IGBT：電力子裝置的“”IT是什么？GT中文全名為絕緣柵雙極型晶體管是由雙極型三極（JT和絕緣柵型場效應（O組成的功率半導體器件為第三代功率半導體技術革命的代表性產品具有高頻高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為電力電子裝置的“CPU，廣泛應用于工業控制、軌道交通、白色家電、新能源發電、新能源汽車等領域。表1電子電力器件性能對比驅動方式驅動電路輸入阻抗驅動功率開關速度工作頻率安全工作區飽和電壓IGT電壓簡單高低中等中等寬低MOFT 電壓簡單高低快高寬高JT 電流復雜低高慢低窄低電力電子基礎，依產品結構形式不同GBT有單管IGBT模塊和智能功率模塊IPM三種類型IGT單管主要應用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功率變頻器等領域；GBT模塊主要應用于大功率工業變頻器電焊機新能源汽（電機控制器車載空調充電樁等領（當前市場上銷售的多為此類模塊化產品智能功率模塊IM主要在變頻空調變頻洗衣機等白色家電領域有廣泛應用。表2IGT主要產品形式分立式分立式晶體管，應用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功率變頻器等領域單管產品樣本產品介紹IGBT類型IBT模板 多個IGT芯片和FD芯片通過特定的電路和橋接封裝而成，應用大功率工業變頻器、軌交、新能源發電、新能源汽車等領域高度集高度集成、緊湊的功率模塊，設計用于驅動從家用電器、風扇、泵到通用驅動器等應用領域的電機。IM模塊英飛凌官網、整理根據應用場景的電壓不同，IGT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型，其中新能源車工業控制家用電器等使用的IGT以中壓為主而軌道交通新能源發電和智能電網等對電壓要求較高，主要使用高壓IGT。表3GT產品電壓等級及對應下游領域電壓等級電壓范圍下游應用領域超低壓-50V內燃機點火器、數碼相機等低壓

電動汽車、UP、家電、電焊機、太陽能池、風電中壓 -

US、地鐵城軌電機驅動、太陽能電池、電高壓 -

軌道交通、工業裝備、新能源發電和智能網等領域英飛凌官網、IGT多以模塊形式出現IS數據顯示模塊和單管的比例為:模塊是由GBT芯片與FD（續流二極管芯片）通過定制化的電路橋接，并通過塑料框架、襯底及基板等封裝而成的模塊化半導體產品基礎工作原理在于以最小能量損耗實現電流轉換是一種具有隔離柵極結構的雙極晶體管；柵極自身就是OFT，因此結合了雙極晶體管的高載流力和高阻斷電壓的優點。圖1GT工作原理圖 圖2GT模塊結構圖英飛凌官網， IGT模塊：技術、驅動和應用》sk等，圖3標準的GT結構拆分示意圖IGT模塊：技術、驅動和應用》Andres·oe等，IT的發展史自0世紀0年代發展至今，IGT芯片經歷了7代技術及工藝的升級，從平面穿通（T到微溝槽場截止型IGT從芯片面積工藝線寬通態飽和壓降關斷時間功率損耗等各項指標都進行了不斷的優化斷態電壓從60V提高到0關斷時間從微秒降低至2微秒，工藝線寬由5m降低至3um。此外，由于IGT產品對可靠性和質量穩定性要求較高下游客戶認證周期較長所以產品的生命周期較一般集成電路產較長對不同代際的IGT產品由于性能和需求差異導致應用領域略有不同目前市場上應用最廣泛的仍是IGT第4代工藝產品。圖4GT發展史公開資料整理，從GT模塊芯片的內部縱向結構來看，IGT可分為穿通型（T，punhthough)，非穿通（Tnon-punhthough)T(punhthrough)結構是最“古老”的IGT技術，在9090年間占據主導地位，英飛凌第一代IGBT就是采用的T技術。NT(non-punhthough)結構是德國西門子公司87年推出，為上世紀90年代的主流產品。FS（fiedop00年西門子公司研制出新的IGT結構fist-IGT(FS-IGT)同時具有-IGT和N-IGT的優點，至今一直居于主導地位。英飛凌第三代及以后的IGT，均采用了FS技術。表4英飛凌GT芯片技術迭代的性能變化情況以及出現年份壓降呈負溫度系數，不利于并聯，在0年代后期逐漸被NT取代，目前所有的IGT產品均不使用T技術。T是最初代的IGT，工藝復雜，成本高，飽和第一代平面柵+穿通（T）出現時間芯片說明功率損（相對值結構示意圖類型第二代平面柵+非穿通 (NP)第四代溝槽柵+場截止 (Trech+F)

在截止時電場沒有貫穿N-漂移區，NT不需要載流子壽命控制，但它的缺點在于，如果需要更高的電壓阻斷能力，勢必需要電阻率更高且更厚的N-漂移層，這意味著飽和導通電壓ce(sat)會隨之上升，從而大幅增加器件的損耗與溫升。第三代溝槽柵+場截止（rnch+FS）3得益于場截止以及溝槽型元胞，IGT3的通態壓降更低，工作結溫12℃較2代沒有太大提升， 開關性能優化。IGT4是目前使用最廣泛的IGT芯片技術，電壓包含60V，120V，100，電流從10A到300。4代較3代優化了背面結構，漂第三代溝槽柵+場截止（rnch+FS）3得益于場截止以及溝槽型元胞，IGT3的通態壓降更低，工作結溫12℃較2代沒有太大提升， 開關性能優化。

7第五代第五代溝槽柵+場截止+表面覆銅(Trech+F)表面金屬化材料使用厚銅代替了鋁，因此IGT5允許更高的工作結溫及輸出電流（提升%）。 同時芯片結構經過優化，芯片厚度進一步減小。第六代第六代溝槽柵+場截止(Trech+F)6代是4代的優化，器件結構和IGT4類似，但是優化了背面+注入，從而得到了新的折衷曲 線。第七代微溝槽+場止(icroParnrnch)IGT7溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且優化了寄生電容參數，從而實現5kv/us下的最佳開關性能。IGT7ce(sat)相比IGT4降低%，可實現最高5℃的暫態工作結溫。英飛凌官網《IGBT模塊：技術、驅動和應用》Andres·oke等，斯達半導股說明書，表5TNT以及FS型GT主要區別NTFS器件厚度高中低阻斷電壓低中高起始襯底材料+（CZ直拉單晶硅）N-（區熔單晶硅）N-（區熔單晶硅）電場形狀梯形三角形梯形基區載流子壽命低高高拖尾電流低高低發射極效率高中低少子壽命控制技術需要不需要不需要溫度系數負正正英飛凌官網，1.3IT的技術發展趨勢自從二十世紀八十年代中期研發出第一只GT器件以來，GT技術經歷了幾個不同發展階段，這些技術都是用來平衡GT自身的各種特性的，這些特性如下所示：）降導通損耗2降低開通和關斷時的開關損（開關速度快3器件開關的軟特性4高電流密度提升電壓等級6減少半導體材（降低成本7提高最高工作結溫；）擴展OA（安全工作區。圖5GT的芯片面積、厚度以及阻斷電壓進展IGT模塊：技術、驅動和應用》Andres·oe等，隨著GT的技術發展傳統場截止型結構已接近其理論極限超結及半超結器件憑耐高溫、低損耗和高抗短路能力在GT領域備受關注，是GBT未來技術發展主要探索方向。圖6GT技術發展趨勢總結公開數據整理，英飛凌官網，IGBT應用市規模和空間全球IT應用市場規模近十年來全球GT市場規模保持連續增長從22年的2億美元增長至021年的9億美元GR增長%其中工控和新能源汽車是IGT需求占比最大的兩個下游領域分別占比為%和%其次是新能源發電和家電變頻市場需求占比分別為和%。20年以來，新能源汽車需求明顯提速，21年較00年需求占比提升%，是IGT主要的增量需求來源。圖71年全球GT分下游應用占比 圖8全球GT市場規模1125378112537892820601510305工業控制 新能源汽車新能源發電家電

0 02017年2018年2019年2020年2021年22E軌道交通 智能電網 其他 市場規模（億美元） 增速（，右軸）edia，Sei， dia，ole，司公告，中國IT應用市場規模目前我國是全球最大的GT需求市場需求量約占全球四成且需求占比有望持續提升。根據WTS（世界半導體貿易統計組織）的數據，中國GT市場銷售規模從16年的8億（人民幣增長至1年的28億元CGR超%遠超全球平均水平，預計至25年仍將維持高速增長，市場規模將有望超6億元。圖9中國GT市場規模60 4540503540 3025302020 15101050 0年年年年年年2E 3E 4E 5E市場規模（億元） 增速（，右軸）集邦咨詢，tays，從中國市場的供需情況來看，自5年以來，GT的國產量從8萬只到01年0萬只CGR約%期間國內需求量從215年的98萬只到201年20萬只GR在%-2%之間盡管本土產量增速高于需求增速但供需缺口絕對量仍有較大空間仍以進口為主其中原因主要系我國功率器件整體的技術水平相對較低產能主要集中于中低端產品范圍在IGT等新型功率器件這一類高技術高附加值的中高檔產品領域中，國外企業擁有絕對的競爭優勢，我國需大量進口來滿足國內市場需求。圖05年-21年中國IGT產量、需求量及國產占比100 3010025100100 2010015800600 1040052000 02015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 22E中研網，

需求量（萬只） 產量（萬只） 占比（）從下游IGT需求結構來看，我國IGT需求結構與全球市場不同，新能源汽車、消費電子（統計口徑包括家電）和工控是IGT需求占比最大的三個下游領域，分別占比%%和2%我國GT在新能源領域的應用占比遠超全球平均水平主要受益于國“雙碳”戰略，新能源領域需求旺盛，導致GBT用量大幅增加，是我國GT需求增長的主要驅動力。4531201127圖10年中國GT市場4531201127新能源汽車 消費電子 新能源發電 工業控制 智能電網 軌道交通 其他華經情報網，國內新能源需求爆發，GBT成長空間巨大。在國內IGT市場規模快速增長，新能源需求爆發貢獻主要增量的背景下本土IGT企業依托國內新能源產業擴容以其自身產競爭力供應鏈的優勢和巨大的市場提升空間加速提升GT國產份額我們保守預計，05年中國GT市場規模將有望超0億元，CGR約0%，成長空間巨大。新能源汽車眾所周知在電動化驅動下電池電驅和電控是電動新能源車的三大重要部件而IGT則是電控系統中的核心元器件，它決定了新能源汽車的行駛性能。表6GT在電動新能源汽車上的應用場景應用場景應用場景 功能電機控制器 在主逆變器中將高壓電流的直流電轉換為驅動電機的交流電車載空調控制系統 轉換為交流電后，驅動空調壓縮機電機進行工作車載充電器（OBC） IGT參與2V交流電轉換為直流并為高壓電池充充電樁 GT模塊作為充電模塊的組成部分，被作為開關元件使用意法半導體，中國知網，根據英飛凌01年財報顯示在國際上IGBT的單車價值為30美元約占新能源汽車整車總成本的%以上，是電控系統里面成本占比最大的元器件。針對我國電動新能源車經過我們測算單車價值約為23美元隨著我國電動新能源汽車的蓬勃發展以及功率對GT的要求越來越高，將間接提高GBT在整車的成本比重，不斷拓寬IGT成長空間。圖20年中國GT市場分下游領域占比E時代、集邦咨詢、另外我們預計22年我國新能源汽車銷量將突破60萬輛對應的GT市場規模為38億美元，保守假設5年中國汽車銷量為00萬輛新能源滲透率為4%，銷量約為30萬輛，按單車價值281美元來算，中國車規級GT市場規模將達到8億美元，對應人民幣市場約0億，市場空間廣闊。圖3我國車規級GT市場規模假設在新能源汽車單車價值量化不大的情況下，市場規模主隨著產量的增加而增長。3假設在新能源汽車單車價值量化不大的情況下，市場規模主隨著產量的增加而增長。200

4020010010050

3020100 02020年 2021年 22E 22E 22E 22E中國產量（萬輛） 全球銷量（萬輛）中國車規IGBT市場（億元）-右軸 全球車規IGBT市場（億元）-右軸英飛凌201年報、公開資料整理、新能源發電GT被廣泛應用于光伏逆變器和風電變流器，主要是將光伏組件和風機發出的電壓和一定頻率的電能，經過交直轉換為穩定電壓和頻率的電能饋入電網或接入家庭用戶。而IGT等功率器件是新能源發電逆變器實現逆變功能的核心，主要應用在DC升壓、C逆變電路中在中能源發電市場加速轉型的背景下光伏風電發展大有可為是IGT市場強勁的驅動力，增速將持續遠超全球平均水平。圖4GT在光伏以及風力發電過程中的應用英飛凌官網、光伏方面：GT是光伏逆變器核心零部件，充分受益于光伏發電蓬勃發展。我們保守預計到25年光伏發電IGT市場規模將達到1億元CGR約為.%增速高于全球平均水平（1我們根據中國光伏行業協會測算預計5年全球和中國光伏新增裝機量分別為GW和1GW（）至05年，光伏逆變器裝機成本約為0.7元/W，自1年光伏逆變器成本每年下降%左右（根據固德威招股說明書預測，預計IGT占逆變器的成本占比維持在%，至5年，每GW光伏裝機量成本中IGT約為萬。2021-2025年中國AR-1335全球AR-1068圖5全球及中國光伏新增2021-2025年中國AR-1335全球AR-1068400

40 80

2.5300 30 60200 20 40 2100

10 200 0200A 201A 202E 203E 204E 205E中國光伏新增裝機量) 全球光伏新增裝機量) 中國裝機同比增速-右（） 全球裝機同比增速-右（）

0200A 201A 202E 203E 204E 中國光伏發電GBT(億元) 全球光伏發電GBT(億元每GW/逆變器成本(億元)-右軸

1.5WEC，中國光伏協會， WEC，中國光伏協會，風電方面：保守預計，到25年風電發電IGT市場規模將達到28億元，CGR約為18%，穩步增長，并且增速高于全球平均水平（1）我們根據GEC測算，預計5年全球和中國風電新增裝機量分別為.GW和.GW（）至025年，風電變流器機成本約為.5億元G(按222前三季度年我國平均陸上風電電機組價格含塔筒的中標價格的%測算)，并維持不變（3）我們將IGT占風機變流器的成本占比維持在%，至25年，平均每GW風電裝機量中IGT的成本約為0萬。圖7全球及中國風電IGT市場規模10 30新增風電裝機（W）10新增風電裝機（W）10市場規模20市場規模801560104020 5022A

22A

22E

22E

22E

022E中國風電新增裝機量（GW) 全球風電新增裝機量（GW)全球風電IGBT市場（億元）-右軸 中國風電IGBT市場（億元）-右軸WEC、工業控制工控產品市場主要以變頻器以及伺服系統為主伺服系統中大中小型伺服系統比分別為%%以及1%而變頻器大中小型伺服系統的GT價值量占比假設分別為%%1%以及%根據前瞻產業研究院的數據預計中國變頻器市場規模從0年到05年預計將增長至83億元；中國伺服系統市場規模將從200年的9億元增長至5年的24億元綜上保守預計25年中國IGT市場規模為.53億元，1年至05年CG維持在.%左右。圖8中國工控GT市場規模前瞻產業研究院，軌道交通IGT是軌交牽引系統的核心零部件，產品主要以高壓GT為主。軌交GT終端需求量與中國鐵路投資額密切相關，高增速階段分別對應了8年的高鐵大規模建設以及13年的“四縱四橫”高鐵網建設。隨著鐵路固定投資趨穩，鐵路計劃調整變動不大，體對GT需求量相對穩定。圖9高鐵軌交市場規模 圖0城市軌交市場規模國家統計局，交通運輸部， 國家統計局，交通運輸部，白色家電隨著節能減排相關政策推行及消費升級下我國變頻家電滲透率將不斷提高PM是頻家電的關鍵器件，充分受益。我們保守預計1年至5年CG維持在8%左右，IM需求穩步增長。圖1中國空調GT市場規模 圖2中國洗衣機GT市場規模 iFind，產業在線， iFind，產業在線，圖3中國冰箱IGT市場規模 圖4中國白色家電GT市場規模iFind，產業在線， iFind，產業在線，中國IGBT市場需求總量21年我國GT市場規模達24億，是全球最大的IGT需求市場，需求量約占全球四成，且需求占比有望持續提升。根據我們測算，預計225年中國IGT市場規模將達到86億，CGR超1%，整體維持較快增長，遠超全球平均水平。其中，新能源領域需求增速最為顯著，是我國IGT市場空間發展的主要方向。圖5中國GT市場規模總量測算公開資料整理，行業發展環境及政策自8年以來美國對我國的科技企業和產業制裁不斷升級從一開始的征收電子器件高額關稅到今年的《出口管制條例，美國對中國輸出的尖端技術封鎖層層加碼，中美脫鉤風險與日俱增通過國產實現產業鏈的自主可控已上升到國家戰略近年來國家陸續出臺一系列政府補貼和激勵政策等措施，大力促進半導體行業發展，為行業“自主、全、可控”的產業鏈發展提供了充分的燃料。表7半導體行業發展相關政策時間時間 政策名稱 政策內容1年1月

《基礎電子元器件產業發展行動計劃 提出了要重點發展的電路類元器件（21-03（工信部）1年1月

《“十四五”信息通信行業發展規劃（工信部）

要完善數字化服務應用產業生態加強產業鏈協同創新豐富G芯片終端模組網關等產品種類。加快集成電路關鍵技術攻關加強關鍵前沿領域的戰1年2月 《“十四五”國家信息化規劃》1年2月 《“十四五”數字經濟發展規劃》《擴大內需戰略規劃綱要（2－0

略研究布局和技術融通創新。搶先布局前沿技術融合創新推進前沿學科和交叉究平臺建設重點布局下一代新興技術推動重點域技術融合和群體性突破。全面提升信息技術產業核心競爭力，推動人工智能、2年2月各大政府官網，

年》

先進通信集成電路新型顯示先進計算等技術創新和應用。IGBT市場競格局從全球市場競爭格局來看，歐美日廠商資金實力雄厚、技術水平領先、產業經驗豐富，憑借先發優勢搶占了全球功率半導體絕大多數的市場份額，并且一直保持較大的領先優勢國內廠商在全球競爭中不具備優勢所占市場份額較低在國內市場競爭格局中國際大廠仍占據絕大部分市場份額，國產化率低于2%。得益于GT產品更新迭代緩慢，給予本土IGT企業技術追趕時間，部分企業已實技術突破，并快速搶占市場。根據21年英飛凌財報顯示，本土企業士蘭微在全球GT單管及IM市占率達到5%.%均位列全球第八斯達半導在全球IGT模塊市占率達%，位列全球第六。152118109954229221710圖61年全球GT分15211810995422922171015291529280604542353531三意法半導安森東芝力特士蘭瑞薩麥格

289

三三墾電安森美富士電英飛凌賽米控意法半導體士蘭羅華微電子

296英飛凌財報， 英飛凌財報，圖81年全球IGT模塊市占率前十英飛凌330三菱124富士電機114賽米控66威科36斯達半導30博世26丹弗斯26日立26時代電氣20英飛凌財報，IT的壁壘IGT行業有三大壁壘，分別是技術壁壘、品牌和市場壁壘、資金壁壘，核心體現就芯片和模塊的設計能力產品的認證周期以及擴產能力我們主要關注芯片和模塊的設計力以及產品的認證周期。IGBT的技術壁壘IGT的技術環節主要包含了IGT芯片以及模組的設計、制造和封裝。在設計環節，由于IGT芯片需要工作在大電流高電壓和高頻率等的環境下還要保證芯片的開通關斷、抗短路能力和導通壓降的均衡對芯片的可靠性有著很高的要求設計和參數的調整優化十分特殊復雜，因此IGT芯片自主研發的門檻要求非常高，設計人員需要有非常多的行業kww的積累。在制造環節，由于芯片模塊的集成度高，芯片本身的背面工藝難度高，Fss模式下需要與代工廠實現技術和工藝的深度磨合等因素要求其制造環節同樣有著較高的難度。IGBT的市場壁壘IGT是下游應用產品的核心器件IGT的產品性能可靠性以及穩定性對下游產品性能表現有著直接的影響因此客戶在選擇IGT時往往會經過產品單體測試整機測試、多次小批量試用等多個環節之后才會做出大批量采購決策采購決策周期較長這也就導致客戶在選擇供應商時通常偏于保守且有明顯的跟隨性即下游客戶往往跟隨自己所在行業的行業龍頭去選擇IGT供應商。一旦IGT供應商獲得了客戶的認可，則雙方將進行長時間的合作在不發生產品質量問題以及供應鏈保障問題的情況下由于替換成本高風大等因素，客戶一般沒有進行更改和替換的動力。IGBT的資金壁壘IGT同樣屬于資金密集型行業，研發投入大，各環節的生產測試設備投入大，產能張是半導體重資產行業重要的決策之一方面需考慮擴建周期長短是否能夠順應當前半導體產業所處周期階段，確保產能釋放時能夠被充分消化；另一方面，GT對技術穩定及安全性要求較高認證周期較長前期需持續大量的研發投入沉沒成本較高對行業玩家有著較強的資金要求。地點投資金額目標產能預計投產時間廈門0億元擴增至6地點投資金額目標產能預計投產時間廈門0億元擴增至6萬片月2年杭州6億元擴增至8萬片月2年比亞迪長沙、濟南0億元-4萬片月5年斯達半導濟南5億元0萬片/年5年士蘭微士蘭微公司公告、比亞迪半導體招股說明書、斯達半導公司公告、國內IGT心企業斯達半導國內IGBT模塊領軍企業新能源業務開啟紀元公司概況公司成立于05年4月，是一家專業從事功率半導體芯片和模塊，尤其是IGT芯片和模塊研發、生產和銷售服務的國家級高新技術企業，是目前國內IGT領域的領軍企業公司主要產品為功率半導體元器件包括IGTMOFTIMFRDC等等成功研發出了全系列IGT芯片FD芯片和IGT模塊實現了進口替代產品廣泛應用于新能源汽車工業控制和電源新能（光伏/風力發電白色家電等領域21年IGBT模塊的銷售收入占公司主營業務收入的9%以上是公司的主要產品IGBT模塊的全球市場份額占有率國際排名第6位，在中國企業中排名第1位。圖9斯達半導發展路徑公開資料整理、斯達半導官網、由Fes邁向DM，雙模式齊頭并進。公司自主設計的IGBT芯片由華虹和上海先進兩家代工廠生產，合作關系穩定。公司是華虹2英寸線功率芯片的主要客戶之一，并過與華虹合作研發出第七代微溝槽rechFedStop技術的新一代車規級GT芯片，產品性能優異并已批量出貨公司目前手中訂單充裕將有望通過華虹和上海先進新增產能實現快速增長。另外公司前瞻布局由Fass轉入DM卡位SC市場02年9月公司定增5億元投入到技術研發中心擴建項目高壓特色工藝功率芯片研發及產業化項目C芯研發及產業化項目以及功率半導體模塊生產線自動化改造項目本次定增的高壓特色工藝功率芯片研發及產業化項目將完善公司整體的產品布局彌補了目前兩家代工廠中低壓產品的局限，向高壓特色工藝功率芯片領域拓展，該項目投資5億元，根據累計投入金額估算項目目前進度大概.%建設周期為3年預計將形成年產0萬片6英寸高壓功率芯片的生產能力。表9斯達半導定增項目項目名稱預計投資總金額(億元累計投資金額（億元）項目進度估算目標產能技術研發中心擴建項目0.5.5年產0萬個IM模塊高壓特色工藝功率芯片研發及業化項目

/1.7

年產0萬片6英寸高壓率芯片C芯片研發及產業化項目 /241 .2% 6萬片6英寸SC芯片功率半導體模塊生產線自動化改造項目 /147 .0% 0萬個功率半導體模塊斯達半導公司公告、業務分析新能源業務持續放量，推動業績快速增長。0-01年，公司營收年CGR達到.5%歸母凈利潤的CAGR達到.8%22年前三季度已超過1年整年營業收入達到174億元歸母凈利潤為5.92億元其中新能源業務收入從222年上半年的7.3%進一步提升至54%主要系公司車規級GT持續放量02年上半年公司合計配套超過0萬輛新能源汽車其中A級以上汽車配套超過20萬輛是公司主要的增長驅動力。圖0斯達半導營業收入 圖1斯達半導歸母凈利潤20 60 8 1016401282040 0

806604402200 0年 年 年 年 年01-3營業收入（億元） 同比增速（右軸） 歸母凈利潤(億元） 同比增速（右軸）公司年報， 公司年報，從產品結構來看，IGBT模塊是公司的主要營收來源，1年占比達到%，毛利率從09年的4%上漲至.%。公司的產品主要應用于工控及電源行業、新能源行業中，21年占比分別為.3%、34%，工控及電源行業同比減少pcts，新能源行業同比提升cts，公司工控基本盤穩固，新能源汽車和光伏客戶持續放量助力新能源板塊占比大幅提升。產品結構優化，盈利能力逐年提升。19年至22年Q，公司毛利率和凈利率逐年提升，3年間銷售毛利率由.6%提升至.%，凈利率由12%提升至.6%。主要系公司產品結構優化，效益較高的車規級IGT持續放量。憑借先發優勢、領先技術、規模化效應、品牌口碑以及過硬的產品實力，公司在行業內具有較高的議價能力，預計公司能夠維持較強的盈利能力。圖2斯達半導業務結構 圖3斯達半導銷售毛利率以及凈利率109080706050403020100

2019年 2020年 2021年

503061313061316017423020100

4107工業控制電源新能源行業變頻家電及其他行業

() ()同花順iFi，公年報， 公司年報，公司持續加大研發投入，鞏固行業領先地位。02年前三季度投入總額為.66億元，同比上漲.%。公司的期間費率隨著收入上升反而逐步下降（由27年的.5下降到22年前三季度的5%，處在合理水平范圍。公司研發投入略高于行業平均，但盈利能力遠超行業水平表明公司研發回報率較高公司已研發出第七代IGT芯片且產品性能可媲美國際巨頭，雄厚的研發能力是公司在國內保持領先地位的根本。圖4斯達半導研發投入 圖5斯達半導體三費情況101080400

10 8 64年 年 年 年 年 年 年01-30 5研發投入（百萬） 研發占比營收（）公司年報， 公司年報，

銷售費率（） 管理費率（） 研發費率（財務費率（） 期間費率（）結論及推薦公司深耕IGT領域前瞻布局iC高壓芯片是公司高成長的基石憑借優異的產品競爭力及研發能力卡位新能源市場充分受益于新能源產業擴容公司正逐步向IDM型，待SC、高壓IGT等產品陸續量產，將成為公司強有力的增長引擎。時代電氣：順應新能源發展大勢，打造第二成長曲線公司概況時代電氣前身是中車株洲電力研究所后經過一系列資產重組于05年成立。公司深耕研發動車牽引傳動控制系統是我國軌交電氣設備領域的絕對龍頭經過長期對高壓率器件的技術沉淀和多元化發展，切入中低壓IGBT市場，成為我國頭部新能源IGT供應商。圖6時代電氣發展路徑公司官網、公司招股說明書、業務分析軌交基本盤夯實，切入新能源打開第二成長曲線。21年之前，軌道交通設備業務比例占到接近8%以上，公司近幾年致力于新興裝備業務（電動新能源汽車電驅系統等業務切入新能源市場并已有明顯成效新興裝備業務營收占比快速提升營收占比從年的.%提升至22年前三季度的35%，202年前三季度毛利潤約0%左右。另外，公司依托軌交高壓功率半導體技術儲備，憑借IDM模式的靈活性順利斬獲雷超0萬臺的訂單表明公司在車規級GT領域已獲得市場高度的認可助力公司新能源業務蓬勃發展，打開第二成長曲線。圖7時代電氣營業收入 圖8時代電氣歸母凈利潤201010804020182017020182017年 年

202120202019年 年 年202120202019

30 3025202010 150 10520221-Q320221-Q30

403020100-0-0-0營業收入（億元） 同比增長率（）

歸母凈利潤（億元） 同比增長率（）同花順iid，公年報， 同花順iFid，公年報，盈利能力短期承壓中長期向好趨勢明顯公司近兩年的毛利率與凈利率下滑主要系以下兩個原因：1）公司調整軌交產品銷售結構導致產品價格略有下調。2）公司持續加碼GT產線投入產銷量仍處于較低水平由于DM模式特性毛利潤在產線尚未實現規模化生產前短期承壓。但我們認為，隨著公司加快推進新能源業務，02年前三季度公司凈利率由21年的.%小幅回升至.%新興裝備業務效益雛形初現公司盈利能力將有望持續改善。圖9時代電氣營業收入結構 圖0時代電氣銷售毛利率以及凈利率107550250

年 年 年 年2Q3

450837473831367733083747383136773323 3279353025201510 1692 1693 1645 1568 1356 145750軌交裝備業務（） 新興裝備業務（） 其他（）

凈利率（） 銷售毛利率（）同花順iFi，公年報， 公司年報，重視研發，產品打破外企壟斷局面。17年以來，公司研發投入占比營收逐年提升自17年的.96%提升到1年的1.8%，截止到21年，研發人員總計8人，占比提升到了5.2%。公司持續加大研發投入，多項IGT產品技術打破外企壟斷，實現國產。圖1時代電氣研發投入及占比 圖2時代電氣三費等情況200 14100 12100100 10100 810080 660 44020 20 0

2520151050-5年 年 年 年 年 0Q1-3） （）

銷售費用率（） 管理費用率（） 研發費用率（財務費用率（） 期間費用率（）公司年報， 公司年報，結論及推薦公司軌交業務穩健發展新興裝備順應新能源發展大勢公司高壓GT產品打破海壟斷技術優勢明顯憑借IDM模式優勢疊加多年高壓GT技術沉淀快速切入中低壓車規級GT模塊賽道并成為國內頭部車規級IGT供應商同時公司提前布局C市場積極推進車規級C應用且技術水平與產品性能接近海外廠商公司積極布局車規功率半導體市場，順應新能源發展大勢，是公司第二成長曲線。士蘭微：秉承多元化發展理念，結構優化成長可期公司概況士蘭微是國內最早的功率半導體IDM廠商之一，經過二十余年的發展，其技術水平營業規模、盈利能力等各項指標在國內同行中均名列前茅。01年，公司IM模塊以及GT單管全球市占率分別為%和%全球出貨量排名第六和第十是公司主要產品。公司秉承多元化發展理念利用公司在多個芯片設計領域的積累轉戰中高端新能源高景氣賽道。圖3士蘭微發展路徑公司招股說明書、公司官網、業務分析短期業績承壓成長可期。截止到22年第三季度，公司營業收入為59億元較去年同期增長了.63%環比下降.%增速有所放緩主要系下游消費電子市場需求放緩所致業績短期承壓實現歸母凈利潤.5億元同比下降41%環比降低4%。面對消費電子下游需求疲軟公司積極優化產品結構通過定增融資切入新能源賽道車規級GT和SC-MOFT等產品推出順利并已批量上車將成為公司強有勁的增長來源。圖4士蘭營業收入 圖5士蘭微歸母凈利潤80 80 16

20060 60 1240 40 8

20010010020 200 0 ） （）

40 歸母凈利潤（億元） 同比增長率（

500-00同花順iid，公年報， 同花順iFid，公年報，從產品結構來看公司的主要產品分為分立器件集成電路和發光二極管產品其中集成電路和分立器件正在022年上半年營收為328億元，占總營收的.%。公司產品單季度綜合毛利率為21%環比下降.4%主要系D芯片產能利用率因疫情大幅度下降以及成都限電引起的產線停產導致。圖6士蘭微營業收入結構（絕對值） 圖7士蘭微銷售毛利率以及凈利率80 4060 30

.7.7.0

.7

.0

.9

.040 2020 10

.6.6.52.45

.0 .020221-Q32021202020192018201720162015-.20221-Q3202120202019201820172016201502017年 2018年 2019年 2020年 2021年 202H

0 -.5 集成電路（億元） 分立器件（億元發光二極管產品（億元）其他業務（億元

年-0

年 年

年 年 年其他（億元）同花順iFi，公年報， 公司年報，

凈利潤率() 銷售毛利率()研發投入加大，產品優化降本增效明顯。近五年來，公司研發投入不斷提升，從27年的.79億元增加至21年的.27億元同比增長2%但因為公司產品結構優化，營收大幅增長導致公司研發支出下滑至.%超行業水平同時隨著產品結構及產持續優化，公司降本增效成效明顯，截至22年Q3期間費用率下降至1.%。圖8士蘭研發投入及占比變化 圖9士蘭微三費等情況308 30625620 204 1510 10250 02Q32017年 2018年 2019年 2020年 2021年 202H 2Q3研發投入總額（億元）資本化研發投入占研發投入比例（）

年 年 年 年 年 年研發投入總額占營業收入比例（）公司年報， 公司年報，

銷售費率（） 管理費率（） 研發費率（財務費率（） 期間費率（）結論及推薦多元化品牌效益明顯定增加碼新能源賽道成長可期公司秉承多元化發展理念品線覆蓋面廣是我國領先的平臺型半導體企業另外公司順應新能源發展潮流定增資切入車規級GT模塊以及CMOFT領域優化公司產品結構產品研發進展順利，盈利能力持續改善，成長可期。新潔能：新能源發電持續發力，高值產品蓄力待發公司概況公司成立于03年1月成立以來即專注于MOFETIGT等半導體芯片和功率器件的研發設計及銷售產品優質且系列齊全廣泛應用于消費電子新能源發電及新能源汽車等領域，是最早在2英寸工藝平臺實現溝槽型MOFT、屏蔽柵MOFT量產的企業。憑借多年的技術和本土供應鏈的優勢，收獲國內新能源頭部企業青睞，例如寧德時代陽光電源等，是我國IGT等半導體功率器件設計領域領軍企業。圖0新潔能發展路徑公司招股說明書、公司官網、業務分析自7年以來公司營業收入逐年穩步提升01年營業收入.8億元同比增長8%歸母凈利潤從.52億元增至1億元4年GR為5%受益于汽車電子光伏、儲能等新興領域拉動，及近年來國內半導體行業快速發展，22年前三季度營業收入為3億元，歸母凈利潤為8億元。圖1新潔營業收入 圖2新潔能歸母凈利潤10010080400

60 5050 40403030202010 100 0

2020101050020221-Q320212020201920182017-20221-Q32021202020192018201720212020201920182017年 年 年 年 年20212020201920182017

年 年 年 年 年20221-Q3營業總收入(百萬元） 同比增長率20221-Q3

歸母凈利潤(百萬元） 同比增長率()同花順iid，公年報， 同花順iFid，公年報，從產品結構來看公司近5年功率器件占比逐年提升從17年的53%提升至21年的.%主要系公司積極布局功率半導體封裝提升品牌影響力細分到產品類型來看，屏蔽柵功率OFT和GT產品營收占比逐年提升，受益于新能源行業持續擴容，預計將延續較快增速的趨勢。圖3新潔營業收入結構變化（絕對值） 圖4新潔能銷售毛利率以及凈利率16 1210864202017年 2018年 2019年 2020年 2021年

503803255125513020100功率器件（億元）芯片（億元其他業務（億元）

銷售凈利率() 銷售毛利率()同花順iFi，公年報， 同花順iFid，公年報，持續加碼研發，推動產業化升級。-01年公司研發投入規模從2萬元增長至69萬元，4年CGR達到8%，高于公司同期營收的增速，研發投入占比持續增加，2年前三季度研發投入總額為68萬元公司定增加碼功率半導體研發及產業化其中包括第三代半導體SGN功率C及IM模塊車規級功率器件的研發及產業化推動產品升級，進一步提升行業地位。圖5新潔研發投入及占比變化 圖6新潔能三費等情況100 6 120080460402200

8.04.00.0-4.0

年 年 年 年 年 01-3研發投入總額（百萬元） 研發投入占營收比列（）

銷售費用率 管理費用率 財務費用率 研發費用率公司年報， 公司年報，結論及推薦受益于新能源行業擴容高附加值產品加速放量公司產品持續迭代升級高附加品已打入國內頭部新能源企業供應鏈出貨量有望持續增長另外公司通過定增加強布局功率C、第三代半導體iGN、OFT等功率集成模塊，與現有產品配套，提升產品競爭力鞏固行業領先地位公司持續圍繞功率半導體板塊布局將有望充分受益新能源行業的擴容。宏微科技：臥薪嘗膽砥礪前行，打造IT民族品牌公司概況宏微科技于06年8月在江蘇常州成立是國內第一批生產制造IGT的公司自成立以來，一直從事IGT、FD為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計研發生產和銷售產品廣泛應用于工控和新能源領域憑借優異的產品性能深度綁定比亞迪、匯川技術等頭部優質客戶；并在規劃產能釋放下，實現更強的規模效應。圖7宏微科技發展路徑資料來源：業務分析新能源驅動GT需求激增，公司業績指標持續向好。當前我國新能源行業需求旺盛，IGT作為新能源行業的核心零部件充分受益公司自研芯片GT模塊以及單管性能優越，搶占先機斬獲光伏大單。在新能源需求驅動下，公司業績持續向好，221年公司營收同比增長.%達到51億元。02年前三季度營業收入5億元，同比上漲1%。2年前三季度扣非歸母凈利潤為8萬元，同比增長.%。圖8宏微科技營業收入 圖9宏微科技歸母凈利潤8 806 60404202 00 -0

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