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文檔簡介

3.2均勻基區晶體管的電流放大系數（1）少子在基區中的復合必須很少，即要求

WB

<<LB

。可利用

基區輸運系數

對其進行定量分析；要使晶體管區別于兩個反向串聯的二極管而具有放大作用，晶體管在結構上必須滿足下面兩個基本條件：（2）發射區注入基區的少子形成的電流必須遠大于基區注入發射區的少子形成的電流，即要求

NE>>NB

。可利用

發射結注入效率

對其進行定量分析。本節的討論以

PNP

定義：基區中到達集電結的少子電流

與

從發射區注入基區的少子形成的電流之比，稱為

基區輸運系數，記為。對于PNP

管，為

由于少子空穴在基區的復合，使

JpC

<JpE

，。3.2.1基區輸運系數由于

WB<<LB，根據2.2.6關于薄基區二極管的近似結果，可得以下用pB代表基區非平衡少子濃度

pn

。再利用近似公式(x很小時），得根據基區輸運系數的定義，得式中，即代表了少子在基區中的復合引起的電流虧損所占的比例。要減少虧損，應使

WB↓，LB↑。靜態下的空穴電荷控制方程為下面再利用電荷控制法來求。另一方面，由薄基區二極管的

近似公式

，從上式可解出，代入

Jpr

中，得：BEC0WBJpEJpC

3.2.2基區渡越時間

定義：少子在基區內從發射結渡越到集電結所需要的平均時間，稱為少子的

基區渡越時間，記為

b

。在

b期間，基區內的少子全部更新一遍，因此，

注意

b

與

B

的區別的物理意義：時間，代表少子在單位時間內的復合幾率，因而就代表少子在基區停留期間被復合的幾率，而則代表未復合掉的比例，也即到達集電結的少子電流與注入基區的少子電流之比。b

代表少子在基區停留的平均當

WB

<<LB及

WE

<<LE時，根據薄基區二極管的結果，為提高，應使

NE>>NB

，即（NB

/NE）<<1，則上式可近似寫為將代入

中，得再利用愛因斯坦關系，得注意：DB、DE

代表

少子

擴散系數，B、E

代表

多子

遷移率。利用

方塊電阻

的概念，

可有更簡單的表達式。方塊電阻代表一個正方形薄層材料的電阻，記為

R口。對于均勻材料，對于厚度方向（x方向）上不均勻的材料，

3.2.4電流放大系數式中，，稱為

虧損因子。由

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