【會做物構】2020屆高三化學二輪物質結構題型專攻-晶體結構與性質【提升專練】_第1頁
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第=page11頁,共=sectionpages11頁第=page22頁,共=sectionpages22頁【會做物構】2020屆高三化學二輪物質結構題型專攻——晶體結構與性質【提升專練】一、單選題(本大題共20小題,共20.0分)我國科學家制得了SiO2超分子納米管,微觀結構如圖.下列敘述正確的是(????)A.SiO2與干冰的晶體結構相似

B.SiO2耐腐蝕,不與任何酸反應

C.工業上用SiO2制備粗硅下列變化中,吸收的熱量用于克服分子間作用力的是(????)A.液溴受熱變成溴蒸氣 B.加熱金剛石使之熔化

C.加熱食鹽使之熔化 D.加熱碘化氫使之分解下列說法正確的是(????)

A.鈦和鉀都采取圖1的堆積方式

B.圖2為金屬原子在二維空間里的非密置層放置,此方式在三維空間里堆積,僅得簡單立方堆積

C.圖3是干冰晶體的晶胞,晶胞棱長為a

cm,則在每個CO2周圍距離相等且為22acm的CO2有8個

D.下圖所示是晶體結構中具有代表性的最小重復單元的排列方式,其對應的化學式正確的是(白球、黑球、花球分別代表X、Y、Z)A.X2Y B.XY3 C.金屬能導電的原因是(????)A.金屬陽離子與自由電子間的作用較弱

B.金屬在外加電場作用下可失去電子

C.金屬陽離子在外加電場作用下可發生定向移動

D.自由電子在外加電場作用下可發生定向移動下列說法正確的是(????)A.共價化合物中可能含有離子鍵 B.離子化合物中一定沒有共價鍵

C.分子晶體中一定有共價鍵 D.原子晶體一定只有共價鍵關于晶體的下列說法正確的是(????)A.化學鍵都具有飽和性和方向性

B.晶體中只要有陰離子,就一定有陽離子

C.氫鍵具有方向性和飽和性,也屬于一種化學鍵

D.金屬鍵由于無法描述其鍵長、鍵角,故不屬于化學鍵下列不屬于晶體的特點是(????)A.無色透明的固體 B.自范性

C.固定的熔點 D.各向異性關于晶體的下列說法正確的是(

)①在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子,只要有陽離子就一定有陰離子;②分子晶體的熔點一定比金屬晶體的低;③晶體中分子間作用力越大,分子越穩定;④離子晶體中,一定存在離子鍵;⑤分子晶體中,一定存在共價鍵;⑥原子晶體中,一定存在共價鍵;⑦熔融時化學鍵沒有破壞的晶體一定是分子晶體A.②④⑥ B.④⑤⑦ C.④⑥⑦ D.③④⑦下列說法正確的是(????)A.若把H2S分子寫成H3S分子,違背了共價鍵的飽和性

B.晶體中若有陽離子一定有陰離子

C.下列物質中,均直接由原子構成的是:①干冰;②二氧化硅;③水蒸氣;④金剛石;⑤單晶硅;⑥白磷;⑦硫磺;⑧液氨;⑨鈉;⑩氖晶體(????)A.②③④⑤ B.②③④⑤⑨⑩

C.②④⑤⑩ D.②④⑤⑥⑦⑨⑩一種新型材料B4C3,它可用于制作切削工具和高溫熱交換器.關于BA.B4C3是一種分子晶體

B.B4C3是一種離子晶體

C.B4C3根據下表給出的幾種物質的熔點、沸點數據判斷說法中錯誤的是(????)晶體NaClMgCAlCSiC單質R熔點810℃710℃180℃?70℃2300℃沸點1465℃1418℃177.8℃57℃2500℃A.AlCl3為離子晶體 B.MgCl2為離子晶體

C.SiCl4有分子構成的物質是(????)A.NaCl B.HC1 C.Fe D.N下列說法中,正確的是(????)A.構成分子晶體的微粒一定含有共價鍵

B.在結構相似的情況下,原子晶體中的共價鍵越強,晶體的熔、沸點越高

C.某分子晶體的熔、沸點越高,分子晶體中共價鍵的鍵能越大

D.分子晶體中只存在分子間作用力而不存在任何化學鍵,所以其熔、沸點一般較低下面的排序不正確的是(????)A.晶體熔點由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4??????

B.硬度由大到小:金剛石下列有關晶體的敘述中錯誤的是(????)A.石墨的層狀結構中由共價鍵形成的最小的碳環上有六個碳原子

B.氯化鈉晶體中每個Na+周圍緊鄰的有6個Cl?

C.CsCl晶體中每個Cs+周圍緊鄰的有8個Cl?,每個Cs下列各組物質各自形成晶體,均屬于分子晶體的化合物是(????)A.NH3、HD、C10H18 B.PCl3、CO2、H2SO4

根據下列性質判斷,屬于原子晶體的物質是(????)A.熔點2

700℃,導電性好,延展性強

B.無色晶體,熔點3

500℃,不導電,質硬,難溶于水和有機溶劑

C.無色晶體,能溶于水,質硬而脆,熔點800℃,熔化時能導電

D.熔點?56.6℃,微溶于水,硬度小,固態或液態時不導電已知鑭鎳合金LaNin的晶胞結構如圖,則LaNin中n為A.7 B.6 C.4 D.5二、簡答題(本大題共4小題,共20.0分)已知A、B、C、D四種元素均為短周期元素,原子序數依次增大,E為前30號元素。元素特點A其氫化物呈三角錐形,氫化物水溶液顯堿性B基態原子核外有三個能級,其中最外層電子數等于次外層電子數的3倍C基態原子占據兩種形狀的原子軌道,且最外層電子數等于最內層電子數D元素原子的外圍電子層排布式為nE原子M能級為全充滿狀態且核外的未成對電子只有一個請回答下列問題:

(1)AF3分子中A原子雜化類型為______,該分子的空間構型為______。

(2)基態C原子核外電子排布式為______。第一電離能:A______B.(填“大于”、“小于”或“等于”)

(3)A、B、D電負性大小順序為______(用元素符號表示)。D60模型如圖1所示,一個D60分子中π鍵的數目為______,σ

鍵的數目為______。

(4)E元素與A元素形成某種化合物(摩爾質量為M

g/mol)的晶胞結構如圖2所示,若該晶體的密度為ρ

g?c硅是重要的半導體材料,構成了現代電子工業的基礎。回答下列問題:

(1)基態Si原子中,電子占據的最高能層符號,該能層具有的原子軌道數為______,基態Si原子的價電子排布圖為______。

(2)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,其中原子與原子之間以相結合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻______個原子。

(3)硅烷(SiH4)分子的空間構型是______。

(4)甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)沸點較高的是______,原因是______。

(5)SiH4的穩定性小于CH4,原因是______。

(6)在硅酸鹽中,SiO44?四面體(如下圖(a)有A、B、C、D、E、F六種元素,A是周期表中原子半徑最小的元素,B是電負性最大的元素,C的2p軌道中有三個未成對的單電子,F原子核外電子數是B與C核外電子數之和,D是主族元素且與E同周期,E能形成紅色(或磚紅色)的E2O和黑色的EO兩種氧化物,D與B可形成離子化合物其晶胞結構如右圖所示.請回答下列問題.

(1)E元素原子基態時的價電子排布式為______;

(2)A2F分子中F原子的雜化類型是______;

(3)C元素與氧形成的離子CO2?的立體構型是______;寫出一種與CO2?互為等電子體的分子的分子式______;

(4)將E單質的粉末加入CA3的濃溶液中,通入O2,充分反應后溶液呈深藍色,該反應的離子方程式是______;

(5)從圖中可以看出,D跟B形成的離子化合物的化學式為由N、P、S、Cl、Ni等元素組成的新型材料有著廣泛的用途,請回答下列問題:

(1)基態

N的原子核外______種運動狀態不同的原子,基態

P原子核外電子排布式為______,P、S、Cl的第一電離能由大到小順序為______。

(2)PCl3分子中的中心原子雜化軌道類型是______,該分子構型為______。

(3)PCl3?

是一種無色的液體,遇水容易水解生成兩種酸,則方程式______。

(4)已知MgO與NiO的晶體結構(如圖1)相同,其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66

pm和69pm。則熔點:MgO______NiO(填“>”、“<”或“=”),理由是______。

(5)金剛石晶胞含有______個碳原子。若碳原子半徑為r,金剛石晶胞的邊長為a,根據硬球接觸模型,則r=______a,列式表示碳原子在晶胞中的空間占有率______(請用r和答案和解析1.【答案】C

【解析】解:A、SiO2是原子晶體而干冰是分子晶體,結構不相似,故A錯誤;

B、SiO2耐腐蝕,與氫氟酸反應,故B錯誤;

C、工業上用SiO2與焦炭反應生成一氧化碳和粗硅,故C正確;

D、光纖主要成分是SiO2,晶體硅具有導電性,而二氧化硅不導電,故D錯誤;

故選C.

A、SiO2是原子晶體而干冰是分子晶體,結構不相似;

B、SiO2耐腐蝕,與氫氟酸反應;

C、工業上用SiO2【解析】解:A.液溴為分子晶體,受熱蒸發變成溴蒸氣,克服的是分子間作用力,故A正確;

B.金剛石晶體中原子間是共價鍵,加熱晶體使之熔化克服的是共價鍵,故B錯誤;

C.氯化鈉晶體是離子晶體,微粒間的作用力是離子鍵,故C錯誤;

D.碘化氫分解,發生化學鍵的斷裂,克服的是共價鍵,故D錯誤;

故選:A。

先根據晶體類型,再判斷斷鍵方式,再判斷克服的作用力;分子間作用力存在于分子晶體中,注意化學鍵與分子間作用力的區別.

本題考查物質的成鍵方式,此類題的解題方法是:先判斷斷鍵方式,再判斷克服的作用力,題目難度不大.

3.【答案】D

【解析】解:A.圖1表示的堆積方式為A3型緊密堆積,K采用A2型緊密堆積,故A錯誤;

B.在二維空間里的非密置層放置,在三維空間堆積形成A2型緊密堆積,得到體心立方堆積,故B錯誤;

C.干冰晶體的晶胞屬于面心立方晶胞,配位數為12,即每個CO2周圍距離相等且為22acm的CO2有12個,故C錯誤;

D.該晶胞類型為面心立方,則堆積方式為A1型密堆積,即金屬原子在三維空間里以密置層采取ABCABC…堆積,故D正確;

故選D.

A.根據圖1判斷緊密堆積方式判斷;

B.在二維空間里的非密置層放置,在三維空間堆積形成A2型緊密堆積,據此判斷;

C.判斷晶胞類型,根據配位數判斷;【解析】【分析】本題考查了晶胞的有關計算,難度不大,利用均攤法計算晶胞中含有的原子個數之比解答,注意根據晶胞結構確定每個原子為幾個晶胞共用。【解答】A.圖中X為1,Y的個數為8×18=1,化學式為XYB.圖中X為1+4×18=32,Y為4×C.圖中X為8×18=1,Y為6×12=3,Z為D.圖中X為8×18=1,Y為12×14=3,Z為故選C。

5.【答案】D

【解析】解:金屬屬于金屬晶體,含有金屬陽離子和自由電子,在外加電場作用下電子可發生定向移動,所以能夠導電,

故選:D.

金屬屬于金屬晶體,是由金屬陽離子與自由電子通過金屬鍵結合而成,金屬能導電,是由于金屬晶體中存在自由移動的電子,在外加電場作用可發生定向移動,以此解答該題.

本題考查金屬晶體的性質,題目難度不大,明確金屬晶體的構成是解題關鍵,注意把握金屬晶體的導電性、導熱性以及延展性的性質.

6.【答案】D

【解析】解:A.含離子鍵的化合物一定為離子化合物,則共價化合物中不可能含有離子鍵,故A錯誤;

B.離子化合物中可以存在共價鍵,如NaOH等,故B錯誤;

C.由稀有氣體形成的晶體中不存在化學鍵,由多原子形成的分子晶體中存在共價鍵,故C錯誤;

D.原子晶體中的作用力為共價鍵,則原子晶體一定只有共價鍵,故D正確;

故選D.

A.含離子鍵的化合物一定為離子化合物;

B.離子化合物中可以存在共價鍵;

C.由稀有氣體形成的晶體中不存在化學鍵;

D.原子晶體中的作用力為共價鍵.

本題考查晶體類型及化學鍵,注意晶體類型與化學鍵的關系,并學會利用實例的方法來分析解答,題目難度不大.

7.【答案】B

【解析】解:A.離子鍵通過陰陽離子之間的相互作用形成,離子鍵沒有方向性和飽和性,共價鍵是原子之間通過共用電子對形成,所以共價鍵有方向性和飽和性,故A錯誤;

B.在晶體中有陰離子,根據物質呈電中性,有陰離子,那么一定有陽離子中和陰離子的電性,故B正確;

C.氫鍵飽和性,是指一個氫原子只能和一個氧(氟,氮)原子,形成氫鍵,而不能同時和多個原子形成氫鍵;方向性,是指氫鍵是有一定鍵角,但氫鍵屬于分子間作用力,不屬于化學鍵,故C錯誤;

D.金屬鍵是金屬陽離子和自由電子這兩種帶異性電荷的微粒間的強烈相互作用,金屬鍵沒有方向性和飽和性,無法描述其鍵長、鍵角,但屬于化學鍵,故D錯誤;

故選:B。

A.離子鍵通過陰陽離子之間的相互作用形成,離子鍵沒有方向性和飽和性,而共價鍵有方向性和飽和性;

B.晶體中只要有陰離子,就一定有陽離子中和陰離子的電性;

C.氫鍵具有方向性和飽和性,但不屬于化學鍵;

D.金屬鍵由于無法描述其鍵長、鍵角,但屬于化學鍵;

本題考查化學鍵知識,熟悉化學鍵種類并掌握其特征是解答的關鍵,題目概念性強,注意集中化學鍵的區別和聯系,注意氫鍵不屬于化學鍵,題目難度不大.

8.【答案】A

【解析】解:晶體(單晶體和多晶體)和非晶體的區別:(1)單晶體有整齊規則的幾何外形;(2)晶體有固定的熔點;(3)單晶體有各向異性的特點,晶體不一定是無色透明的固體,例如晶體不一定是無色透明的固體,如硫酸銅晶體為藍色,但有些非晶體無色透明,如玻璃,

故選:A.

晶體具有自范性、各向異性和固定的熔沸點,晶體不一定是無色透明的固體,據此解答.

本題考查了晶體的特點,把握晶體的性質是解題關鍵,題目難度不大.

9.【答案】C

【解析】【分析】主要考查晶體的類型與物質的性質的相互關系及應用,題目難度不大。【解答】①晶體只要有陽離子不一定有陰離子,如金屬晶體含有組成微粒為陽離子和電子,故①錯誤;

②Hg為金屬,但常溫下為液體,熔點較低,常溫下固體分子晶體比Hg的熔點高,故②錯誤;

③分子的穩定性屬于化學性質,與共價鍵有關,分子間作用力與穩定性無關,故③錯誤;

④離子晶體由陰陽離子構成,離子之間的作用力為離子鍵,則離子晶體中一定存在離子鍵,故④正確;

⑤單原子分子不存在共價鍵,只存在分子間作用力,故⑤錯誤;

⑥原子晶體中非金屬原子之間的作用力為共價鍵,故⑥正確;

⑦分子晶體融化時,只破壞分子間作用力,化學鍵沒有破壞,故⑦正確;綜合上述,④⑥⑦正確,故C正確。故選C。

10.【答案】A

【解析】試題分析:A.S原子的最外層有6個電子,原子要達到8電子的穩定結構少2個電子,所以1個S原子能與2個H原子形成2對共用電子對,就得到了8電子的穩定結構,而H原子則達到了K層的2電子的穩定結構,若若把H2S分子寫成H3S分子,就違背了原子的違背了8電子的穩定結構,同時也不符合共價鍵的飽和性的原則。正確。

B.在金屬晶體中含有金屬陽離子,但是沒有陰離子。帶負電荷的微粒是電子。因此若有陽離子不一定有陰離子。錯誤。

C.金屬鍵存在于金屬單質及合金中。錯誤。

D.對于惰性氣體來說,其是由分子構成的晶體。每個原子就是宇哥分子,所以在惰性氣體的分子晶體中就不存在化學鍵。錯誤。故選A.

考點:考查共價鍵的飽和性、化學鍵、金屬鍵及陽離子在物質中存在的知識。

【解析】解:①干冰晶體屬于分子晶體,由二氧化碳分子構成;

②二氧化硅是原子晶體,由C、O原子直接構成;

③水蒸氣屬于分子晶體,由水分子構成;

④金剛石屬于原子晶體,由C原子直接構成;

⑤單晶硅原子晶體,由Si原子直接構成;

⑥白磷屬于分子晶體,由P4分子構成;

⑦硫磺分子晶體,由分子構成;

⑧液氨可以形成分子晶體,由分子構成;

⑨鈉屬于金屬晶體,由金屬陽離子Na+和自由電子構成構成;

⑩氖晶體屬于分子晶體,是單原子分子,由氖原子構成;

故由原子直接構成的物質有②④⑤⑩.

故選C.

直接由原子構成的物質由稀有氣體與原子晶體等,常見的原子晶體有:一些非金屬單質,如金剛石、硼、硅等;一些非金屬化合物,如二氧化硅、碳化硅、氮化硼等.

本題考查晶體類型判斷等,比較基礎,難度不大,掌握常見的原子晶體,注意稀有氣體為單原子分子.

12.【解析】解:B4C3由非金屬性元素組成,不可能為離子晶體,可用于制作切削工具和高溫熱交換器,說明熔點高,應為原子晶體,不存在單個分子,構成微粒為原子.

故選:C.

B4C3由非金屬性元素組成,可用于制作切削工具和高溫熱交換器,說明熔點高,應為原子晶體.

【解析】解:晶體熔沸點高低順序是:原子晶體>離子晶體>分子晶體,根據表中數據知,NaCl、MgCl2都屬于離子晶體,AlCl3、SiCl4都屬于分子晶體,R熔沸點較高,所以R可能屬于原子晶體,

A.氯化鋁熔沸點較低,所以氯化鋁為分子晶體,故A錯誤;

B.MgCl2晶體熔沸點越高,所以是離子晶體,故B正確;

C.SiCl4熔沸點較低,屬于分子晶體,故C正確;

D.R熔沸點較高,所以R可能屬于原子晶體,故D正確;

故選A.

晶體熔沸點高低順序是:原子晶體>離子晶體>分子晶體,根據表中數據知,NaCl、MgCl2都屬于離子晶體,AlCl3、SiCl【解析】解:A、NaCl是離子化合物,由離子構成,無分子,故A錯誤;

B、HCl是分子晶體,由HCl分子構成,故B正確;

C、Fe是金屬單質,由原子構成,無分子,故C錯誤;

D、NH4Cl是離子化合物,由離子構成,無分子,故D錯誤。

故選:B。

由分子構成的是分子晶體據此分析。

本題考查了物質的構成,難度不大,應注意的是由分子構成的是分子晶體,離子晶體和原子晶體中無分子。

15.【解析】【分析】本題考查化學鍵、物質熔沸點高低判斷。【解答】A.構成分子晶體的微粒不一定含有共價鍵,如稀有氣體元素形成的晶體,故A錯誤;B.在結構相似的情況下,原子晶體中的共價鍵越強,晶體的熔沸點越高,故B正確;C.分子晶體熔沸點的高低決定于分子間作用力的大小,與共價鍵鍵能的大小無關,故C錯誤;D.分子晶體中基本構成微粒間的相互作用是分子間的作用力,多數分子中存在化學鍵,但化學鍵不影響分子晶體的熔沸點,故D錯誤。故選B。

16.【答案】D

【解析】【分析】

本題考查晶體的物理性質,側重考查晶體熔沸點的比較,明確晶體類型及不同類型晶體熔沸點的比較方法是解答本題的關鍵,選項A為解答的難點,題目難度中等。

【解答】

A.分子晶體的相對分子質量越大,熔沸點越大,則晶體熔點由低到高順序為CF4<CCl4<CBr4<CI4,故A正確;

B.鍵長越短,共價鍵越強,硬度越大,鍵長C?C<C?Si<Si?Si,則硬度由大到小為金剛石>碳化硅>晶體硅,故B正確;

C.離子半徑越小、離子鍵越強,則晶格能越大,F、Cl、Br、I的離子半徑在增大,則晶格能由大到小:NaF>NaCl>NaBr>NaI,故C正確;

D.金屬離子的電荷越大、半徑越小,其熔點越大,則熔點由高到低為Al>Mg>Na,故【解析】【分析】

本題考查了晶體結構,了解典型晶體的構型是解本題關鍵,離子晶體中離子配位數的判斷是常考查點,也是學習難點.

【解答】

A.石墨是層狀結構,每層石墨中,每個碳原子被3個環共用,由共價鍵形成的最小的碳環上有六個碳原子,所以平均每個環含有2個碳原子,故A正確;

B.氯化鈉晶體中鈉離子的配位數是6,所以每個Na+周圍緊鄰的有6個Cl?,故B正確;

C.氯化銫晶體中,銫離子的配位數是8,所以每個Cs+周圍緊鄰的有8個Cl?,每個Cs+周圍等距離緊鄰的有6個Cs+,故C正確;

D.面心立方晶體中,晶胞立方體每個頂點上都有一個原子,面心上都有一個原子,所以每個金屬原子周圍緊鄰的金屬原子有3×8×【解析】【分析】考查常見物質晶體類型判斷等,難度不大,掌握常見物質晶體類型及常見分子晶體。【解答】A.NH3、C10H18?屬于分子晶體的化合物,HD為單質,不是化合物,故A錯誤;

B.PCl3、CO2、H2SO4屬于分子晶體的化合物,故B正確;

C.SO2、P2O5屬于分子晶體的化合物,SiO2

19.【答案】B

【解析】解:A.熔點2700℃,導電性好,延展性強,是金屬晶體具有的物理性質,故A錯誤;

B.無色晶體,熔點3

500℃,不導電,質硬,難溶于水和有機溶劑,此性質為原子晶體的物理性質,故B正確;

C.無色晶體,能溶于水,質硬而脆,熔點800℃,熔化時能導電,該性質為金屬晶體的物理性質,故C錯誤;

D.熔點?56.6℃,微溶于水,硬度小,固態或液態時不導電,屬于分子晶體的物理性質,故D錯誤.

故選B.

原子晶體的特點為:硬度大、熔沸點高、不導電、不溶于水和有機溶劑,據此可以判斷B為原子晶體;然后根據各晶體的結構與性質可知:而A為金屬晶體、C為離子晶體、D為分子晶體.

該題主要考查了原子晶體與其它晶體在熔沸點、硬度、密度等方面的區別,題目難度不大,學習時需理解各類晶體具有的物理性質方面及區別,明確性質差別的根本原因是構成的化學鍵類型不同.

20.【答案】D

【解析】解:由圖可知,晶胞中La原子數目為2×12+12×16=3,Ni原子數目為6+18×12=15,故1:n=3:15=1:5,則n=5,故選:D。

La處于頂點與面心,面心貢獻率為12,頂點貢獻率為16;有6個Ni處于晶胞內部,18個處于面上,內部貢獻率為1,面上貢獻率為12,均攤法計算晶胞中La、Ni原子數目確定n的值。

本題考查晶胞計算,關鍵是明確原子在晶胞中位置及各位置的貢獻率,掌握均攤法進行晶胞有關計算。

21.【答案】sp3

【解析】解:通過以上分析知,A、B、C、D、E分別是N、O、Mg、Si、Cu元素;

(1)NF3分子中N形成三個σ鍵,和一對孤對電子對,所以中心原子氮的雜化類型為sp3;該分子的空間構型為三角錐形,故答案為:sp3;三角錐形;

(2)鎂的基態原子的電子式為:1s22s22p63s2,氮的價電子排布為:1s22s22p3,而氧元素的價電子排布為:1s22s22p4,氮的價電子排布式2p軌道是半滿的穩定狀態,所以第一電離能:A>B,

故答案為:1s22s22p63s2;>;

(3)非金屬性越強電負性越大,非金屬性:O>N>Si,所以電負性:O>N>Si,C60分子中每個原子只跟相鄰的3個原子形成共價鍵,且每個原子最外層都滿足8電子穩定結構,則每個C形成的這3個鍵中,必然有1個雙鍵,這樣每個C原子最外層才滿足8電子穩定結構,雙鍵數應該是C原子數的一半,而每個雙鍵有1個π鍵,每個C原子含有0.5個π鍵,每個C原子含有σ

鍵個數=3×12=1.5,C60分子中含有30個π鍵、90個σ

鍵;

故答案為:O>N>Si;

30;90;

(4)根據原子大小知,小球表示N原子、大球表示Cu原子,N原子個數=8×18=1、Cu原子個數=12×14=3,其化學式為Cu3N,V=mρ=MNAρcm3=MρNAcm3,

故答案為:MρNA。

A、B、C、D四種元素均為短周期元素,原子序數依次增大,E為前30號元素,A其氫化物呈三角錐形,氫化物水溶液顯堿性,則A為N元素;

B基態原子核外有三個能級,其中最外層電子數等于次外層電子數的3倍,其最外層為K層,則B原子核外有8個電子,為O元素;

C基態原子占據兩種形狀的原子軌道,且最外層電子數等于最內層電子數,則最外層電子數為2,只有s、p軌道,為Mg元素;

D元素原子的外圍電子層排布式為nsn?1npn?1,s能級上最多排列2個電子,則n=3,其外圍電子排布式為3s23p2,為Si元素;

E原子M能級為全充滿狀態且核外的未成對電子只有一個,原子序數小于30,為Cu元素;

通過以上分析知,A、B、C、D、E分別是N、O、Mg、Si、Cu元素;

(1)NF3分子中N形成三個σ鍵和一對孤對電子對,價層電子對個數是4,且含有一個孤電子對,根據價層電子對互斥理論判斷【解析】解:(1)Si原子價電子排布式為3s23p2,最高能層為第3能層,能層符號為M,該能層具有的原子軌道數為9,價電子排布圖為:,

故答案為:M;9;;

(2)單質硅存在與金剛石結構類似的晶體,硅晶胞中Si原子處于頂點、面心與體內,晶胞內部含有4個Si原子,頂點貢獻率為18、面心貢獻率為12,其中在面心位置貢獻Si原子數目為6×12=3,

故答案為:3;

(3)硅烷(SiH4)分子與甲烷(CH4)分子空間構型相同,硅烷(SiH4)分子的空間構型是正四面體,

故答案為:正四面體;

(4)SiH4、CH4結構相似,SiH4的相對分子質量更大,分子間作用力更強,沸點高于CH4的,

故答案為:SiH4;SiH4、CH4結構相似,SiH4的相對分子質量更大,分子間作用力更強;

(5)由于硅元素的非金屬性比碳元素的弱,故SiH4的穩定性小于CH4,

故答案為:硅元素的非金屬性比碳元素的弱;

(6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO44?)為正四面體結構,所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式;圖(b)為一種無限長層狀結構的多硅酸根,圖(b)中一個SiO44?四面體結構單元中其中有3個氧原子的貢獻率為12,SiO44?四面體結構單元含有1個硅、氧原子數目=1+3×12=2.5,Si、O原子數目之比為1:2.5=2:5,故化學式為(Si2O5)n2n?,

故答案為:sp3;2:5;(Si2O5)n2n?。

(1)Si原子價電子排布式為3s23p2,最高能層為第3能層,結合泡利原理、洪特規則畫出價電子排布圖;【解析】【分析】

(5)從圖中可以看出,晶胞中含有Ca的離子個數為8×18+6×12=4,含有F的離子個數為8,二者比值為1:2,則化學式為CaF

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