UDC.621.382.33：621.371.3.08L4中華人民共和國國家標準GB/T4587—-94IEC747-7-1988半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管SemiconductordiscretedevicesandintegratedcircuitsPart7：Bipolartransistors1994-12-31發布1995-08-01實施國家技術監督局發布

次第I章總則引言2范圍（13文字符號（i)第I章術語和文字符號品體管的類型通用術語3電路組態有關額定值和特性的術語S-參數：6文字符號·6.1電流、電壓和功率的文字符號…6.2電參數的文字符號……96.33其他量的文字符號（10）6.4文字符號一覽表（10）第章基本額定值和特性第1節小功率信號晶體管(不包括開關用的)概述·········（22）額定值(極限值)2（22）3特性………（23）應用數據。…···（26）第2節功率晶體管(不包括高頻和開關用品體管批述·······（26）顏定值(極限值)2（26）3特性··（27）應用數據（27）第3節放大器和振蕩器用高頻功率晶體管類型（27）半導體材料227）3極性（27）外形4（27）5極限值(絕對最大額定值除非另有規定·指在工作溫度范圍內）……（28）（28）

補充資料·……（31)，環境和(或)電耐久性試驗資料（31）第4節開關晶體管概述（31）額定值(極限值）（3131)應用數據（33）第W章通用測試方法和基準測試方法第1節通用測試方法概述（33）集電極-基極和發射極一基極截止電流·2（33）集電極-發射極截止電流(直流法）lceo.1cer.1cex,1ces）（34福集電極-發射極飽和電壓(Vcem)（34）基極-發射極飽和電壓(Vu"）……（36）6基極-發射極電壓(直流法)Voe）（37）7集電極-發射極維持電壓（Vcroc"a）Vcekc"))（38）（40）8.1共共基極輸出電容(C.a或C.）…（40）8.2集電極-基極電容(Ca）（41）9混合參數(小信號和大信號)（42）S電壓額定值和限定工作電壓的可測特性（V.encmo.VoxoEw·lsa）…"…···（48）熱阻…（50）12開關時間(ait,2o，a42om）·（59）高頻參數（/,Cz,Re(hu.）,y?·e，s·（61）14（74）第2節基淮測試方法概述（79）2集電極-基極截止電流(反向電流)/cwo）（80）3發射極-基極截止電流(反向電流)leeo)（80)集電極-發射極飽和電壓(Vce.)（81）5基極-發射極飽和電壓(Voe.）……………·（83）6基極-發射極正向電壓(Ve）·（83）共發射極正向電流傳輸比的靜態值(hare）（84)低頻小信號共發射極正向電流傳輸比(har.）……·（85）開關參數（87）第V章接收和可靠性第1節電耐久性試驗一般要求（87）2特殊要求（87)

耐久性試驗一覽表2.1（87）2.2耐久性試驗條件（87）2.3接收試驗中判定失效的特性和失效判據（87）2.4可靠性試驗中判定失效的特性和失效判據（87）誤試時的處理程序（87）耐久性試驗后接收的判定失效特性·（87)表I耐久性試驗條件………（88)

中華人民共和國國家標準半導體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管SemiconductordiscretedevicesandintegratedcireuitsPart7:Bipolartransistors本標準等同采用國際標準IEC747-7—1988《半導體分立器件和集成電路子第七部分雙極型晶體管》。第I章總則1引通常，本標準與IEC747-1—1983《半導體分立器件和集成電路總則第1部分總則》一起使用。在IEC747-1中可找到下列全部基礎資料：·術語：-文字符號；基本額定值和特性;測試方法；-接收和可靠性。本標準各章的編排順序符合IEC747-1第章第2.1條的規定。2范圍本標準給出了下列幾種類型雙極型品體管的標準：·小功率信號晶體管(不包括開關用的)功率晶體管(不包括開關和高頻用的)放大和振蕩用高頻功率品體管：開關用晶體管。3文字符號通常，在術語的標題中加進了文字符號.當一個術語有幾個文字符號時，本標準只選取了最常用的第I章術語和文字符號晶體管的類型11結型晶體管