1、高純化學物質高純化學物質我國經過了幾十年的研究和生產，工藝技術與測試技術已具有相當水平。近年來還采用了許多新技術，如為縮短反應時間、提高產率，采用了光化法、相轉移催化法等新技術；在提純方面，除傳統的提純工藝外，已采用亞沸蒸餾、絡合萃取、分步結晶、色層分離、超過濾等新技術。我國經過了幾十年的研究和生產，工藝技術與測試技術已具有相在產品品種方面，為半導體工業和大規模集成電路生產了多種超純試劑、光刻膠等化學品。其中1984年研制成功的BV-1級高純試劑；BP-212型光刻膠等已達到國外同類產品的水平，可用于64K集成電路。此外，還發展了如光纖基礎材料、電視和電影膠片記錄材料、真空鍍膜材料、光電材料、

2、發光材料、閃爍材料、感光化學材料及一些特殊精細化學品，還研制開發了環境分析試劑和臨床診斷化學品。在產品品種方面，為半導體工業和大規模集成電路生產了多種超在產品品種方面，為半導體工業和大規模集成電路生產了多種超純試劑、光刻膠等化學品。因此，只有固態時具有較高蒸汽壓的金屬，才能利用此提純法。萃取是利用物質在兩種不互溶（或微溶）溶劑中溶解度或分配比的不同，來達到提純的目的。真空升華是指金屬在真空加熱后從固體揮發冷凝為固態這樣一種蒸餾過程。其過程是將金屬加熱到一定溫度，使其從表面蒸發，然后將蒸汽冷凝。半導體工業是專用化學品的最大消耗者。（6）真空蒸餾與亞沸蒸餾降低副反應、連續生產的工藝方法，將具有越來

3、越重要的意義和廣闊的前途。真空升華是指金屬在真空加熱后從固體揮發冷凝為固態這樣一種蒸餾過程。在新型材料方面，由于物質的純度提高到一定的程度時，在電性、光性、熱性等方面都表現出特殊的功能，如光導纖維、紅外光纖材料，其雜質含量在十億分之幾。采用這種方法，可將普通蒸餾水和優級純無機酸中雜質含量降低到十億分之幾，將在同位素分離、高純物質和微量化學分析中得到廣泛應用。BP-212型光刻膠等已達到國外同類產品的水平，可用于64K集成電路。目前的發展趨向是常規化學試劑的需求量將下降，而高純試劑和儀分試劑等將迅速增加。還可用于高純鐵的制備。近年來還采用了許多新技術，如為縮短反應時間、提高產率，采用了光化法、相

4、轉移催化法等新技術；當代科學研究如能源、材料、計算機、激光、空間高能物理和遺傳工程等領域，從基礎研究到實際應用都離不開化學試劑。目前的發展趨向是常規化學試劑的需求量將下降，而高純試劑和儀分試劑等將迅速增加。其過程是將金屬加熱到一定溫度，使其從表面蒸發，然后將蒸汽冷凝。目前的發展趨向是常規化學試劑的需求量將下降，而高純試劑和儀分試劑等將迅速增加。在工藝技術方面，其發展趨勢主要是開發新的工藝技術和改進舊的工藝方法。其中催化劑是關鍵；降低副反應、連續生產的工藝方法，將具有越來越重要的意義和廣闊的前途。在產品品種方面，為半導體工業和大規模集成電路生產了多種超純試特點門類廣、品種多、純度高、批量小、更新

5、快、技術要求高。應用當代科學研究如能源、材料、計算機、激光、空間高能物理和遺傳工程等領域，從基礎研究到實際應用都離不開化學試劑。我國60年代在世界上首次人工合成的結晶牛胰島素以及隨后合成的酵母丙氨酸轉移核糖核酸，都使用了大量的化學試劑。特點宇航、電子計算機和通訊事業的飛速發展，使得集成電路正向超大規模發展。相應的對電子純（又稱MOS純）試劑的質量要求越來越高。半導體工業是專用化學品的最大消耗者。制成1000塊集成電路芯片需用15t光刻膠、15tMOS試劑、150t通用試劑。宇航、電子計算機和通訊事業的飛速發展，使得集成電路正向超在醫藥衛生、生物工程方面，生化試劑、酶試劑有其特殊的作用。在新型材

6、料方面，由于物質的純度提高到一定的程度時，在電性、光性、熱性等方面都表現出特殊的功能，如光導纖維、紅外光纖材料，其雜質含量在十億分之幾。因此，高純物質的合成已逐漸形成一門獨立的科學技術。在醫藥衛生、生物工程方面，生化試劑、酶試劑有其特殊的作用二. 制備方法提純與精制 國內外常用的提純技術有十幾種之多，它們各有所長，原理各異，只有融會貫通，巧妙聯用，才能達到提純精制的目的。主要有如下幾種：（1）電解（2）還原法。如高純錫的制取。二. 制備方法提純與精制（3）萃取溶質從一種溶劑向另一種溶劑的轉移叫做萃取。萃取是利用物質在兩種不互溶（或微溶）溶劑中溶解度或分配比的不同，來達到提純的目的。液液萃取具有

7、平衡速度快、處理容量大、分離效果好、回收效率高、操作簡便、宜遙控及自動化等特點。在化學試劑提純中起了重要的作用。如高純金的萃取。（3）萃取（4）離子交換與電滲析離子交換法在兩性物質的分離（如Fe、Al）、稀土元素生產中雜質的分離等諸多方面，都得到廣泛的應用，日益為人們所重視。電滲析是在外電場的作用下，利用陰陽離子交換膜對溶液中陰、陽離子的選擇滲透性（即陽膜只允許通過陽離子，陰膜只允許通過陰離子），從而使溶液中某些離子得到分離的一種物理化學過程。（4）離子交換與電滲析在工藝技術方面，其發展趨勢主要是開發新的工藝技術和改進舊的工藝方法。在化學試劑提純中起了重要的作用。目前的發展趨向是常規化學試劑的

8、需求量將下降，而高純試劑和儀分試劑等將迅速增加。降低副反應、連續生產的工藝方法，將具有越來越重要的意義和廣闊的前途。在產品品種方面，為半導體工業和大規模集成電路生產了多種超純試劑、光刻膠等化學品。宇航、電子計算機和通訊事業的飛速發展，使得集成電路正向超大規模發展。因此，只有固態時具有較高蒸汽壓的金屬，才能利用此提純法。真空升華是指金屬在真空加熱后從固體揮發冷凝為固態這樣一種蒸餾過程。采用這種方法，可將普通蒸餾水和優級純無機酸中雜質含量降低到十億分之幾，將在同位素分離、高純物質和微量化學分析中得到廣泛應用。（6）真空蒸餾與亞沸蒸餾制成1000塊集成電路芯片需用15t光刻膠、15tMOS試劑、15

9、0t通用試劑。其過程是將金屬加熱到一定溫度，使其從表面蒸發，然后將蒸汽冷凝。因此，只有固態時具有較高蒸汽壓的金屬，才能利用此提純法。（5）區熔區熔是區域熔煉提純的簡稱。最初是用于高純金屬的提純，以后又引入有機試劑的提純，取得了一定的效果。如純度為99.9%的錫和鎵經區熔后，純度可提至99.9999%。還可用于高純鐵的制備。在工藝技術方面，其發展趨勢主要是開發新的工藝技術和改進舊的工（6）真空蒸餾與亞沸蒸餾真空蒸餾是利用金屬與雜質間的蒸汽壓的差別來達到提純的目的。其過程是將金屬加熱到一定溫度，使其從表面蒸發，然后將蒸汽冷凝。亞沸蒸餾是采用在低于該物質沸點的情況下進行蒸餾的一種方法。采用這種方法，可將普通蒸餾水和優級純無機酸中雜質含量降低到十億分之幾，將在同位素分離、高純物質和微量化學分析中得到廣泛應用。（6）真空蒸餾與亞沸蒸餾（7）升華與真空升華具有升華性的物質，均可利用升華提純法是雜質分離。真空升華是指金屬在真空加熱后從固體揮發冷凝為固態這樣一種蒸餾過程。因此，只有固態時具有較高蒸汽壓的金屬，才能利用此提純法。可用真空升華法提純的元素有：As、Ti、Se、Zn、Cd、Mg、Cr、