系統擴展技術第一頁，共五十七頁，2022年，8月28日第1章:微機原理概述第2章:單片機概述第3章:MCS-51單片機的硬件結構(*)第4章:MCS-51單片機指令系統(*)第5章:MCS-51單片機程序設計(*)第7章:MCS-51的定時器/計數器(*)第6章:MCS-51的中斷系統(*)第8章:MCS-51的串行口(*)第9章:系統擴展技術第10章:模擬接口第11章:人機交互接口課程內容2第二頁，共五十七頁，2022年，8月28日本講主要內容存儲器的擴展輸入/輸出及其控制方式81C55接口芯片及其應用LCD接口及其擴展第9章系統擴展技術3第三頁，共五十七頁，2022年，8月28日1、存儲器定義在微機系統中凡能存儲程序和數據的部件統稱為存儲器。2、存儲器分類微機系統中的存儲器分為內存和外存兩類。3、內存儲器的組成微機系統中的存儲器由半導體存儲器芯片組成。單片機內部有存儲器，當單片機內部的存儲器不夠用時，可以外擴存儲器。外擴的存儲器就是由半導體存儲器芯片組成的。當用半導體存儲器芯片組成內存時必須滿足2個要求：①每個存儲單元一定要有8個位。②存儲單元的個數滿足系統要求。注意：內存的容量是指它所含存儲單元的個數（每個存儲單元一定要有8個位，可以存儲8位二進制信息）。外存的存儲容量大，存取速度慢；它不能直接與CPU交換信息，必須經過內存實現；常用的有硬盤、軟盤和光盤。內存的存儲容量有限，存放將要運行的程序和數據，存取速度快，可以直接與CPU交換信息。9.1存儲器的擴展存儲器概述第四頁，共五十七頁，2022年，8月28日由于集成工藝水平的限制，一個半導體存儲器芯片上所集成的單元個數和每個單元的位數有限，用它構成內存時必須滿足：內存容量和一個存儲單元有8個位的要求，因此內存常常由多個半導體存儲器芯片構成。

半導體存儲器芯片的存儲容量是指其上所含的基本存儲電路的個數，用單元個數×位數表示。掌握：①已知內存容量和半導體存儲器芯片的容量，求用半導體存儲器芯片構成內存時需要的芯片個數。②內存的容量=末地址-首地址+1

半導體存儲器芯片分成ROM和RAM兩類。9.1.2半導體存儲器第五頁，共五十七頁，2022年，8月28日1、ROM簡介

ROM是只讀存儲器，ROM中的信息是用寫錄器寫入的，一旦寫入，其上的信息就不能隨意更改，其內的信息可以由CPU讀出，但不能由CPU通過指令寫入。2、ROM特性

ROM具有非易失性，即掉電后其上的信息不消失，常常用于存儲程序和固定的數據表格。3、ROM分類：①掩膜ROM——其上的程序由廠家用特殊工藝寫入，結構簡單，集成度高，但成本也高，適用于大批量產生。②PROM——出廠時，其上未存任何信息；用戶可以用編程器寫入，一旦寫入其上的程序就不能再更改。③EPROM——出廠時，其上未存任何信息；用戶可以用編程器寫入，也可以用紫外線整片擦除。④E2PROM——出廠時，其上未存任何信息；用戶可以用編程器寫入，也可以用電信號整字節擦除。ROM芯片第六頁，共五十七頁，2022年，8月28日Intel2764的容量為8K×8，有28個引腳。各引腳的功能如下：?A12~A0：13根地址輸入線。用于尋址片內的8K個存儲單元。?D7~D0：8根雙向數據線，正常工作時為數據輸出線。編程時為數據輸入線。?CE：選片信號。低電平有效。當該信號為0時表示選中此芯片。?OE：輸出允許信號。低電平有效。當該信號為0時，芯片中的數據可由D0～D7端輸出。?VPP：編程時，編程電壓（+25V）輸入端。?PGM：編程脈沖輸入端。對EPROM編程時，

在該端加上編程脈沖。讀操作時該信號為1。?Vcc：+5v電源。?GND：地。

已知芯片容量，求芯片數據線和地址線條數。若半導體存儲器芯片的容量為a×b，則其數據線條數為b條，地址線條數n滿足如下關系：2n=a4、典型ROM芯片2764第七頁，共五十七頁，2022年，8月28日1、RAM簡介

RAM是隨機讀寫存儲器，其中的信息由CPU通過指令讀寫movx@dptr,a,movxa,@dptr2、RAM特性

RAM具有易失性，即掉電后其上的信息消失，故用于存儲臨時性數據。3、RAM分類：RAM分為2類：雙極型和MOS型(MOS型RAM因其集成度高，功耗低，價格便宜而得到廣泛應用)。MOS型RAM又分為SRAM和DRAM。4、典型RAM芯片6264RAM芯片SRAM用MOS型雙穩態觸發器存儲信息，集成度低，接口簡單。DRAM用電容存儲信息，集成度高，接口復雜，因為電容上的電荷容易泄漏，所以必須定時充電。第八頁，共五十七頁，2022年，8月28日Intel6264的容量為8K×8，有28個引腳。各引腳的功能如下：?Al2~A0：地址信號輸入引腳，可尋址芯片的8K個存儲單元。?D7~D0：雙向數據信號輸入輸出引腳。?OE：數據輸出允許控制信號引腳，輸入，低電平有效，用以允許數據輸出。?WE：數據輸入允許控制信號引腳，輸入，低電平有效，用以允許數據輸入。?CS1：片選信號輸入引腳，低電平有效，只有當該引腳轉入低電平時，才能對相應的芯片進行操作。?CS2：片選信號輸入引腳，高電平有效，只有當該引腳轉入高電平時，才能對相應的芯片進行操作。?Vcc：+5v電源，用于在線的讀操作。?GND：地。6264第九頁，共五十七頁，2022年，8月28日9.1.3MCS-51單片機存儲器擴展在微機系統中存儲器是必不可少。MCS51系列單片機內部的存儲器不夠用時需要外擴半導體存儲器芯片，外擴的半導體存儲器芯片與MCS51系列單片機通過三總線交換信息。二者連接時必須考慮如下問題：1．二者地址線、數據線、控制線的連接。2．工作速度的匹配。CPU在取指令和存儲器讀或寫操作時，是有固定時序的，用戶要根據這些來確定對存儲器存取速度的要求，或在存儲器已經確定的情況下，考慮是否需要Tw周期，以及如何實現。3．片選信號的產生。目前生產的存儲器芯片，單片的容量仍然是有限的，通常總是要由許多片才能組成一個存儲器，這里就有一個如何產生片選信號的問題。4．CPU的驅動能力。在設計CPU芯片時，一般考慮其輸出線的直流負載能力，為帶一個TTL負載。現在的存儲器一般都為MOS電路，直流負載很小，主要的負載是電容負載，故在小型系統中，CPU是可以直接與存儲器相連的，而較大的系統中，若CPU的負載能力不能滿足要求，可以(就要考慮CPU能否帶得動，需要時就要加上緩沖器，)由緩沖器的輸出再帶負載。

第十頁，共五十七頁，2022年，8月28日ROM芯片的擴展在MCS-51單片機應用系統中，如果單片機內部程序存儲器不夠用時，特別是對片內無ROM的8031單片機，外擴程序存儲器是必不可少的工作。程序存儲器容量的擴展可根據實際需要在64KB范圍內選擇。單片機擴展用程序存儲器有紫外光可擦除型(EPROM)、電擦除型(EEPROM)和閃速存儲器FLASH等。EPROM價格低廉，性能穩定可靠，所以，一般程序存儲器的擴展均采用之。在進行程序存儲器擴展時，首先應根據應用系統的要求，選擇使用何種類型的芯片作程序存儲器芯片；其次，在存儲器容量選擇時，應盡量選擇大容量的芯片，即使用一片存儲器芯片能夠滿足要求的，盡量不使用多片，從而減少芯片的組合數量。當必須選用多芯片時，也應選擇集成度相同的芯片，以便簡化系統的應用電路。第十一頁，共五十七頁，2022年，8月28日擴展總線程序存儲器的擴展數據總線，P0口地址總線，高8位P2口、低8位P0口控制總線，RD、WR、EA、ALE、PSEN

74LS373第十二頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.780C31P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBA0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0AB0AB15AB12①將芯片的13位地址線按引腳名稱一一并聯，然后按次序逐根接至系統地址總線的低13位。②將芯片的8位數據線依次接至系統數據總線的D0-D7。③芯片的OE端接至系統控制總線的存儲器讀信號（PSEN）④因為系統中只有1片2764，所以2764的CE可以接地。例1某微機系統只有一片2764，試將其與8051進行連接。第十三頁，共五十七頁，2022年，8月28日計算2764每個單元的地址（8051送出何種地址碼時選中該單元）

P27P26P25P24P23P22P21P20P07P06P05P04P03P02P01P00AB15AB14AB13AB12AB11AB10AB9AB8AB7AB6AB5AB4AB3AB2AB1AB0***0000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨***1111111111111ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.780C31P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBA0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0AB0AB15AB120000H---1FFFH80C31從2764中讀取信息的過程：①80C31發地址碼P00—P07------AB-----2764的A0—A7ALE=1P20—P27------AB------2764的A8—A12②80C31發讀ROM信號PSEN=0—CB----2764的OE③2764將選中單元的內容送出----DB---80C31的P00---P07地址碼的計算第十四頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.780C31P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBA0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0AB0AB15AB12A0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0

2764的容量是8K*8，1片2764上有8K個存儲單元，每個存儲單元有8個基本存儲電路，能存放8位二進制信息，可以滿足位數的要求，但是1片2764上有8K個存儲單元，為了滿足內存的容量的要求，需要2片2764串聯使用，即2片2764不能同時被選中。因為2片2764的的數據線都接在8位DB上，當二者同時被選中時，會出現爭占DB的現象。這時，需要考慮片選問題。例2用2764構成16K的存儲系統，試將它們與8051進行連接第十五頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.780C31P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBA0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0AB0AB15AB12A0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0片選信號的產生方法有3種：線選法、部分譯碼法和全譯碼法。片選信號的產生第十六頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.780C31P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBA0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0AB0AB15AB12A0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0線選法就是用剩余的高位地址線作片選信號。線選法有2個缺點：其一是各芯片的地址不連續，其二是有一些地址不能使用，否則會造成片選的混亂（有地址重疊現象，即一個存儲單元有多個地址碼）。AB15AB144000H---5FFFH8000H---9FFFHP27P26P25P24P23P22P21P20P07P06P05P04P03P02P01P00AB15AB14AB13AB12AB11AB10AB9AB8AB7AB6AB5AB4AB3AB2AB1AB001*0000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨01*111111111111110*0000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨10*1111111111111線選法第十七頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.780C31P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBA0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0AB0AB15AB12A0A12CEOEVPPPGM～D0D72764～～～AB12AB0全譯碼法就是剩余的全部地址線都參與譯碼，譯碼器的輸出作為片選信號。因為譯碼器在某一時刻只有1條輸出線有效，保證了在某一時刻只有1個芯片被選中的要求。全譯碼法則沒有地址重疊現象，即各存儲單元的地址碼唯一。AB15AB140000H---1FFFH2000H---3FFFH74LS13874LS139Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7AG1G2AG2BCB74LS138AB13+5VP27P26P25P24P23P22P21P20P07P06P05P04P03P02P01P00AB15AB14AB13AB12AB11AB10AB9AB8AB7AB6AB5AB4AB3AB2AB1AB00000000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨00011111111111110010000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨0011111111111111全譯碼法第十八頁，共五十七頁，2022年，8月28日Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7AG1G2AG2BCB74LS138

74LSl38具有三個輸入選擇端，能夠組合成8種輸入狀態，對應8種輸出，可產生8個片選信號，低電平有效。也就是說，每種輸入狀態，僅允許一個輸出端輸出低電平，其余輸出端全部為高電平。同時，74LS138還具有3個使能端G1、G2A、G2B，3個使能端必須同時輸入有效電平，譯碼器才能正常工作，即僅當G1、G2A、G2B＝100時，才能選通譯碼器，否則譯碼器輸出全無效。

73LS138譯碼器的邏輯功能真值表輸入輸出使能選擇Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7G1G2AG2BＣＢＡ10010010010010010010010000000101001110010111011101111111101111111101111111101111111101111111101111111101111111100XXX1XXX1XXXXXXXXX11111111111111111111111174LS138第十九頁，共五十七頁，2022年，8月28日RAM芯片的擴展由于8051單片機芯片內部僅有128B的RAM，需要作為工作寄存器、堆棧和數據緩沖器使用，當控制系統需要暫存的數據量較大時，片內RAM往往不夠用，因此需要進行片外數據存儲器的擴展。MCS-51系列單片機數據存儲器的擴展能力最大可達64KB。在一般的數據存儲器擴展中，常選用靜態數據存儲器芯片(SRAM)作為外擴數據存儲器使用，SRAM具有存取速度快、使用方便、不需要刷新電路，接口簡單等特點，但系統一旦掉電，內部所存數據便會丟失。第二十頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.780C31P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBA0A12CS1OE～D0D76264～～～AB12AB0AB0AB15AB12①將芯片的13位地址線按引腳名稱一一并聯，然后按次序逐根接至系統地址總線的低13位。②將芯片的8位數據線依次接至系統數據總線的D0-D7。③芯片的OE端接至系統控制總線的存儲器讀信號（RD）④芯片的WE端接至系統控制總線的存儲器寫信號（WR）⑤因為系統中只有1片6264，所以6264的CS1可以接地。CS2+5VWE例1某微機系統只有一片6264，試將其與8051進行連接第二十一頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.789C51P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBAB12AB0AB0AB15AB12地址碼的計算計算6264每個單元的地址（8051送出何種地址碼時選中該單元）

P27P26P25P24P23P22P21P20P07P06P05P04P03P02P01P00AB15AB14AB13AB12AB11AB10AB9AB8AB7AB6AB5AB4AB3AB2AB1AB0***0000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨***11111111111110000H---1FFFH89C51從6264中讀取信息的過程：①89C51發地址碼P00—P07------AB-----6264的A0—A7ALE=1P20—P27------AB------6264的A8—A12②89C51發讀RAM信號RD=0—CB----6264的OE③6264將選中單元的內容送出----DB---89C51的P00---P07A0A12CS1OE～D0D76264～～～CS2+5VWE89C51向6264中寫入信息的過程：①89C51發地址碼P00—P07------AB-----6264的A0—A7ALE=1P20—P27------AB------6264的A8—A12②89C51發寫RAM信號WR=0—CB----6264的WE③89C51的P00---P07送出數據----DB-----6264將選中單元第二十二頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.789C51P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBAB12AB0AB0AB15AB12AB12AB0A0A12CS1OECS2～D0D76264～～～A0A12CSOECS2～D0D76264～～～WE+5VWE+5V

6264的容量是8K*8，1片6264上有8K個存儲單元，每個存儲單元有8個基本存儲電路，能存放8位二進制信息，可以滿足位數的要求，但是1片6264上有8K個存儲單元，為了滿足內存的容量的要求，需要2片6264串聯使用，即2片6264不能同時被選中。因為2片6264的的數據線都接在8位DB上，當二者同時被選中時，會出現爭占DB的現象。這時，需要考慮片選問題。例2用6264構成16K的存儲系統，試將它們與8051進行連接。第二十三頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.789C51P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBA0A12OECS2～D0D76264～～～AB12AB0AB0AB15AB12A0A12OECS2～D0D76264～～～AB12AB0片選信號的產生方法有3種：線選法、部分譯碼法和全譯碼法。WE+5VWE+5V片選信號的產生CS1CS1第二十四頁，共五十七頁，2022年，8月28日線選法就是用剩余的高位地址線作片選信號。線選法有2個缺點：其一是各芯片的地址不連續，其二是有一些地址不能使用，否則會造成片選的混亂（有地址重疊現象，即一個存儲單元有多個地址碼）。ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.789C51P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBAB12AB0AB0AB15AB12AB12AB0AB15AB14P27P26P25P24P23P22P21P20P07P06P05P04P03P02P01P00AB15AB14AB13AB12AB11AB10AB9AB8AB7AB6AB5AB4AB3AB2AB1AB001*0000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨01*111111111111110*0000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨10*1111111111111A0A12OECS2～D0D76264～～～A0A12OECS2～D0D76264～～～WE+5VWE+5V線選法0400H---5FFFH8000H---9FFFHCS1CS1第二十五頁，共五十七頁，2022年，8月28日ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.789C51P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBAB12AB0AB0AB15AB12AB12AB0全譯碼法就是剩余的全部地址線都參與譯碼，譯碼器的輸出作為片選信號。因為譯碼器在某一時刻只有1條輸出線有效，保證了在某一時刻只有1個芯片被選中的要求。全譯碼法則沒有地址重疊現象，即各存儲單元的地址碼唯一。AB15AB14P27P26P25P24P23P22P21P20P07P06P05P04P03P02P01P00AB15AB14AB13AB12AB11AB10AB9AB8AB7AB6AB5AB4AB3AB2AB1AB00000000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨00011111111111110010000000000000¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨¨00111111111111110000H---1FFFH2000H---3FFFHY0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7AG1G2AG2BCB74LS138AB13+5VA0A12OECS2～D0D76264～～～A0A12OECS2～D0D76264～～～WE+5VWE+5V全譯碼法CS1CS1第二十六頁，共五十七頁，2022年，8月28日返回ALERDWRPSENP0.0P0.1P0.2P0.3P0.4P0.5P0.6P0.789C51P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7A0A1A2A3A4A5A6A7OELED0D1D2D3D4D5D6D774LS373DBABCBAB12AB0AB0AB15AB12AB12AB0A0A12CS1OECS2～D0D76264～～～A0A12CEOE～D0D72764～～～WE+5V

因為8051通過控制線區分ROM和RAM，所以二者可以同時被選中，地址可以重疊。該系統中的2764和6264的片選可以不受控，直接接地。注意：在訪問程序存儲器時，所用的指令為MOVC，產生PSEN信號。訪問外擴數據存儲器時，所用的指令為MOVX，產生WR或RD信號！！例3某微機系統有一片6264、一片2764，試將它們與8051進行連接第二十七頁，共五十七頁，2022年，8月28日CBP0鎖存器ALE單片機三總線形成示意圖ABDB存儲器I/O口外設P2P1PSENRDWR第二十八頁，共五十七頁，2022年，8月28日片外ROM操作時序片內片外ROM讀，用指令MOVC（產生PSEN信號）片外片外ROM選擇，用EA。片外ROM最大容量64K。【例9-1】讀外部ROM時序。第二十九頁，共五十七頁，2022年，8月28日擴展電路第三十頁，共五十七頁，2022年，8月28日

RAM擴展原理讀操作時序數據存儲器的擴展【例9-2】若（DPTR）=2030H，片外RAM單元2030H內容為55H，指令MOVA，@DPTR（該指令代碼為E0H）所在片外ROM的地址為2314H。

第三十一頁，共五十七頁，2022年，8月28日寫操作時序【例9-3】若（DPTR）=1040H，（A）=88H，指令MOV@DPTR，A（該指令代碼為F0H）所在片外ROM的地址為2218H。

第三十二頁，共五十七頁，2022年，8月28日數據存儲器擴展方法常用RAM芯片特性芯片型號62646212862256容量8KB16KB32KB典型工作電流/mA4088典型維持電流/mA20.50.5最大存取時間/ns200200200第三十三頁，共五十七頁，2022年，8月28日擴展電路第三十四頁，共五十七頁，2022年，8月28日9.2.1輸入/輸出接口的功能單片機與輸入/輸出設備的關系9.2輸入/輸出及其控制方式第三十五頁，共五十七頁，2022年，8月28日輸入/輸出接口的功能實現和不同外設的速度匹配輸出數據鎖存輸入數據三態緩沖第三十六頁，共五十七頁，2022年，8月28日9.2.2單片機與I/O設備的數據傳送方式

無條件傳送查詢狀態傳送

中斷傳送

DMA傳送第三十七頁，共五十七頁，2022年，8月28日9.2.3單片機擴展TTL芯片的輸入/輸出

基本擴展電路

鎖存器緩沖器第三十八頁，共五十七頁，2022年，8月28日

驅動LED數碼管示例8D鎖存器第三十九頁，共五十七頁，2022年，8月28日

81C55的結構及引腳9.381C55接口芯片及其應用9.3.181C55的結構及工作方式第四十頁，共五十七頁，2022年，8月28日

81C55的內部編制內部RAM地址為00H～FFH內部端口地址

000：命令/狀態寄存器

001：A口

010：B口

011：C口

100：計數器低8位

101：計數器高6位及計數器方式設置位第四十一頁，共五十七頁，2022年，8月28日工作方式設置及狀態字格式方式設置76543210TM2TM1IEBIEAPC2PC1PBPA地址：000PA：A口方向。0--輸入；1--輸出PB：B口方向。0--輸入；1--輸出

第四十二頁，共五十七頁，2022年，8月28日PC2PC1工作方式說明00ALT1A、B口為基本I/O，C口方向為輸入11ALT2A、B口為基本I/O，C口方向為輸出01ALT3A口為選通I/O，PC0～PC2作為A口的選通應答B口為基本I/O，PC3～PC5方向為輸出10ALT4A口為選通I/O，PC0～PC2作為A口的選通應答B口為選通I/O，PC3～PC5作為B口的選通應答PC1、PC2：C口工作方式設置位

IEA：A口的中斷允許設置位。0--禁止；1--允許。IEB：B口的中斷允許設置位。0--禁止；1--允許。第四十三頁，共五十七頁，2022年，8月28日TM2、TM1：計數器工作方式設置位TM2TM1工作方式說明00方式0空操作，對計數器無影響01方式1使計數器停止計數10方式2減1計數器回0后停止工作11方式3未計數時，送完初值及方式后立即啟動計數；正在計數時，重置初值后，減1計數器回0則按新計數初值計數第四十四頁，共五十七頁，2022年，8月28日狀態字格式76543210TIMERINTEBBFBINTRBINTEABFAINTRA地址：000INTRX：中斷請求標志BFX：口緩沖器空/滿標志INTEX：口中斷允許/禁止標志TIMER：計數器計滿標志

第四十五頁，共五十七頁，2022年，8月28日計數器輸出模式位號1514131211109876543210M2M1T13T12T11T10T9T8T7T6T5T4T3T2T1T0M2M1輸出方式說明00方式0單方波輸出。計數期間輸出低電平，計數器回0后輸出高電平。01方式1連續方波輸出。計數前半部分輸出高電平