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中華人民共和國國家標準

GB/T31351—2014

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

Nondestructivetestmethodformicropipedensityof

polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-12-31發布2015-09-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

GB/T31351—2014

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20151

*

書號

:155066·1-50709

版權專有侵權必究

GB/T31351—2014

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會和全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位北京天科合達藍光半導體有限公司中國科學院物理研究所

:、。

本標準主要起草人陳小龍鄭紅軍張瑋郭鈺劉振洲

:、、、、。

Ⅰ

GB/T31351—2014

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

1范圍

本標準規定了晶型和晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無損檢測方法

4H6H。

本標準適用于晶型和晶型碳化硅單晶拋光片經單面拋光或雙面拋光后微管的徑向尺寸

4H6H、

在一微米至幾十微米范圍內的微管密度的測量

。

2術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

21

.

微管micropipe

或碳化硅單晶拋光片中沿軸方向延伸且徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍的中空管道

4H6Hc。

22

.

微管密度micropipedensity

單位面積內微管個數記為單位為個每平方厘米個2

,MPD,(/cm)。

3方法原理

利用入射光線在微管周圍處的折射系數差異確定微管從而計算出相應的微管密度測試系統的

,。

光源首先通過偏振光片起偏器自然光改變成為具有一定振動方向的光如果樣品的晶格排列均

P1(),;

勻即折射率相同則經過樣品的光線仍舊是同一振動方向的光這樣經過與成的偏振光片

,,;,P190°P2

檢偏器后探測器得到的光強信號將是均勻的如果樣品某處存在微管碳化硅微管內部中空且周

(),。,,

圍存在一定的應力場其相應的折射系數不一致則經過樣品的光線在微管附近振動方向與整體不再平

,,

行結果探測器得到的光強信號就會反應出相應的差別示意圖如圖

,。1。

圖1微管無損檢測原理圖

當樣品表面平行于晶面時微管顯示為蝴蝶狀亮點當樣品表面偏離晶面時微管顯

(0001),;(0001),

示為彗星狀這種光強信號的差別表示微管的存在用正交偏光顯微鏡在透射光模式下放大倍

,。50~

倍觀察當晶片切割方向垂直于軸時微管的典型形貌為蝴蝶狀如圖所示當切割方向與

100,