ICS31260

L53.

中華人民共和國國家標準

GB/T36356—2018

功率半導體發光二極管芯片技術規范

Technicalspecificationforpowerlight-emittingdiodechips

2018-06-07發布2019-01-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T36356—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

要求

3………………………1

檢驗方法

4…………………4

檢驗規則

5…………………5

包裝運輸和儲存

6、…………………………9

附錄規范性附錄功率半導體發光二極管芯片的目檢

A()……………11

附錄規范性附錄人體模式和機器模式的靜電放電敏感度分級及標志

B()…………14

GB/T36356—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部電子歸口

()。

本標準起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所國家半導體器件質量監督檢驗中心中國

:、、

電子技術標準化研究院廈門市三安光電科技有限公司

、。

本標準主要起草人張瑞霞趙敏黃杰趙英劉秀娟蔡偉智彭浩劉東月張晨朝

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36356—2018

功率半導體發光二極管芯片技術規范

1范圍

本標準規定了功率半導體發光二極管芯片產品以下簡稱芯片的技術要求檢驗方法檢驗規則

()、、、

包裝運輸和儲存等

、。

本標準適用于功率半導體發光二極管芯片

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產品環境試驗第部分試驗方法試驗交變濕熱

GB/T2423.4—20082:Db:(12h+

循環

12h)

電工電子產品環境試驗第部分試驗方法試驗和導則穩態加

GB/T2423.15—20082:Ga:

速度

環境試驗第部分試驗方法試驗溫度變化

GB/T2423.22—20122:N:

半導體器件第部分分立器件和集成電路總規范

GB/T4589.1—200610:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分總則

GB/T4937.1—20061:

半導體發光二極管測試方法

SJ/T11394—2009

半導體發光二極管芯片測試方法

SJ/T11399—2009

所有部分半導體器件機械和氣候試驗方法

IEC60749()(Semiconductordevices—Mechanical

andclimatictestmethods)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分芯片剪切強度

IEC60749-19:201019:(Semicon-

ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鍵合強度

IEC60749-22:200222:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)

3要求

31通則

.

311優先順序

..

芯片應符合本標準和相關詳細規范的要求本標準的要求與相關詳細規范不一致時應以相關詳

。,

細規范為準