半導體物理與器件智慧樹知到課后章節答案2023年下上海電子信息職業技術學院上海電子信息職業技術學院

第一章測試

半導體材料的導電性能介于金屬材料和絕緣材料之間。（）

A:對B:錯

答案:對

電中性原子失去電子后帶正電。（）

A:錯B:對

答案:對

半導體硫化銀的電阻具有負的溫度系數是因為？（）

A:當硫化銀受熱時產生了更多的電子參與定向運動B:當硫化銀受熱時產生了更少的電子參與定向運動

答案:當硫化銀受熱時產生了更多的電子參與定向運動

常溫下，半導體材料的電阻率在什么范圍？（）

A:＞109Ω·cmB:＜10-3Ω·cmC:10-3Ω·cm~109Ω·cmD:＞1010Ω·cm

答案:10-3Ω·cm~109Ω·cm

是誰首先提出：將電、磁、光統歸為電磁場現象的麥克斯韋方程組？（）

A:赫茲B:安培C:麥克斯韋D:奧斯特

答案:麥克斯韋

第二章測試

中子是帶正電的。（）

A:錯B:對

答案:錯

中子是帶負電的。（）

A:對B:錯

答案:錯

核外的電子是分布在能量的軌道上的（）

A:不連續B:連續

答案:不連續

核外電子的能量是被量子化的，每份能量的大小由公式hυ確定，h是，υ表示。（）

A:波的頻率，普朗克常量B:普朗克常量，波的頻率

答案:普朗克常量，波的頻率

一個主量子數是不能精確確定電子的軌道的，每個軌道里面還可以再細分，即還有分殼層，它用表示的。（）

A:字母，例如s，p，d，…B:數字，例如1，2，3，…

答案:字母，例如s，p，d，…

第三章測試

N型半導體主要靠自由電子運動導電，也稱為電子半導體。（）

A:對B:錯

答案:對

P型半導體主要靠空穴運動導電，也稱為空穴半導體。（）

A:錯B:對

答案:對

PN結中載流子的運動是這樣的：P型半導體中的多子空穴向N區擴散，留下不可移動的負離子；N型半導體的多子電子向P區擴散，留下不可移動的正離子。（）

A:對B:錯

答案:對

在硅或鍺的晶體中摻入少量的5價雜質元素，如磷、銻、砷等，可以構成。（）

A:P型半導體B:N型半導體

答案:N型半導體

在硅或鍺的晶體中摻入少量的3價雜質元素，如硼、鎵、銦等，可以構成。（）

A:N型半導體B:P型半導體

答案:P型半導體

第四章測試

將兩個背靠背的PN結連接在一起的三明治結構，可以形成雙極結型晶體管，它有兩種不同的結構，一種是NPN結構，另一種是PNP結構。（）

A:錯B:對

答案:對

將兩個PN結以非背靠背方式連接在一起的四層結構，可以形成晶閘管。（）

A:對B:錯

答案:對

晶體管發射極(emitter)e用于收集載流子。（）

A:對B:錯

答案:錯

晶體管的電流放大倍數等于集電極電流變化量ΔIC與基極電流變化量ΔIB的比值。（）

A:對B:錯

答案:對

將晶體管三個區的摻雜濃度按從高到低順序排序，正確的順序是：。（）

A:發射區＞集電區＞基區B:發射區＞集電區＞基區C:發射區＞基區＞集電區D:集電區＞發射區＞基區

答案:發射區＞集電區＞基區

第五章測試

三極管是由電流來控制實現功能的。（）

A:對B:錯

答案:對

MOSFET管是由電流來控制實現功能的。（）

A:對B:錯

答案:錯

MOSFET管是由電場來控制實現功能的。（）

A:對B:錯

答案:對

增強型NMOS管中，兩個重摻雜的N區分別稱為源區Source和漏區Drain。（）

A:對B:錯

答案:對

溝道電壓、柵極電壓和漏極電壓三者之間的關系是什么？（）

A:柵極電壓=柵極電壓＋漏極電壓B:柵極電壓=柵極電壓—漏極電壓

答案:柵極電壓=柵極電壓—漏極電壓

第六章測試

CMOS是互補金屬氧化物半導體（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）的簡寫。（）

A:對B:錯

答案:對

CMOS中的字母M代表Metal金屬的意思。（）

A:對B:錯

答案:對

CMOS中的字母O代表Oxide氧化物的意思。（）

A:錯B:對

答案:對

N阱CMOS工藝中第六次光刻是為了制作接觸孔。（）

A:錯B:對

答案:對

N阱CMOS工藝中第七次光刻是為了制作金屬互聯線。（）

A:對B:錯

答案:對

第七章測試

金屬和半導體接觸又稱為歐姆接觸。（）

A:對B:錯

答案:對

結面積較大的二極管適用于低頻線路。（）

A:錯B:對

答案:對

半導體有四種基本結構分別為：（）

A:MS結構B:異質結構C:MOS結構D:PN結構

答案:MS結構;異質結構;MOS結構;PN結構

二極管按材料，可分為哪兩大類？（）

A:硅管B:鍺管C:LEDD:整流管

答案:硅管;鍺管

晶體管主要分為哪兩類？（）

A:穩壓管B:雙極結型晶體管C:二極管D:場效應晶體管

答案:雙極結型晶體管;場效應晶體管

第八章測試

摩爾定律是物理定律，這種說法是否正確。（）

A:對B:錯

答案:錯

摩爾定律不是物理定律，這種說法是否正確。（）

A:錯B:對

答案:對

22nm到5nm的工藝節點的芯片采用FinFET鰭狀場效應管工藝制作。（）

A:對B:錯

答案:對

新型半導體器件的三大發展方向是什么？（）

A:擴展摩爾（MorethanMoore）B:深度摩爾（MoreMoore）C:超越摩爾（BeyondMoore）

答案:擴展摩爾（M