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lithography今Introduction光刻給你的朋友照像時,如何才能留下潔凈室那美好的一瞬間,永久回憶?工藝流程1)光線:2)好的底片;3)好的相機:4)失真?光刻機5)本人天生面目?光刻膠掩膜版圖形曝光與刻蝕令圖形曝光(lithography,又譯光刻術)利用掩膜版(mask)上的幾何圖形,通過光化學反應,將圖案轉移到覆蓋在半導體晶片上的感光薄膜層上(稱為光致抗蝕劑、光刻膠或光阻,resist,簡稱抗蝕劑)的一種工藝步驟這些圖案可用來定義集成電路中各種不同區域,如離子注入、接觸窗(contactwindow)與壓焊(bonding-pad)區。圖形曝光與刻蝕刻蝕由圖形曝光所形成的抗蝕劑圖案,并不是電路器件的最終部分,而只是電路圖形的印模。為了產生電路圖形,這些抗蝕劑圖案必須再次轉移至下層的器件層上這種圖案轉移(patterntransfer)是利用腐蝕(etching)工藝,選擇性地將未被抗蝕劑掩蔽的區域去除。ULS對光刻有哪些基本要求?心高分辨率在集成電路工藝中,通常把線寬作為光刻水平的標志,一般也可以用加工圖形線寬的能力來代表集成電路的工藝水平。心高靈敏度的光刻膠光刻膠的靈敏度是指光刻膠的感光速度。產品的產量←→曝光時間確保光刻膠各項屬性均為優異的前提下,提高光刻膠的靈敏度ULSI對光刻有哪些基本要求?令低缺陷缺陷關系成品率◆精密的套刻對準集成電路芯片的制作需要經過多次光刻,在各次曝光圖形之間要相互套準。ULS的圖形線寬在1um以下,通常采用自對準技術。令大尺寸硅片上的加工ULS的芯片尺寸為1~2cm提高經濟效益和硅片利用率潔凈室(1)多塵埃粒子模版上的圖形圖1lL塵埃粒子的位置對掩棋版圖形的影響t潔凈室(2)令潔凈室的等級定義方式:(1)英制系統:·每立方英尺中直徑大于或等于05um的塵埃粒子總數不準超過設計等級數值。(2)公制系統每立方米中直徑大于或等于05um的塵埃粒子總數不準超過設計等級數值(以指數計算,底數為10)。潔凈室(3)例子:(1)等級為100的潔凈室(英制),直徑大于或等于05um的塵埃粒子總數不超過100個/t3(2)等級為M35的潔凈室(公制),直徑大于或等于05um的塵埃粒子總數不超過1035(約3500個/m3)令100個/ft3=3500個/m3一個英制等級100的潔凈室相當于公制等級M35的潔凈室。潔凈室(4)令對一般的IC制造普通房內空氣區域,需要等級100中的塵埃糧子彰的潔凈室,約比一般室內空氣低4個數量級令在圖形曝光的工作區域,則需要等級10或1的潔凈室。塵塊粒于大小(pm圖112塵

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