標準解讀
《GB/T 24370-2009 硒化鎘量子點納米晶體表征 紫外-可見吸收光譜方法》是一項國家標準,旨在提供一種通過紫外-可見吸收光譜技術來表征硒化鎘(CdSe)量子點納米晶體特性的方法。該標準適用于科研機構(gòu)、高等院校以及相關企業(yè),在進行CdSe量子點材料的研發(fā)與質(zhì)量控制時作為參考依據(jù)。
根據(jù)此標準,首先需要準備一定濃度范圍內(nèi)的CdSe量子點溶液,并確保其均勻分散于合適的溶劑中。接下來,使用紫外-可見分光光度計測量這些溶液在特定波長范圍內(nèi)的吸光度值。通過分析獲得的吸收光譜數(shù)據(jù),可以確定樣品的最大吸收峰位置及其半峰寬等重要參數(shù),進而評估CdSe量子點的尺寸分布情況及光學性質(zhì)。
此外,《GB/T 24370-2009》還詳細規(guī)定了實驗過程中所需的儀器設備要求、測試條件設置、數(shù)據(jù)處理方法等內(nèi)容,以保證不同實驗室之間結(jié)果的一致性和可比性。例如,對于使用的分光光度計而言,應具備良好的線性響應和足夠高的分辨率;而針對樣品制備,則強調(diào)了避免引入雜質(zhì)干擾的重要性。
遵循本標準所描述的方法步驟,研究人員能夠系統(tǒng)地獲取關于CdSe量子點的關鍵信息,這對于深入理解此類材料的基本物理化學特性具有重要意義,同時也為它們在光電轉(zhuǎn)換器件、生物標記等多個領域的應用奠定了基礎。
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文檔簡介
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犌30
中華人民共和國國家標準
犌犅/犜24370—2009
硒化鎘量子點納米晶體表征
紫外可見吸收光譜方法
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20090930發(fā)布20091201實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局
發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
書
中華人民共和國
國家標準
硒化鎘量子點納米晶體表征
紫外可見吸收光譜方法
GB/T24370—2009
中國標準出版社出版發(fā)行
北京復興門外三里河北街16號
郵政編碼:100045
網(wǎng)址www.spc.net.cn
電話:6852394668517548
中國標準出版社秦皇島印刷廠印刷
各地新華書店經(jīng)銷
開本880×12301/16印張1字數(shù)22千字
2009年11月第一版2009年11月第一次印刷
書號:155066·138969
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舉報電話:(010)68533533
書
犌犅/犜24370—2009
前言
本標準的附錄A、附錄B和附錄C均為資料性附錄。
本標準由中國科學院提出。
本標準由全國納米技術標準化技術委員會(SAC/TC279)歸口。
本標準負責起草單位:國家納米科學中心。
本標準參加起草單位:北京工商大學、武漢大學、武漢珈源量子點技術開發(fā)公司。
本標準主要起草人:葛廣路、劉忍肖、嵇天浩、龐代文、朱曉波、高潔、趙蕊。
Ⅰ
書
犌犅/犜24370—2009
引言
半導體納米晶體(又稱量子點、半導體量子點)是由半導體材料(如CdSe、CdTe等Ⅱ~Ⅵ族或InP、
InAs等Ⅲ~Ⅴ族化合物)組成的、尺寸在1nm~100nm之間的納米材料,其中硒化鎘(CdSe)納米晶體
具有優(yōu)良的尺寸及形狀可控性,是研究最多、最有代表性的一類。半導體納米晶體因量子尺寸效應的存
在表現(xiàn)出尺寸相關的光學和電學性質(zhì)。與傳統(tǒng)的有機染料分子熒光探針相比,半導體納米晶體的光譜
性質(zhì)具有明顯的優(yōu)勢:激發(fā)波長寬且連續(xù)分布,發(fā)射波長范圍卻很窄,使多波長同時觀察成為可能;發(fā)光
強度高,光化學穩(wěn)定性更好,十分有利于長時間對細胞內(nèi)多生命現(xiàn)象的動態(tài)變化進行觀察。基于上述性
質(zhì),半導體納米晶體在藥物篩選、生物標記、細胞示蹤、流式微流控芯片免疫分析、快速診斷增敏等方面
開始得到廣泛應用。
紫外可見吸收光譜法(UVVisabsorptionspectroscopy)是利用物質(zhì)分子對紫外可見光的吸收光
譜,對物質(zhì)的組成結(jié)構(gòu)及含量進行分析測定的一種實驗室常用分析方法,可實用而便利地對半導體納米
晶體的光學性質(zhì)進行表征,并獲得其結(jié)構(gòu)信息。用紫外可見吸收光譜法對其進行光譜測定時,特征吸
收峰值和摩爾吸收系數(shù)與粒子粒徑有直接的對應關系。在已知每摩爾半導體納米晶體吸收系數(shù)(ε)的
前提下,由郎伯比爾定律(犃=ε犆犔)可簡便而準確地計算量子點納米晶體在分散液中的摩爾濃度。
Ⅱ
犌犅/犜24370—2009
硒化鎘量子點納米晶體表征
紫外可見吸收光譜方法
1范圍
本標準規(guī)定了硒化鎘(CdSe)量子點納米晶體的紫外可見吸收光譜表征方法。
本標準適用于由表面活性劑分子———正三辛基氧膦(TOPO,Trioctylphosphine)包覆的硒化鎘量
子點納米晶體在正己烷中形成的分散液。其他表面活性劑分子包覆的硒化鎘量子點納米晶體在各種非
極性試劑中形成的分散液、在水相體系中合成的硒化鎘量子點納米晶體及其他組成的半導體量子點納
米晶體的紫外可見吸收光譜表征也可參照本標準執(zhí)行。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準。
GB/T9721—2006化學試劑分子吸收分光光度法通則(紫外和可見光部分)
GB/T19267.2—2003刑事技術微量物證的理化檢驗第2部分:紫外可見吸收光譜法
GB/T19619—2004納米材料術語
JJG178—2007紫外、可見、近紅外分光光度計檢定規(guī)程
3術語和定義
GB/T19619—2004確立的以及下列術語和定義適用于本標準。
3.1
量子點納米晶體狇狌犪狀狋狌犿犱狅狋狀犪狀狅犮狉狔狊狋犪犾狊
在常溫下具有量子尺寸效應的納米晶
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