ICS77040

CCSH.17

中華人民共和國國家標準

GB/T41153—2021

碳化硅單晶中硼鋁氮雜質含量的測定

、、

二次離子質譜法

Determinationofboronaluminumandnitroenimuritcontentinsilicon

,gpy

carbidesinglecrystal—Secondaryionmassspectrometry

2021-12-31發布2022-07-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

碳化硅單晶中硼鋁氮雜質含量的測定

、、

二次離子質譜法

GB/T41153—2021

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

202112

*

書號

:155066·1-69079

版權專有侵權必究

GB/T41153—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所有色金屬技術經濟研究院有限責任公

:、

司山東天岳先進科技股份有限公司

、。

本文件主要起草人馬農農何友琴陳瀟劉立娜何烜坤李素青張紅巖

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T41153—2021

碳化硅單晶中硼鋁氮雜質含量的測定

、、

二次離子質譜法

1范圍

本文件規定了碳化硅單晶中硼鋁氮雜質含量的二次離子質譜測試方法

、、。

本文件適用于碳化硅單晶中硼鋁氮雜質含量的定量分析測定范圍為硼含量不小于13-3

、、,5×10cm、

鋁含量不小于13-3氮含量不小于15-3元素濃度原子個數百分比不大于

5×10cm、5×10cm,()1%。

注1碳化硅單晶中待測元素的含量以每立方厘米中的原子數計

:。

注2碳化硅單晶中釩雜質含量的測定可參照本文件進行測定范圍為釩含量不小于13-3

:,1×10cm。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體材料術語

GB/T14264

表面化學分析詞匯

GB/T22461

分析儀器性能測定術語

GB/T32267

3術語和定義

和界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264、GB/T22461GB/T32267。

4原理

在高真空真空度優于-7條件下氧或銫離子源產生的一次離子經過加速純化聚焦

(5×10Pa),,、、

后轟擊碳化硅單晶樣品表面濺射出多種粒子將其中的離子即二次離子引出通過質譜儀將不同

,,。(),

質荷比的離子分開記錄并計算樣品中待測元素與主元素硅的離子計數率之比利用相對靈敏度因子

,。

定量分析并計算出碳化硅單晶中的待測元素的含量

。

5干擾因素

51二次離子質譜儀存在記憶效應若測試過待測元素含量較高的樣品儀器樣品室內會殘留高含量

.,,

的待測元素影響待測元素含量的測試結果

,。

52儀器型號不同或者同一儀器的狀態不同例如電子倍增器效率光圈大小一次束流大小聚焦狀

.(、、、

態等會影響本方法的檢出限

),。

53樣品室的真空度會影響氮含量測試結果的準確度

.。

54樣品表面吸附的待測元素離子可能影響其含量的測試結果

.