標準解讀

《GB/T 5594.4-1985 電子元器件結構陶瓷材料性能測試方法 介質損耗角正切值的測試方法》是一項國家標準，它規定了用于測定電子元器件中結構陶瓷材料介質損耗角正切值的方法。該標準適用于在特定頻率下對陶瓷材料進行電性能評價時使用。

根據這項標準，介質損耗角正切（tanδ）是指交流電場作用下，材料內部能量損失與儲存能量之比的一種度量方式。通過測量這個參數可以評估材料的絕緣性能和品質因素。標準詳細描述了實驗所需的儀器設備、樣品準備步驟、測試條件以及具體的操作程序等信息。例如，要求使用的測試頻率范圍通常為幾百赫茲到兆赫茲之間，并且指出了如何正確連接電路以確保準確讀數。


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  • 1985-11-27 頒布
  • 1986-12-01 實施
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文檔簡介

UDC621.315.612：621.382/.387：620.1中華人民共和國國家標準GB5594.4-85電子元器件結構陶瓷材料性能測試方法介質損耗角正切值的測試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinnelectroniccomponentsTestmethodfordielectriclossangletangentvalue1985-11-27發布1986-12-01實施國家批準

中華人民共和國國家標準電子元器件結構陶瓷材料UDC621.315.612：621.382性能測試方法/.387:620.1GB35594.4-85介質損耗角正切值的測試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodfordielectriclossangletangentalue本標準適用于測定電子元器件結構陶瓷材料在頻率1MHz,溫度從室溫至500℃條件下的介質損耗角正切值。1定義和測試原理陶瓷材料的介質損耗角正切值（tano）是表示在某一頻率交流電壓作用下介質損耗的參數。所調介質損耗即是單位時間內消耗的電能。由陶瓷材料制成的元器件，當它工作時，交變電壓加在陶瓷介質上，并通過交變電流，這時陶瓷介質連同與其相聯系的金屬部分，.，可以石成有損耗的電容器，并可用一個理想電容器和一個純電阻器并聯或串聯的電路來等效，如圖1所示。電壓和電流的相位關系可用圖2表示。a.料聯等效電路b.串聯等效電路圖1有損耗電

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