殘像機理與改善對策介紹殘像定義與分類1形成殘像的原因234ContentsOT殘像分析歷史OT殘像改善歷史殘像改善Idea51.殘像定義與分類面殘像線殘像

所謂“殘像”即影像殘留（ImageSticking）,是在屏幕上長時間保持一幅靜止的畫面,液晶由于受到長時間的驅動被極化,造成液晶分子不能在信號電壓控制下正常偏轉。過一段時間,即便改變顯示畫面的內容,屏幕上仍然可以看到以前那個靜止圖像的痕跡.

按畫面切換后出現的殘像狀態不同，分為面殘像（Areasticking）和線殘像（Line

Shipsticking）兩種。分類方法殘像分類特點或簡要說明按形狀分類線殘像線形形狀面殘像面型形狀按時間分類短期殘像短時間后發生或短時間后消失長期殘像長時間后發生或長時間后消失按發生機理分類Simi由聚集或吸附的離子聚集電場導致短期殘像配向異常長期殘像由DC電壓成分導致的固定電荷正負殘像根據棋格狀圖案黑白顯示區域殘留部分相對亮度的不同，分為正殘像和負殘像原來黑畫面區域亮度（a+c）2+（a-c）2=2（a2+c2）原來白畫面區域亮度（a+b）2+（a-b）2=2（a2+b2）絕對值b＞c，原來白的區域更白，正殘像；絕對值b＜c，原來黑的區域更白，負殘像。2.殘像產生的原因設計原因IPS、FFS使用的是TFT基板上像素電極和COM電極之間的橫向電場，如圖所示，電極在面內呈間隔分布，電場在面內呈不均一分布，這種不均一的電場分布，很容易形成橫向DC偏置，此外IPS和FFS沒有TN那樣的ITO屏蔽層，如果CF的有基層上存在電荷聚集，這些電荷和TFT基板上的電極之間就容易形成縱向DC偏置。在一定環境下，CF有機層、PI層、Seal膠等材料里所含的離子型不純物都可能在這些DC偏置的影響下，在Panel內形成DC偏置。材料原因(一)液晶(LC)在制作初始的液晶材料內，即有部分少量的離子存在，然而液晶材料制造過程中，盡其所能的維持液晶的純度，但于液晶盒充填液晶過程中，仍無法避免產生更多的離子；如果液晶材料被紫外線照射也會分解出離子；甚至于如果LCD驅動信號含有較高的直流電壓也可能讓液晶材料分解出離子。(二)配向膜(PI)目前用于液晶盒的配向膜材料，多以溶劑材料作為保存與制造的媒介，因此在液晶盒的制程中，基板洗凈與配向膜的成膜(Coating)及固化(Curing)制程也會產生少量離子，若配向膜本身不純凈，仍會讓離子影響到液晶盒樣本。(三)封膠(Seal)及間隙物(Spacer)封膠及控制液晶樣本厚度的間隙物，也是產生離子的來源之一；為了有完整固化封膠的制程，液晶盒會存在于長時間的高溫狀態，離子會有足夠的時間從封膠材料及間隙物中分解出來。(四)電極(Electrode)配向膜在一般考慮下是一層完全的絕緣體，若液晶樣本操作在較高電壓時，離子將會有機會穿越配向膜層注入液晶盒中。(五)CF的影響CF是引入離子型不純物的主要對象之一，CF中的覆蓋層OC、黑色矩陣BM、色層RGB都含有樹脂成分。樹脂，特別是摻雜了各種離子成分的樹脂更容易引入離子不純物。

當對液晶分子施加正向電壓的時候，由于耦合電壓以及寄生電壓的作用，在Gate信號的下降沿，即Gate信號消失的時候，Pixel的充電電量有一個微弱的下降過程，使Pixel內一部分所持有的電壓有損耗，而當對液晶子施加反向電流充電的時候，也可以發現在充電結束后，電壓也存在略微的損失。由于以上原因，因此在一次充放電結束后，Pixel在相對方向：Vcom電壓的正、負方向上，就存在了電壓的不對稱性，在LCD充放電的時候，在液晶盒內就會不可避免的產生DC，當這個殘留DC足夠大的時候，就會造成液晶分子不受信號電壓的驅動，從而產生AreaImage。1.Cst↑ΔVp↓ImageSticking↓?CstonCommon>>CstonGate2.VcomStabilization:CstonCommon>>CstonGate驅動原因（一）BM的總線間的偏置電壓BM層含有碳成分，總線在BM層上感應出來的電荷會進一步在RGB色層上感應出極性相反的電荷。在色層上積累的電荷會和TFT側的COM電極或像素電極形成DC電場，對ADS等橫向工作電場的擾動明顯。（二）鋸齒電極寬度ADS像素的鋸齒電極寬度影響殘像。其中一個原因是電極上聚集的離子型不純物的量與電極寬度有關；另一個原因是鋸齒電極的寬度和橫向電場分布的均一性有關。減小鋸齒寬度可以改善殘像。（三）TFT特性影響TFT開關的源漏極金屬相當于一個DC偏置，會把液晶中的離子型不純物，特別是液晶摻雜技術中的單體，吸附在TFT背溝道上，形成背溝道效應。工藝原因TFT-LCD生產的各個工藝也是產生殘像的重要原因之一。其中包