分析

答案:入射電子束可以被聚焦

入射電子與樣品原子發生（），散射波會相互干涉形成衍射波。

A:疊加干涉B:衍射C:非彈性散射D:彈性散射

答案:彈性散射

利用電磁波或電子束、中子束等與材料內部規則排列的原子作用，產生非相干散射，從而獲得材料內部結構信息

A:錯B:對

答案:錯

X射線衍射方法可以進行多相體系的綜合分析，也可以實現對亞微米量級單顆晶體材料的微觀結構分析

A:對B:錯

答案:錯

純鐵在低于1000度時，呈現α相。

A:錯B:對

答案:錯

材料內部的晶體結構和相組成可以通過衍射線的方向和強度而決定。

A:錯B:對

答案:對

低能電子衍射可以觀測樣品表面的原子結構信息。

A:對B:錯

答案:對

第六章測試

七大晶系包括（）

A:立方晶系B:六方晶系C:正交晶系D:四方晶系

答案:立方晶系;六方晶系;正交晶系;四方晶系

立方晶系中，指數相同的晶面和晶向（）

A:相互平行B:成一定角度范圍C:無必然聯系D:相互垂直

答案:相互垂直

在正方晶系中，晶面指數{100}包括幾個晶面（）

A:2B:4C:6D:1

答案:4

關于電子與物質的相互作用，下列描述錯誤的是（）

A:入射電子與樣品原子發生彈性散射，散射波相互干涉形成衍射波B:入射電子束可以被聚焦C:入射能量為10~500eV的低能電子可用于分析樣品表面1-5個原子層的結構信息D:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強，可用于薄膜分析

答案:入射能量為10~200KeV的高能電子穿透能力比X射線強，可用于薄膜分析

利用電磁波或電子束、中子束等與材料內部規則排列的原子作用，產生非相干散射，從而獲得材料內部結構信息

A:對B:錯

答案:錯

X射線衍射方法可以進行多相體系的綜合分析，也可以實現對亞微米量級單顆晶體材料的微觀結構分析

A:對B:錯

答案:錯

凡屬于[uvw]晶帶的晶面，其晶面指數(hkl)必滿足關系hu+kv+lw=0

A:對B:錯

答案:對

構成晶體的質點包括（）

A:電子B:分子C:原子D:離子

答案:分子;原子;離子

電子入射到晶體以后，哪三者存在嚴格的對應關系（）

A:衍射角度B:衍射圖譜C:衍射波的波矢量D:產生衍射的晶面

答案:衍射角度;衍射圖譜;衍射波的波矢量;產生衍射的晶面

簡單立方結構單晶的電子衍射花樣可能呈現（）

A:同心圓環B:方格子結構C:平行四邊形結構D:六邊形結構

答案:方格子結構

第七章測試

關于衍射現象的描述，錯誤的是（）

A:入射的電磁波和物質波與晶體發生作用的結果B:在空間某些方向上發生波的相干抵消C:在空間某些方向上發生波的相干增強D:不受晶體內周期性的原子排布影響

答案:不受晶體內周期性的原子排布影響

X射線與物質發生相互作用時（）

A:若與外層弱束縛電子作用，會發生非相干散射B:原子核外電子包括外層弱束縛電子和內層強束縛電子C:若與內層強束縛電子作用，會發生相干增強的衍射D:康普頓散射是相干散射

答案:若與外層弱束縛電子作用，會發生非相干散射;原子核外電子包括外層弱束縛電子和內層強束縛電子;若與內層強束縛電子作用，會發生相干增強的衍射;康普頓散射是相干散射

電子與物質發生相互作用時（）

A:入射電子受核外電子的散射作用時，入射電子能量會轉移給核外電子，損失部分能量，波長發生改變，發生非彈性散射B:入射電子受原子核的散射作用時，原子核基本不動，電子不損失能量，發生彈性散射C:電子在物質中的彈性散射大于非彈性散射D:入射電子受核外電子的散射作用時，入射電子能量會轉移給核外電子，損失部分能量，波長不發生改變，發生非彈性散射

答案:入射電子受核外電子的散射作用時，入射電子能量會轉移給核外電子，損失部分能量，波長發生改變，發生非彈性散射;入射電子受原子核的散射作用時，原子核基本不動，電子不損失能量，發生彈性散射;電子在物質中的彈性散射大于非彈性散射

下列關于晶體對電子的衍射作用的描述，錯誤的是（）

A:在彈性散射情況下，晶體內部某些方向的散射波發生相干增強，形成衍射波B:透射電子顯微鏡可以看到原子尺度上的結構信息C:電子衍射強度比X射線高1000倍D:電子衍射可以提供試樣晶體結構、原子排列、原子種類等信息

答案:電子衍射強度比X射線高1000倍;電子衍射可以提供試樣晶體結構、原子排列、原子種類等信息

對于簡單點陣結構的晶體，系統消光的條件是()

A:h、k、l為異性數B:h+k+l為奇數C:h+k為奇數D:不存在系統消光

答案:不存在系統消光

面心立方晶體產生系統消光的晶面有（）

A:111B:200C:220D:112

答案:112

將等同晶面個數對衍射強度的影響因子稱為()

A:角因子B:結構因子C:多重性因子D:吸收因子

答案:多重性因子

布拉格方程從數學的角度進行解答衍射方向問題

A:錯B:對

答案:對

厄瓦爾德圖解以作圖的方式分析衍射發現問題

A:錯B:對

答案:對

入射波為電磁波或者物質波，它們的衍射波遵循不同的衍射幾何和強度分布規律

A:對B:錯

答案:對

第八章測試

下列關于X射線的描述，正確的是（）

A:X射線具有波動性B:倫琴發現X射線C:勞厄發現X射線衍射現象D:X射線是一種電磁波

答案:X射線具有波動性;倫琴發現X射線;勞厄發現X射線衍射現象;X射線是一種電磁波

與X射線及晶體衍射有關的諾貝爾獎是（）

A:勞厄發現晶體的X射線衍射B:赫茲發現陰極射線C:倫琴發現X射線D:布拉格父子開創了晶體結構的X射線分析

答案:勞厄發現晶體的X射線衍射;倫琴發現X射線;布拉格父子開創了晶體結構的X射線分析

進行晶體結構分析的X射線學分支是（）

A:X射線透射學B:X射線衍射學C:X射線能譜學D:X射線光譜學

答案:X射線衍射學

常用的X射線衍射方法是（）

A:勞厄法B:粉末法C:德拜法D:轉動晶體法

答案:勞厄法;粉末法;轉動晶體法

當樣品為單晶體時，可以采用下列哪種X射線衍射方法（）

A:轉動晶體法B:德拜法C:勞厄法D:粉末法

答案:轉動晶體法;勞厄法

測角儀中，探測器的轉速與樣品的轉速滿足哪種關系（）

A:1:0B:1:2C:2:1D:1:1

答案:2:1

M層電子遷遷移到K層后，多余的能量釋放的特征X射線是（）

A:LαB:KαC:KβD:Kγ

答案:Kβ

X射線照射到晶體上時，產生衍射的條件是（）

A:衍射強度不為0B:滿足布拉格條件，同時衍射強度不為0C:滿足布拉格條件D:晶體形狀

答案:滿足布拉格條件，同時衍射強度不為0

用X射線對固溶體進行分析時，得到的結果是（）

A:組織結構B:元素種類C:相結構D:成分

答案:相結構

利用X射線衍射儀進行定性分析時，若已知樣品的一種或幾種化學成分，可以使用（）

A:Hanawalt索引B:數字索引C:Fink索引D:字母索引

答案:字母索引

第九章測試

設計并制造了世界第一臺透射電子顯微鏡的科學家是（）

A:RohrerB:CharlesC:RuskaD:Binnig

答案:Ruska

經典電子衍射實驗是由哪幾位科學家做出的（）

A:G.P.ThompsonB:A.ReidC:L.H.GermerD:C.J.Davisson

答案:G.P.Thompson;A.Reid;L.H.Germer;C.J.Davisson

下列關于透射電子顯微鏡的描述錯誤的是（）

A:利用透射電子成像B:景深長、立體感強C:分辨率高，性能最完善D:觀察細胞內部超微結構

答案:景深長、立體感強

讓衍射束通過物鏡光闌，用物鏡光闌套住某一衍射斑點，擋住中心透射斑點和其它衍射斑點，選擇衍射束成像，是（）

A:中心暗場成像B:明場成像C:暗場成像D:中心明場成像

答案:暗場成像

將入射電子束轉動一定角度，使得衍射束沿著光軸傳播，讓衍射束通過物鏡光闌，用物鏡光闌套住某一衍射斑點，擋住透射束和其它衍射斑點擋住，選擇衍射束成像，是（）

A:中心明場成像B:暗場成像C:中心暗場成像D:明場成像

答案:中心暗場成像

透射電子顯微鏡的兩種主要功能是（）

A:表面形貌和成分價鍵B:內部組織和晶體結構C:表面形貌和晶體結構D:內部組織和成分價鍵

答案:內部組織和晶體結構

多晶體的電子衍射花樣是（）

A:規則的平行四邊形斑點B:暈環C:同心圓環D:不規則斑點

答案:同心圓環

由于入射電子波長的非單一性造成的像差是（）

A:像域彎曲B:像散C:球面像差D:色像差

答案:色像差

透射電子顯微鏡的衍射模式是將（）

A:關閉中間鏡B:中間鏡的物平面與與物鏡的像平面重合C:關閉物鏡D:中間鏡的物平面與物鏡的后焦面重合

答案:中間鏡的物平面與物鏡的后焦面重合

薄片狀晶體的倒易點形狀是（）

A:有一定長度的倒易桿B:尺寸很小的倒易點C:倒易圓盤D:尺寸很大的球

答案:有一定長度的倒易桿

第十章測試

在原子系統中，自旋磁量子數是（）

A:nB:msC:mD:l

答案:ms

關于原子核外的電子分布描述，錯誤的是（）

A:按照M、L、M等層由低到高依次填充B:遵從泡利不相容原理C:遵循洪特規則D:滿足能量最低原理

答案:按照M、L、M等層由低到高依次填充

關于原子核外的電子躍遷描述，錯誤的是（）

A:始態和終態的能量差E是表征原子差別的特征能量B:依據電子躍遷信息，可以進行成分和價鍵分析C:入射波激發核外電子，使之發生層間躍遷D:能量差E與元素種類無關

答案:能量差E與元素種類無關

關于俄歇電子產生的過程描述，正確的是（）

A:激發態和基態的能量差轉移給原子核外的內層電子B:激發態和基態的能量差轉移給原子核外的外層電子C:外層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發射出去D:內層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發射出去

答案:激發態和基態的能量差轉移給原子核外的外層電子;外層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發射出去

利用俄歇電子能譜可以進行（）

A:半定性分析B:定性分析C:半定量分析D:定量分析

答案:定性分析;半定量分析

關于X光譜的描述，正確的是（）

A:穿透深度為100nm~1mB:無法探測元素的化學環境C:空間分辨率低，能量分辨率高，D:反映樣品表面和內部的成分信息

答案:無法探測元素的化學環境;反映樣品表面和內部的成分信息

下列說法正確的是（）

A:XPS的采樣深度0.5~2.5nm,B:AES采樣深度為0.1~1nmC:AES的能量分辨率比XPS高D:XPS適用于輕元素、重元素分析

答案:XPS的采樣深度0.5~2.5nm,;AES的能量分辨率比XPS高

特征X射線的頻率或波長只取決于物質的原子結構，是物質固有特性，與其它外界因素無關。

A:錯B:對

答案:對

X射線熒光光譜分析的入射束是熒光X射線

A:對B:錯

答案:錯

電子探針X射線顯微分析儀的入射束是電子束

A:對B:錯

答案:對

第十一章測試

特征X射線產生的機理是(

)

A:外層電子被打掉B:原子內層電子躍遷C:高速電子受阻

答案:原子內層電子躍遷

能譜儀的分辨率比波譜儀（）

A:相同B:高C:低D:不能比較

答案:低

對鋼中Mn、S、P等元素的定量分析可以采用以下分析手段

A:XRFB:XRDC:EDSD:WDS

答案:XRF;EDS;WDS

如要分析斷口上某種顆粒相的化學成分，應采用哪種分析方法？

A:XRFB:XRDC:WDSD:EDS

答案:WDS;EDS

對鋼斷口中Mn、S、P等元素的分布狀態進行分析可以采用哪種分析模式

A:線掃描B:面掃描C:點掃描D:高度掃描

答案:線掃描;面掃描

電子束與固體樣品作用時產生的信號有（）

A:特征X射線B:俄歇電子C:背散射電子D:二次電子

答案:特征X射線;俄歇電子;背散射電子;二次電子

X射線光譜分析的信號是（）

A:光電子B:特征X射線C:連續X射線D:二次電子

答案:特征X射線

產生X射線的激發源可以是（）

A:紫外光B:電子束C:X射線D:離子束

答案:電子束;X射線

X射線光譜能給出材料的哪些信息（）

A:元素的分布B:元素價態C:元素組成D:元素的含量

答案:元素的分布;元素組成;元素的含量

X射線光譜能對元素周期表中所有元素進行定性分析。

A:錯B:對

答案:錯

第十二章測試

光電子產生的機理是（）

A:外層電子被電子激發B:內層電子被X射線激發C:外層電子被X射線激發D:內層電子被電子激發

答案:內層電子被X射線激發

光電子的動能受哪些因素影響（）

A:逸出功B:電子的平均自由程C:電子的結合能D:激發源的波長

答案:逸出功;電子的結合能;激發源的波長

表面與界面成分分析的手段有

A:XRFB:EDSC:XPSD:AES

答案:EDS;XPS;AES

在光電子能譜中，影響化學位移的因素有（）

A:原子氧化態B:激發源的能量C:相鄰原子的電負性D:原子序數

答案:原子氧化態;相鄰原子的電負性

X射線光電子能譜譜圖中可能存在的譜峰有

A:X射線衛星峰B:光電子譜峰C:特征能量損失峰D:俄歇電子譜峰

答案:X射線衛星峰;光電子譜峰;特征能量損失峰;俄歇電子譜峰

X射線光電子能譜可以得到的信息有

A:內部結構B:晶體結構C:成分和價鍵D:表面形貌

答案:成分和價鍵

對聚苯乙烯表面的氧化狀態進行分析，可以采取下面哪些分析手段？

A:XPSB:WDSC:EDSD:XFS

答案:XPS

光電子譜峰由哪幾個參數來標記（）

A:元素符號B:角量子數C:主量子數D:自旋-軌道耦合量子數

答案:元素符號;角量子數;主量子數;自旋-軌道耦合量子數

碳元素的主光電子峰是()

A:C2sB:C2pC:C3sD:C1s

答案:C1s

在光電子能譜圖中，出現在主光電子峰高動能端的伴峰可能是（）

A:震離峰B:特征能量損失峰C:震激峰D:X射線衛星峰

答案:X射線衛星峰

第十三章測試

產生俄歇電子深度范圍為表層以下

A:20nm左右B:1000nm左右C:100nm左右D:2nm左右

答案:2nm左右

俄歇電子能譜分析有哪些應用（

）

A:元素定性分析B:元素深度分布分析C:表面形貌分析D:表面元素價態分析

答案:元素定性分析;元素深度分布分析;表面元素價態分析

對于化學價態相同的原子，俄歇化學位移的差別主要和原子間的電負性差有關。

A:對B:錯

答案:對

俄歇電子的能量主要與以下哪些因素有關

A:激發源能量B:初始空位能級C:躍遷電子能級D:填充電子能級

答案:初始空位能級;躍遷電子能級;填充電子能級

影響俄歇電子強度的因素有（）

A:激發源能量B:電子的平均自由程C:電離截面D:原子序數

答案:激發源能量;電子的平均自由程;電離截面;原子序數

光電子能譜的空間分辨率高于俄歇電子的空間分辨率

A:錯B:對

答案:錯

相鄰元素或基團的電負性越強，俄歇電子的化學位移越大

A:對B:錯

答案:對

俄歇電子的化學位移較光電子更敏感

A:對B:錯

答案:對

改變激發源的能量，俄歇電子譜峰的位置不動。

A:對B:錯

答案:錯

俄歇過程和熒光過程是兩個競爭的過程。

A:錯B:對

答案:對

第十四章測試

二氧化碳分子的平動、轉動和振動自由度的數目分別是

A:3，2，4B:3，4，2C:3，3，3D:2，3，4

答案:3，2，4

紅外吸收光譜的產生是由于

A:分子外層電子的能級躍遷B:分子振動-轉動能級的躍遷C:分子外層電子、振動、轉動能級的躍遷D:原子外層電子、振動、轉動能級的躍遷

答案:分子振動-轉動能級的躍遷

下列哪種因素不是影響紅外光譜譜峰位置的影響因素

A:分子含量B:共軛效應C:誘導效應D:氫鍵效應

答案:分子含量

在紅外光譜分析中，用KBr制作為試樣池，這是因為

A:KBr晶體在4000～400cm-1范圍內不會散射紅外光B:在4000～400cm-1范圍內，KBr對紅外無反射C:KBr在4000～400cm-1范圍內無紅外光吸收D:KBr在4000～400cm-1范圍內有良好的紅外光吸收特性

答案:KBr在4000～400cm-1范圍內無紅外光吸收

紅外光譜中官能團區為

A:2000~1600B:1330~400C:3600~1330D:3600~3000

答案:3600~1330

紅外光譜法試樣可以是

A: