單位:2LCD工程一部報告者:林吉宏液晶滴下式注入(ODF)介紹

VLA-7000C單位:2LCD工程一部液晶滴下式注入(ODF)介紹

VLA報告內容大綱*裝置構成及各部機構介紹*製程主要參數*ODF製程相關不良報告內容大綱*裝置構成及各部機構介紹加壓&注入口封口Alignment&PressureVAC.液晶注入

CF/TFT基板對組後利用液晶通過注入口之方式注入現有方式大氣壓放置&UV照射VAC.ChamberAlignment&PressureLCDrop

CF/TFT基板對組前利用液晶Drop方式注入Panel內LDF方式ODF注入方式介紹加壓&注入口封口Alignment&Pressure真空貼合部UV照射部

控制臺LCDP部基板搬送部(2枚搬送)Loader部Powersupply大氣Alignment部Unloader部VACPumpUVPowersupplyUVBlowerINOUT裝置構成(VLA-7000C)LC滴下部對位/組立部框膠硬化部真空貼合部UV照射部控制臺LC滴下部:DispenserDispenser構成:Dispenser作動程序:DispenserLayout:SupplyValveLimitValvePlungerSyringeLCbottleNozzleFilterSupplyValveOpenPlunger上升至原點(補充LC)SupplyValveOffLimitValveOpenPlunger步進下降(LC滴下)Plunger下降至LC滴完位置LimitValveOffLC滴下部:DispenserDispenser構成:DDispenser精度及LC比抵抗維護精度:LC比抵抗:*液晶移載方式*Dispenser存放環境*Parts清潔組立程序*LC脫泡程序*Dispenser脫泡程序*精度確認(0.5%)Dispenser精度及LC比抵抗維護精度:LC比抵抗:*液LC滴下Pattern及SealPatternSealPattern:LCPattern:Pattern設計重點:1.頭尾結合點位置點2.MainsealtoBM距離3.Dummytomainseal距離LCpattern設計重點:1.滴下點至mainseal距離(25-30mm)2.滴下點間間距:(30-40mm)3.滴下點大小:(80-100Pulse)LC滴下Pattern及SealPatternSealLC滴下MARGINThefollowingexaminationsareperformedforbubblesandthegapMurachecked.?Autoclave?Hightemptest?Lowtemptest?LowAtm.testLC

quantityvscellgap3.7003.8003.9004.0004.1004.2004.300420430440450460470480490500LCquantity(mg)cellgap(μm）bubblegapmuramarginLIGHTONGAPMURARAGAPMURACELLGAP>4.2umRABubblecellgap<3.85umvisiblebubbleLC滴下MARGINThefollowingexam對位組立部機構:CFTFT靜電chuckMLOADCELLCC真空CHAMBER加壓機構對位組立部機構:CF靜電chuckMLOADCELLCC真ESC靜電吸著板構造A電極B電極TOPVIEWESC靜電吸著板構造A電極B電極TOPVIEW對位組立程序說明:Chamber上蓋下降ESCON--同壓配管ON,CHAMBER抽真空真空度1pa時-上ESC下降執行粗對位真空度0.8pa時-上ESC下降至微對位置,執行微對位,加壓力對位完成-最終加壓力,脫離除電-真空開放(N2Purge)大氣加壓保持Chamber上蓋上升UVseal硬化製程對位組立程序說明:Chamber上蓋下降ESCON--同壓對位組立製程主參數及設備ISSUE:*壓合STEP

/壓合壓力*靜電ESC施加電壓值*電壓Type(A-/B)及電壓施加時機*Chamber真空度*ESC靜電消除電壓值及電壓施加時機.製程主參數:設備MainIssue:*Chamber真空度維護*上下ESCStage平面度及平行度維護*ESCMaintenance*製程Tacttime對位組立製程主參數及設備ISSUE:*壓合STEP/壓合壓UV照射部構造基板DUVcutfilterIRcutfilterMirrorUVLampUV照射部構造基板DUVcutfilterIRcut*UV波長cut(300nm以下cut).*UV照射強度(80~160mw/cm2).*UV照射能量(SEAL種類:協立,三井…).*UV照射照度/照射時間(段階,積算光量)*UV照射均勻性(±20%以下).UV照射部相關參數:*UV波長cut(300nm以下cut).UV照射部相關參ODF製程相關不良(1):靜電chuck平行度:SPEC±15umchamber真空度Seal斷膠/貫通/局細/剝離等異常Bubble:AirBubble:VacuumBubble:液晶滴下量不足PS高度異常Dispenser精度ODF製程相關不良(1):靜電chuck平行度:SPECODF製程相關不良(2):GravityMura:LCDispenser精度管理:0.5%LCquantityV.S.PSheightPSDensityODF相關sealdefect:SealinBM:結合點,塗佈Shift,膠寬過大Mainseal異物壓寬:ESC上異物LC貫穿:滴下點至mainseal距離,ESC平坦度/平行度空氣貫穿:斷膠,框膠局細,UV硬化前置時間過長Seal剝離:ESC靜電殘留,真空壓殘留ODF製程相關不良(2):GravityMura:LCODF製程相關不良(3):ESC除電不完全:除電時間同壓配管閥動作不良:同壓配管內殘壓影響對位完成基板基板PURGE壓力高or流量大:PURGE壓力,流量調整對位SOFT不良:對位完成後再補正θESC和基板吸著力不足:ESC電壓/STAGE平行度UV照射前基板移載不良Mis-assembly:ODF製程相關不良(3):ESC除電不完全:除電時間MisODF製程相關不良(4):RingMura:.上下ESC內異物

.UVStage內異物

.AL/UV部頂Pin壓傷

.PSdensityODF製程相關不良(4):RingMura:.上下ESODF製程相關不良(5):.上下ESCChuck值.電壓施加方式.ESCChuck吸附時間及時機.Ovenkeeptime

ChuckMura:ODF製程相關不良(5):.上下ESCChuck值C謝謝觀看！2020

謝謝觀看！單位:2LCD工程一部報告者:林吉宏液晶滴下式注入(ODF)介紹

VLA-7000C單位:2LCD工程一部液晶滴下式注入(ODF)介紹

VLA報告內容大綱*裝置構成及各部機構介紹*製程主要參數*ODF製程相關不良報告內容大綱*裝置構成及各部機構介紹加壓&注入口封口Alignment&PressureVAC.液晶注入

CF/TFT基板對組後利用液晶通過注入口之方式注入現有方式大氣壓放置&UV照射VAC.ChamberAlignment&PressureLCDrop

CF/TFT基板對組前利用液晶Drop方式注入Panel內LDF方式ODF注入方式介紹加壓&注入口封口Alignment&Pressure真空貼合部UV照射部

控制臺LCDP部基板搬送部(2枚搬送)Loader部Powersupply大氣Alignment部Unloader部VACPumpUVPowersupplyUVBlowerINOUT裝置構成(VLA-7000C)LC滴下部對位/組立部框膠硬化部真空貼合部UV照射部控制臺LC滴下部:DispenserDispenser構成:Dispenser作動程序:DispenserLayout:SupplyValveLimitValvePlungerSyringeLCbottleNozzleFilterSupplyValveOpenPlunger上升至原點(補充LC)SupplyValveOffLimitValveOpenPlunger步進下降(LC滴下)Plunger下降至LC滴完位置LimitValveOffLC滴下部:DispenserDispenser構成:DDispenser精度及LC比抵抗維護精度:LC比抵抗:*液晶移載方式*Dispenser存放環境*Parts清潔組立程序*LC脫泡程序*Dispenser脫泡程序*精度確認(0.5%)Dispenser精度及LC比抵抗維護精度:LC比抵抗:*液LC滴下Pattern及SealPatternSealPattern:LCPattern:Pattern設計重點:1.頭尾結合點位置點2.MainsealtoBM距離3.Dummytomainseal距離LCpattern設計重點:1.滴下點至mainseal距離(25-30mm)2.滴下點間間距:(30-40mm)3.滴下點大小:(80-100Pulse)LC滴下Pattern及SealPatternSealLC滴下MARGINThefollowingexaminationsareperformedforbubblesandthegapMurachecked.?Autoclave?Hightemptest?Lowtemptest?LowAtm.testLC

quantityvscellgap3.7003.8003.9004.0004.1004.2004.300420430440450460470480490500LCquantity(mg)cellgap(μm）bubblegapmuramarginLIGHTONGAPMURARAGAPMURACELLGAP>4.2umRABubblecellgap<3.85umvisiblebubbleLC滴下MARGINThefollowingexam對位組立部機構:CFTFT靜電chuckMLOADCELLCC真空CHAMBER加壓機構對位組立部機構:CF靜電chuckMLOADCELLCC真ESC靜電吸著板構造A電極B電極TOPVIEWESC靜電吸著板構造A電極B電極TOPVIEW對位組立程序說明:Chamber上蓋下降ESCON--同壓配管ON,CHAMBER抽真空真空度1pa時-上ESC下降執行粗對位真空度0.8pa時-上ESC下降至微對位置,執行微對位,加壓力對位完成-最終加壓力,脫離除電-真空開放(N2Purge)大氣加壓保持Chamber上蓋上升UVseal硬化製程對位組立程序說明:Chamber上蓋下降ESCON--同壓對位組立製程主參數及設備ISSUE:*壓合STEP

/壓合壓力*靜電ESC施加電壓值*電壓Type(A-/B)及電壓施加時機*Chamber真空度*ESC靜電消除電壓值及電壓施加時機.製程主參數:設備MainIssue:*Chamber真空度維護*上下ESCStage平面度及平行度維護*ESCMaintenance*製程Tacttime對位組立製程主參數及設備ISSUE:*壓合STEP/壓合壓UV照射部構造基板DUVcutfilterIRcutfilterMirrorUVLampUV照射部構造基板DUVcutfilterIRcut*UV波長cut(300nm以下cut).*UV照射強度(80~160mw/cm2).*UV照射能量(SEAL種類:協立,三井…).*UV照射照度/照射時間(段階,積算光量)*UV照射均勻性(±20%以下).UV照射部相關參數:*UV波長cut(300nm以下cut).UV照射部相關參ODF製程相關不良(1):靜電chuck平行度:SPEC±15umchamber真空度Seal斷膠/貫通/局細/剝離等異常Bubble:AirBubble:VacuumBubble:液晶滴下量不足PS高度異常Dispenser精度ODF製程相關不良(1):靜電chuck平行度:SPECODF製程相關不良(2):GravityMura:LCDispenser精度管理:0.5%LCquantit