第三章和硅片制備_第1頁
第三章和硅片制備_第2頁
第三章和硅片制備_第3頁
第三章和硅片制備_第4頁
第三章和硅片制備_第5頁
已閱讀5頁，還剩39頁未讀， 繼續免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

東南大學無錫第三章和硅東南大學無錫分東南大學無錫分東南大學無錫 礦石↑沙子、石東南大學無錫分1SiC(s)+SiO2(s)→Si(l)+SiO(g)+CO2Si(s)+3HCl(g)→SiHCl3(g)+H2(g)+32SiHCl3(g)+2H2(g)→2Si(s)+6HCl多晶和單晶結東南多晶和單晶結東南大學無錫分東南大學無錫分§3.2單晶硅生晶體生長：半導體級多晶硅轉變為單晶

東南大學無錫分硅

特點：工藝成熟，拉制大直較高，但 來自石英坩堝和加熱裝置的雜質污染東南大學無錫分需要的材料：電子級純度的硅, 生長系統（500℃左右，籽晶（直徑0.5cm,10cm長）降料相接（300mm以上，長度一般1~2m)CZ東南大學無錫分CZCZ法的兩個關鍵問題東南大學無錫分氣 多晶棒(硅

特點：含氧量極少，能生東南大學無錫分CZ法與FZ法比東南大CZ法與FZ法比CZ

東南大學無錫分東南大學無錫分

直徑：50mm100mm125mm150mm

更大直徑硅東南大學無錫分 §3.3硅中的晶體缺§3.3硅中的晶體缺

東南大學無錫分點缺東南大學無錫點缺

東南大學無錫分

東南大學無錫分

東南大學無錫分

東南大學無錫分東南大學無錫分§3.4硅片

東南大學無錫分單晶生單晶硅單晶去和徑向定位邊磨硅片切

倒粘硅片刻查硅 的基本工藝步

東南大學無錫分 整刻整刻檢切拋切拋包東南大學無錫分PreparingcrystalingotforDiameter（徑向研磨Flat（定位邊研磨東南大學無東南大學無錫分定位 被刻印標識數硅片定位槽和激光刻東南大學無錫分 鋸內圓切東南大學無錫分磨片剛玉或砂等配東南大學無錫分倒東南大學無錫分倒倒角形狀

倒角的目的1、防止晶圓邊緣2、防止熱應力集東南大學無錫分通常，腐蝕硅表面東南大學無錫分雙面硅片拋東南大雙面硅片拋200mm硅片厚度和表面粗200mm硅片厚度和表面粗糙度變

硅片要

年(標準尺寸

東南大學無錫分(0.35(0.25(0.18(0.13硅片直徑(mmx(22x(26x26x26x24232322(缺陷數(%uniformity) 3.0( 2.0( 1.4( 1.0(§3.5外延東南大學§3.5外延外延epitaxial在上面epi排列東南大學無錫分東南大學無錫分外延東南大學無

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論