::1LEDLEDLEDLED延片的技術主要有以下四條：PN鍵所在，金屬有機物化學氣相淀積(Metal-OrganicChemicalVaporIII-V，II-VI晶的主要方法。II、IIIGa(CH3)3，In(CH3)3，Al(CH3)3，Ga(C2H5)3，Zn(C2H5)3混合，再通入反響室，在加熱的襯底外表發生反響，外延生長化合物晶體薄膜。MOCVD用來生長化合物晶體的各組份和摻雜劑都可以以氣態方式通入反響室屬有機源的供給量成正比。MOCVD，九十年月已經成為砷化鎵、磷化銦等光電子材料外延片制備的核心生長技術。目前已經在砷化鎵、磷化銦等光電子材料生產中得到廣泛應用。日本科學NakamuraMOCVDMOCVD1994管，199810,000前為止，MOCVD的氮化鎵外延片和器件的性能以及生產本錢等主要指標來看，還沒有其它方法能與之相比。AIXTRONEMCORE(Veeco)ThomasSwanThomasSwanAIXTRONMOCVD商也只是1994年以后才開頭生產適合氮化鎵的MOCVD設備。目前生產氮化鎵MOCVD24(AIXTRONMOCVD-MOCVD的設備只在日本出售。MOCVD，MOCVD242產更大規模的設備，不過這些設備一般只能生產中低檔產品；研制有自己特色的專用MOCVD設備。這些設備一般只能一次生產1片2英寸外延片，但其外延片質量很高。目前高檔產品主要由這些設備生產，不過這些設備一般不出售。1)InGaAlPInGaAlPLED550~650nmGaAsLEDAlGaInPLEDMOCVD的外延生長技術和多量子阱構造，波長625nm四周其外延片的內量子效100%，MOCVDInGaAlP熟。InGaAlPGaAsGaAs組分，特定厚度，特定電學和光學參數的半導體薄膜外延材料。IIIVTMGa、TEGa、TMIn、TMAl、PH3AsH3SiTeInGaAlPIII(1-5)×10-5，V(1-2)×10-3于獲得均勻分布的組分與厚度，進而提高了外延材料光電性能的全都性。2)lGaInN，GaNLEDLED的LED，降低位錯等缺陷密度，提高晶體質量，是半導體照明技術開發的核心。GaNGaNGaNGaN(500~600℃)生長GaNAkasakiAINGaNAlNGaN較好匹配，而和藍寶石襯底匹配不好，但由于它很薄，低溫沉積的無定型性GaNNakamuraGaNGaN為了得到高質量的外延層，已經提出很多改進的方法，主要如下：LEOLEOSAE(selectiveareaepitaxyNishinaga1988LPE(liquidphaseepitaxy)的深入爭論，LEOSiO2SiNx為掩膜(mask)，mask{11-20}buffer1.5，不過一般常選用平行方向(1-100)。LEO2-11，GaN當到達掩膜高度時就開頭了側向生長，直到兩側側向生長的GaN集合成平坦的薄膜。2-11GaNLEO②PE(Pendeoepitaxy)法生長示意圖如以下圖2-12所示：2-12GaNPEGaNstripe方向，側面為{11-20}PE2-132-13PEGaNModelA：側面{11-20}生長速率大于(0001)面垂直生長速率；ModelB：開頭(0001)面生長快，緊接著又有從形成的{11-20}面的側面生長。一般生長溫度上升，modelAPE量很低。PEGaNTD4-5，SEM的GaN集合處或者是無位錯或者是空洞，但在這些空洞上方的GaN仍為無位錯區；AFMPEGaNPELEO4-5PEGaNLEOGaN5-10其它型外延材料ZnO3.37eV，屬直接帶隙，和GaN、SiC、金剛石等寬禁帶半導體材料相比，它在380nm四周紫光波段進展潛力最大，是高效紫光發光器件、低閾值紫光半導體激光器的候選材料。這是由于，ZnO60meV，比其他半導體材料高得多(GaN26meV)，因而具有比其他材料更高的發光效率。ZnOGaAs的水為氧源，用有機金屬鋅為鋅源。因而，今后ZnO材料的生產是真正意義上ZnO，有利于大規模生產和持續進展。目前，ZnO電子器件或高溫電子器件，主要是材料質量達不到器件水平和P型摻雜問題沒ZnOZnSeLEDLEDZnSe作用發出互補的黃光，從而形成白光光源。光材料，國家在根底爭論方面應賜予重視。外延技術進展趨勢：――改進兩步法生長工藝6機比較成熟，20夠。進展趨勢是兩個方向：一是開發可一次在反響室中裝入更多個襯底外延生長，更加適合于規模化生產的技術，以降低本錢；另外一個方向是高度自動化的可重復性的單片設備。――氫化物汽相外延(HVPE)技術GaNGaNHVPEGaN料純度的進一步提高。――選擇性外延生長或側向外延生長技術GaNGaN，再在其上沉積一層多晶態的SiO掩膜層，然后利用光刻和刻蝕技術，形成GaN窗口和掩膜層條。在隨GaNSiO上。――懸空外延技術(Pendeo-epitaxy)承受這種方法可以大大削減由于襯底和外延層之間晶格失配和熱失配引發的外延層中大量的晶格缺陷，從而進一步提高GaN外延層的晶體質量。首先在適宜的襯底上(6H-SiCSi)GaN進展選區刻蝕，始終深入到襯底。這樣就形成了GaN/緩沖層/襯底的柱狀構造GaNGaNGaNUVLEDLED可供UV光激發的高效熒光粉很多，其發光效率比目前使用的YAG：Ce體系高LED――開發多量子阱型芯片技術多量子阱型是在芯片發光層的生長過程中，摻雜不同的雜質以制造構造高發光效率，可降低本錢，降低包