現代半導體器件及先進制造知到章節測試答案智慧樹2023年最新浙江大學第一章測試

本征硅的費米能級位于：（）

參考答案:

略偏向

硼摻雜的硅中，下列說法正確的是：（）

參考答案:

空穴濃度大于電子濃度

抑制離子注入工藝中溝道效應的方法有（）。

參考答案:

襯底表面沉積非晶薄膜

;傾斜襯底

;升高襯底溫度

制造單晶硅襯底的方法包括（）。

參考答案:

直拉法

;區域熔融法

當硅中摻雜濃度越小時，費米能級越靠近Ei。（）

參考答案:

對

第二章測試

對于長溝道MOSFET器件，發生夾斷后，下面說法中正確的是（）。

參考答案:

Vg≥Vd+Vth

;溝道中漏極一側的電位為0

;Vg繼續增加，Id不會繼續增大

溝道長度縮短有可能對MOSFET器件產生哪些影響（）。

參考答案:

器件的漏極電流增大

;器件的集成度增加

;器件的可靠性劣化

有關MOSFET器件亞閾值擺幅（S）的說法錯誤的是（）

參考答案:

亞閾值擺幅的單位是mV

有關MOSFET器件特征長度的說法正確的是（）

參考答案:

溝道長度相等的器件，特征長度越小，DIBL越小

MOSFET器件的閾值電壓實際上是柵極MOS電容強反型區的起點。（）

參考答案:

對

第三章測試

下面有關浸沒式光刻技術的說法，正確的是（）

參考答案:

能夠減小光的波長

;能夠增大物鏡的數值孔徑

;由臺積電的工程師林本堅發明

相移光刻技術中，使光產生相位差的方法包括：（）

參考答案:

在掩膜板上的透光區域中添加移相器

;減小未沉積鉻區域的石英板厚度

;利用整面透光的石英板，改變局部區域的厚度

根據瑞利判據得到的光刻分辨率極限，表達式為（）

參考答案:

正光刻膠和負光刻膠中，光敏劑的作用分別是（）

參考答案:

提供自由基，交聯催化劑

光刻是集成電路制造過程中總成本最高的工藝。（）

參考答案:

對

第四章測試

有關半導體中載流子有效質量的說法正確的是（）

參考答案:

受到半導體晶格周期性勢場的影響

;電子和空穴可能具有不同的有效質量

張應變和壓應變影響硅溝道中載流子遷移率的共同原因有（）

參考答案:

減小載流子有效質量

;增加能級分裂，抑制能谷散射

在硅溝道場效應晶體管器件中，埋入式源漏技術能夠產生何種應變（）

參考答案:

既有可能產生張應變，又有可能產生壓應變

對于高集成密度的n型溝道的SiFinFET器件，合適的產生應變的技術是（）

參考答案:

SiGe虛擬襯底技術

應變硅技術從90納米技術節點開始進入量產。（）

參考答案:

對

第五章測試

有關High-k/metalgate技術的說法正確的是（）

參考答案:

能夠減小柵氧化層中的電場強度

;從45納米技術節點開始進入量產

作為High-k柵氧化層的材料，需要具備下面哪些特點（）

參考答案:

需要具有較好的穩定性

;需要具有合適的能帶結構

;需要具有較高的k值

下面哪種方法能夠減小Si柵極堆垛的EOT（）

參考答案:

利用high-k材料替代二氧化硅柵絕緣層

;利用金屬柵替代多晶硅柵

;應用Scavenging技術

;減薄柵絕緣層的厚度

幾種薄膜沉積方法中，三維表面包覆能力由強到弱依次為：ALD、PECVD、電子束蒸鍍。（）

參考答案:

對

Scavenging技術實質上是氧化還原反應。（）

參考答案:

對

第六章測試

根據傳輸線模型，有關場效應晶體管器件源漏接觸電阻的說法正確的是（）

參考答案:

源漏接觸金屬下方的電流密度不均勻

;分為長接觸極限和短接觸極限兩種特例

當互聯的最小特征尺寸減小時，下面說法錯誤的是（）

參考答案:

互聯延時增大

;互聯寄生電阻增大

Al互聯中不包含下面那個結構（）

參考答案