從真空管到超大規(guī)模集成電路，人類跨出了巨大的一步、半個世紀(jì)以來，電計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)的進(jìn)展。然而，進(jìn)一步小型化以及在減小能耗下提高運(yùn)作速度，幾乎是一種挑戰(zhàn)、由于電子器件是基于電子在物質(zhì)中的運(yùn)動，在納米區(qū)域內(nèi)，量子和是以光速運(yùn)動的粒子，以光子為載體的光子器件有比電子器件高得多的運(yùn)行速并且光子受到的相互作用遠(yuǎn)小于電子，因而光子器件的能量損耗小、效率高，人電子產(chǎn)業(yè)中的半導(dǎo)體材料，光子產(chǎn)業(yè)中也存在著一種根底材料——光子晶體〔PhotonicCrystals〕。光子晶體〔PhotonicCrystals〕是由具有不同介電常數(shù)〔折射率〕的材料依據(jù)子帶隙材料〔PhtonicBandGapMaterials〕。光子晶體將成為光電集成、光子的應(yīng)用前景使光子晶體成為當(dāng)今世界范圍的一個爭論熱點(diǎn)，得到了快速的進(jìn)展。硅材料是現(xiàn)代集成電路工業(yè)的根底性材料，是人類制備工藝最成熟、爭論最深入、了解最清楚的材料之一。硅的折射率較高〔1.1μmn=3.53〕，滿足完全光子帶隙的光子晶體的要求，且硅對通信領(lǐng)m1.55μm是透亮的，所以硅材料是制備光子晶體的良好材料。近幾年硅基光電集成取得了一些突破，爭論硅基光子晶體，將大大促進(jìn)硅基光電集成，全光集成技術(shù)的進(jìn)展。 光子晶體的寬闊的應(yīng)用前景使其成為當(dāng)今世界范圍的一個爭論熱本爭論方向著重爭論硅基光子晶體和二 點(diǎn)氧化硅蛋白石光子晶體的制備和性質(zhì)，爭論自組裝面心密排積存而成的反蛋白石構(gòu)造具有完全的光子帶隙。鑄造多晶硅及其他光電轉(zhuǎn)換材料現(xiàn)代工業(yè)的進(jìn)展，一方面加大對能源的需中釋放出大量的二氧化碳?xì)怏w，導(dǎo)致全球性的1.5％，美國護(hù)問題日益嚴(yán)峻的我國，低本錢高效率地利用太陽能尤為重要。PPN界負(fù)載供給電流。從本世紀(jì)70年月中期開頭了地面用太陽電池商品化以來，晶體硅就作為基20的濕化學(xué)腐蝕方法也是目前低本錢制備高效率電池的重要工藝。其中，碲化鎘(CdTe)和銅銦硒(CuInSe2)被生疏是兩種格外有前途的光伏材料，需要大量的工作去做。本試驗(yàn)室該爭論方向主要集中在對太陽能用直拉硅單晶和鑄造多晶硅中雜SiNx以及碲化鎘(CdTe)和銅銦硒(CuInSe2)等化合物太陽能電池材料的制備。18MOS揮重要作用。體器件要求的陣列化可控納米硅絲〔硅管〕CdS,ZnO,SiO2米絲，其長度、直徑和生長方向可以簡潔的調(diào)整。同時，爭論一維納米半導(dǎo)體材料的生長機(jī)理、Raman位移、PL光譜等性能。對于它們的結(jié)晶性能的改善、摻I-V特性、光波導(dǎo)、以及P-N結(jié)二極管特性方面也進(jìn)展了肯定的爭論和探討。PL、XRD、EDX、I-V人類經(jīng)受了石器時代，銅器時代和鐵器時代，在本世紀(jì)的六十年月進(jìn)入了21很快，并仍舊依據(jù)摩爾〔Moore〕定律進(jìn)展，目前，國際微電子工業(yè)已進(jìn)入深2000.18256MDRAM。微電子已成為國民經(jīng)濟(jì)的支柱產(chǎn)業(yè)，在國家經(jīng)濟(jì)、國防和科技的現(xiàn)代化上起著舉足輕重的作用。20－50料的科學(xué)爭論和技術(shù)進(jìn)步提出了的挑戰(zhàn)，它要求硅單晶材料“大直徑、無缺陷”。集成電路和硅單晶材料的大直徑化的根本動力在200300150-500億美圓，但直徑的增加，可以使每一硅片上的芯片數(shù)增加2.520-30%，因此，硅單晶材料的大直徑研制和進(jìn)展是必定的。隨著線寬的變小，在早期不成嚴(yán)峻問題的微缺陷問題200void實(shí)際上，當(dāng)單個缺陷的尺寸到達(dá)最小特征線寬的二分之一或三分之一時，將導(dǎo)致線路的失效。因此，硅材料的進(jìn)展，在今后20年中，其技術(shù)特征是大直徑化，其關(guān)鍵的問題則是：晶體的完整性。這完整性包括三方面，一是晶體生長中體材料的晶格完整，無缺陷。二是晶體加工過程中外表的完整性。三是器件制造過程中，器件有源區(qū)的晶格完整性。50l2技進(jìn)步獎十余項(xiàng)。8-12〔特〕大規(guī)模硅集成電路〔UL