40DB52

52/T

844Current

regulator

diode 貴州省質量技術監督局

DB52/T

2013目次前言

................................................................................

II

范圍

..............................................................................

規范性引用文件

....................................................................

術語文字符號

......................................................................

要求

..............................................................................

試驗方法

..........................................................................

接收和可靠性

.....................................................................

12

標志、包裝、運輸和貯存

...........................................................

14DB52/T

2013前 言本標準按照GB/T

本標準與GB/T

12560-1999《半導體器件

分立器件分規范》、GB/T

4589.1-2006《半導體器件

10部分：分立器件和集成電路總規范》共同構成了電流調整管的試驗、檢驗標準。DB52/T

2013半導體電流調整管

范圍

規范性引用文件

GB/T

2424.19

GB/T

2423.28

GB/T

2423.30

GB/T

4589.1

GB/T

4937.1

第1部分:總則

GB/T

12560 半導體器件

GB/T

17573 半導體器件

JESD

51-14

術語和定義及符號3.1

術語和定義 current-regulator

DB52/T

2013

當半導體電流調整管工作時，

cathode

S regulator

currentSR

leak

current(VL

S

k

voltageE

maximum

I

current

DB52/T

2013

K

E

voltage測試恒定電流值

SS

K

R

breakdown

通過結的反向電流等于規定值

R

電流調整精度(Kc)current

表征恒定電流值受電壓變化影響的參數。定義為恒定電流變化量與工作電壓區之比，單位為微安/A/V)。公式為：

......................................

temperature

of

currentr

S

S脈沖下降時間(tf

SS3.1.10

Z

S

Zm

S

E

3.1.11DB52/T

2013H dynamic

S

符號半導體電流調整管的電路符號見圖

1，直流特性曲線見圖

3。電流調整管（陽極端（

-陰極端（圖1

半導體電流調整管電路符號

eq

\o\ac(△,I)

圖2

半導體電流調整管直流特性曲線

DB52/T

20131 2

0.9I0.1Itr tf

圖3

半導體電流調整管瞬態特性曲線

要求

型號

4.2

封裝和外形尺寸4.3

引腳定義4.4

極限值a) 最高貯存溫度(Tstg)；b)

c)

(P)；d) 最大反向電壓(VR

R)。4.5

電特性

a)

S

b)

E

SE

c) 電流調整精度(Kc)；DB52/T

2013d)

L

e)

Ef)

脈沖上升時間(tr)；g)

脈沖下降時間(tf)；h)

H

is4.6

熱特性4.7

機械特性4.7.1

引出端強度4.7.2

可焊性

4.7.3

耐焊接熱

4.8

氣候環境適應性4.8.1

快速溫度變化4.8.2

貯存（在高溫下）

試驗方法5.1

測量用儀器a)

b)

c)

5.2

測量環境條件a) 常規測試大氣條件：溫度

45%～75%，氣壓

86kPa～106kPa

b) 基準測試大氣條件：溫度

48%～52%，氣壓

86kPa～106kPa

5.3

外觀檢查DB52/T

2013環境照度為250lx,

距離300mm，正常或放大3～10倍，目視檢查。出現以下任一情況，則判為不合a)b)

c)d)e)5.4

尺寸檢驗5.5

電測試5.5.1

恒定電流（s）a) 測量原理見圖

電流調整管（CRD）

－ b)

S

S

IS

a) 測量原理見圖

b) 1)

1中放置

0.5h

S

s1

2)

2中放置

0.5h

S

s23)

C)

C)

.................................

I

I

T)I

DB52/T

2013c)1=25℃

2

S

5.5.3

恒定電流變化量eq

\o\ac(△,

)( Sa)測量原理見圖

4。b) 1)在規定的環境條件下，打開并調節直流電源

K

S1

2)

E

S2

3) 計算恒定電流變化量:S

S1

......................................

5.5.4

電流調整精度

(Kca)

s1=VK

s2=VE

5.5.4

s1s2

b) c

s1

EK..................................

c)電流調整精度的單位為微安/伏(A/V)

5.5.5

動態電阻

（ZHa) 測量原理見圖

CRDVPP=3.0Vf=1KHz －圖5

動態電阻測量原理圖b)

S

1kHz

3.0

H5.5.6

瞬態參數測試（tr，

tf)a) 測量原理見圖

DB52/T

2013CRD交流、脈沖信號源

圖6瞬態參數

r

fb)測試脈沖信號為方波，占空比為

50%；脈沖寬度

Vs；c)

r

f

5.6

熱阻（結-殼）測量

θJC）a)

1)

2)

受測器件接通恒定加熱電流

H

，對器件加熱，使其達到熱穩態，此時結溫保持恒定，記

VH

H

MM

M

得出

H

MPH

HMTJ(t)3)

TJ(t)θJC

J

J

...................................

θJC

θJC

b)

1）

2）

3）

H4）

M5.7

機械性能試驗和氣候環境適應性試驗5.7.1

引出端強度（片式封裝不適用）DB52/T

2013a) b)

5.7.2

可焊性

GB/T

2423.28

Ta

當選擇方法3時，各引出端均在離器件管體5mm士1mm的點上進行試驗。引線應在2.5s時間內沾上焊陷，如針孔或未潤濕面積的痕跡不大于5%

5.7.3

耐焊接熱

2423.28

5.7.4

快速溫度變化

2423.22

AB1120min5.7.5

貯存（在高溫下）器件貯存（高溫下）試驗應在詳細規范中規定。試驗前和試驗后器件均應按5.5.1進行恒定電流測5.7.6

標志耐久性

GB/T

a) 溶劑：

配方

B：R113(70%士

C：蒸餾水或去離子b) 溶劑溫度:

c) 試驗方法：方法

d) 5.8

電耐久性試驗5.8.1

一般要求SMSMSMDB52/T

2013見IEC

5.8.2

特殊要求5.8.2.1

電耐久性試驗

CRD

圖7

a) 在規定的環境條件下，打開并調節直流電源

Sb)5.8.2.2

判定失效的特性和失效判據表1

判定失效的特性和失效判據表

接收和可靠性6.1

定型試驗半導體電流調整管定型試驗由項目質量一致性檢驗的A組、B組、C組構成，具體項目見表1。isθJCDB52/T

20136.2

測量和試驗6.3

質量一致性檢驗表2

半導體電流調整管質量一致性檢驗項目及抽樣方案

時，可不做此項；DB52/T

2013表2

半導體電流調