TosetupaworkfunctioncalculationEitherimportastructureofthebulkmaterialfromapre-existingfileorconstructanewstructureusingthesketchingandcrystalbuildingtoolsintheMaterialsVisualizer.GeometryoptimizethebulkstructureusingCASTEP.CleavetherequiredcrystallographicsurfaceusingtheCleaveSurfacedialogsothatthethicknessprovidesameaningfulrepresentationofthebulk.BuildavacuumslabusingtheBuildVacuumSlabCrystaldialog,youshouldensurethatthedistancebetweenthesurfaceandtheendofthevacuumisgreatenoughthattherecanbenopotentialinteractionsbetweenthesurfaceandthenextlayer.ChooseModules|CASTEP|Calculationfromthemenubar.SelecttheSetuptab.ChoosetheGeometryOptimizationtask.FixCartesianatomicpositionsofsomeatomsinthemiddleoftheslabusingtheEditConstraintsdialog,accessiblefromtheModifymenu.SelecteithertheLDAorGGAFunctionalfromthedropdownlist(seethetheorysectionformoreinformationonfunctionals).ClicktheRunbutton.FollowthestepsintheDisplayingtheaveragedpotentialchartforworkfunctioncalculationstopic.功函數計算1。輸入一個軟件自帶的已知體結構，或用sketching

和crystalbuilding

工具建立一個新結構。GeometryoptimizethebulkstructureusingCASTEP.CleavetherequiredcrystallographicsurfaceusingtheCleaveSurfacedialogsothatthethicknessprovidesameaningfulrepresentationofthebulk.BuildavacuumslabusingtheBuildVacuumSlabCrystaldialog,youshouldensurethatthedistancebetweenthesurfaceandtheendofthevacuumisgreatenoughthattherecanbenopotentialinteractionsbetweenthesurfaceandthenextlayer.ChooseModules|CASTEP|Calculationfromthemenubar.SelecttheSetuptab.ChoosetheGeometryOptimizationtask.FixCartesianatomicpositionsofsomeatomsinthemiddleoftheslabusingtheEditConstraintsdialog,accessiblefromtheModifymenu.SelecteithertheLDAorGGAFunctionalfromthedropdownlist(seethetheorysectionformoreinformationonfunctionals).ClicktheRunbutton.FollowthestepsintheDisplayingtheaveragedpotentialchartforworkfunctioncalculationstopic.功函數的計算一、熱電子發射和功函數A：常數W：功函數(或脫出功)，將固體中的電子移至其表面、并處于自由狀態所需的最低能量。V0EF0xVW金屬真空熱電子發射的電流密度為——Richardson定律V0：真空能級（勢阱的深度）W:2~6eV。此值與晶體方向有關，變化范圍約1eV。二.功函數的計算模型

構造如右圖所示的2維無限陣列，計算的材料就是圖中的板，板間是真空層。用CASTEP計算此體系的EF和板間的靜電勢分布(r)，在平行表面的方向上對靜電勢取平均，從而在板間得到V0，進而得到W。由于功函數W的數值依賴于晶體結構和晶面取向，所以計算時需先優化體材料的晶體結構，再繪制2維陣列。可以優化塊層表面和塊層內部的原子坐標，也可以不優化。通過這些選擇，人們可以研究表面弛豫對功0.8-1nm3nm......slab函數的影響。一般建議利用constraints，固定塊層中間的原子，使其保留體材料的結構。

對塊層進行計算時，為了反映體材料的性質，塊層的厚度至少在0.8-1nm。為了避免塊層相鄰表面間靜電勢的相互干擾，并使靜電勢達到其漸進值，真空層的厚度至少為3nm。計算思路：對一定的晶體結構，求出總電子能量最低的電荷密度分布(x’)，再根據右式計算位置x處的電勢(x)。顯示成球棒結構轉化為原胞性質不選優化成功Saveproject,closeall打開優化后的W恢復為晶胞，準備切面其它不變，改厚度至9埃切出一個厚度約9埃的表面。足夠厚，表示體性