標準解讀

《GB/T 15713-1995 鍺單晶片》是中國的一項國家標準，發布于1995年，旨在規定鍺單晶片的技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和儲存要求。此標準適用于半導體器件制造中使用的鍺單晶片。以下是該標準的主要內容概覽：

  1. 范圍：明確了標準適用的鍺單晶片類型，主要用于半導體工業中的各種器件制造，規定了其基本參數和質量要求。

  2. 引用標準：列出了實施本標準時所依據或參考的其他相關國家標準和行業標準，確保各項測試和評估有據可依。

  3. 定義：對鍺單晶片相關的專業術語進行了界定，如晶向、晶片直徑、厚度、平整度等，為后續技術要求的闡述提供清晰的概念基礎。

  4. 技術要求：

    • 材料：規定了鍺單晶應滿足的純度等級，以及可能存在的雜質元素的最大允許含量。
    • 幾何尺寸：詳細說明了晶片的直徑、厚度及其公差范圍，確保晶片的尺寸一致性。
    • 表面質量：包括表面平整度、潔凈度、缺陷（如劃痕、凹坑）的要求，以保證晶片表面適合后續的微細加工。
    • 電學性能：規定了電阻率、載流子濃度等電學參數的范圍，這些對于半導體器件的功能至關重要。

  5. 試驗方法：介紹了如何通過物理和化學手段檢測鍺單晶片的各項指標，包括但不限于尺寸測量、表面檢查、電學性能測試等，確保測試結果的準確性和可重復性。

  6. 檢驗規則：明確了晶片的抽樣方案、合格判定準則及不合格品的處理方式，確保產品質量控制的嚴格性。

  7. 標志、包裝、運輸和儲存：

    • 標志：要求在產品或包裝上明確標注產品信息，如標準號、制造商、批號、規格等。
    • 包裝：規定了保護晶片免受物理損傷和化學污染的包裝要求。
    • 運輸：提出在運輸過程中避免極端溫度、劇烈震動的措施，以保護晶片的完整性。
    • 儲存：描述了適宜的儲存環境條件，如溫度、濕度，以防晶片性能劣化。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 5238-2009
  • 1995-10-17 頒布
  • 1996-03-01 實施
?正版授權
GB/T 15713-1995鍺單晶片_第1頁
GB/T 15713-1995鍺單晶片_第2頁
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文檔簡介

ICS29.040.20H81中華人民共和國國家標準GB/T15713—1995錯單晶片Monocrystallinegermaniumslices1995-10-17發布1996-03-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準GB/T15713-1995錯單晶Monocrystallinegermaniumslices1主題內客與適用范圖本標準規定了錯單晶切割片、研磨片和腐蝕片(簡稱錯片)的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸和心存。本標準適用于各種牌號的錯單晶經切割、雙面研磨、分割、腐蝕制備的圓形、方形和長方形錯片。產品用于制作品體管和紅外器件。2引用標準GB2828逐批檢查計數抽樣程序及抽樣表(適用于連續批的檢查)GB/T5238錯單晶3產品分類3.1分類錯片按導電類型分為n型和P型，按生產方法分為切割片、研磨片和腐蝕片三種3.2牌號3.2.1錯片的牌號表示為：口8口PL心其中：-表示錯單晶的生產方法。Cz表示直拉法,HB表示水平法。2--Ge表示錯單晶。表示錯片的品種,分別用相應英文單詞的第一個字母組合的大寫形式表示,當英文取兩個字母時，第二個字母應小寫，其中：CW表示切割片；BLW表示雙面研磨片;c.EtW表示腐蝕片。-用或p表示導電類型，括號內的元素符號表示摻雜劑。國家

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