1、全球及中國(guó)集成電路半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析圖 1956年國(guó)務(wù)院制定的1956-1967科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中，已將半導(dǎo)體技術(shù)列為四大科研重點(diǎn)之一，明確提出“在12年內(nèi)可以制備和改進(jìn)各種半導(dǎo)體器材、器件”的目標(biāo)。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)雜、技術(shù)難度高、需要資金巨大，且當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)外特定的社會(huì)環(huán)境，中國(guó)在資金、人才及體制等各方面困難較多，導(dǎo)致中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展舉步維艱。直到70年代，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的小規(guī)模生產(chǎn)才正式啟動(dòng)。原電子工業(yè)部部長(zhǎng)在其著作芯路歷程中回憶這一階段歷史，提到發(fā)展中第一個(gè)誤區(qū)“有設(shè)備就能生產(chǎn)”，70年代從日本、美國(guó)引進(jìn)了大量二手、淘汰設(shè)備建立了超過(guò)30條生產(chǎn)線，但引進(jìn)后無(wú)法解決技術(shù)、設(shè)計(jì)問(wèn)題，也沒(méi)有

2、管理、運(yùn)營(yíng)能力，第一批生產(chǎn)線未能發(fā)揮應(yīng)有的作用，就淡出了市場(chǎng)。 90年代，國(guó)家再度啟動(dòng)系列重大工程，為改變半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展困境，最知名的為908、909工程，908工程在1990年啟動(dòng)，投資20億元建設(shè)國(guó)際領(lǐng)先的1微米(1000nm)制程工藝的晶圓制造產(chǎn)線。由于中國(guó)彼時(shí)整體經(jīng)濟(jì)力量還在蓄積，因此經(jīng)費(fèi)、設(shè)備引進(jìn)、建廠等環(huán)節(jié)仍然阻力較大，直至1998年產(chǎn)線得以竣工。此時(shí)國(guó)際工藝節(jié)點(diǎn)達(dá)到0.18微米，中國(guó)生產(chǎn)線剛建成就落后兩代。在1996年國(guó)家啟動(dòng)了“909”工程，整體投資約100億元，并且做出很多打破審批的特事特辦，參與其中的公司如今只剩兩家，一個(gè)是909工程的主體華虹集團(tuán)，另一個(gè)則是完全自籌1.3

3、55億元資金的華為設(shè)計(jì)公司，也就是后來(lái)的海思。 集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要分為集成電路設(shè)計(jì)、集成電路制造以及集成電路封裝測(cè)試等三個(gè)主要環(huán)節(jié)，同時(shí)每個(gè)環(huán)節(jié)配套以不同的制造設(shè)備和生產(chǎn)原材料等輔助環(huán)節(jié)。 一、半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 半導(dǎo)體設(shè)備位于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，在新建晶圓廠中半導(dǎo)體設(shè)備支出的占比普遍達(dá)到80%。一條晶圓制造新建產(chǎn)線的資本支出占比如下：廠房20%、晶圓制造設(shè)備65%、組裝封裝設(shè)備5%，測(cè)試設(shè)備7%，其他3%。 其中晶圓制造設(shè)備在半導(dǎo)體設(shè)備中占比最大，進(jìn)一步細(xì)分晶圓制造設(shè)備類型，光刻機(jī)占比30%，刻蝕20%，PVD15%，CVD10%，量測(cè)10%，離子注入5%，拋光5%，擴(kuò)散5%。 2017

4、年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)總量約為566億美元，同比增長(zhǎng)37%，2018年約在600億美元規(guī)模。中國(guó)是全球半導(dǎo)體設(shè)備的第三大市場(chǎng)，2018年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備123.78億元。 我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入一直保持高速增長(zhǎng)狀態(tài)，2018年全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入123.78億元，同比增長(zhǎng)39.14%，2015-2018年期間，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)37.93%。2009-2018年中國(guó)半導(dǎo)體專用設(shè)備行業(yè)進(jìn)出口數(shù)據(jù)年份進(jìn)口金額 （美元）進(jìn)口數(shù)量 （臺(tái)）出口金額 （美元）出口數(shù)量 （臺(tái)）2009年197369380435636001755913722010年4502235200828513489437

5、219762011年71371197221057312578006443542012年2723618178497914743638928402013年2607612580505918166304263062014年4441029193603223392498178482015年45012519446619251382963134912016年524567854677683753696715178912017年629733537291172961399295232772018年1125114938213942355322812810606 半導(dǎo)體設(shè)備具備極高的門檻和壁壘，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要被日美

6、所壟斷，核心設(shè)備如光刻、刻蝕、PVD、CVD、氧化/擴(kuò)散等設(shè)備的top3市占率普遍在90%以上。半導(dǎo)體制造核心設(shè)備市占率情況-光刻刻蝕PVDCVD氧化/擴(kuò)散第一ASMLLAMAMATAMATHitachi第二NikonTELEvatecTELTEL第三CanonAMATUlvacLAMASM前三市占率92.80%90.50%96.20%70%94.80% 目前光刻機(jī)、刻蝕、鍍膜、量測(cè)、清洗、離子注入等核心設(shè)備的國(guó)產(chǎn)率普遍較低。經(jīng)過(guò)多年培育，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)取得較大進(jìn)展，整體水平達(dá)到28nm，并在14nm和7nm實(shí)現(xiàn)了部分設(shè)備的突破。 具體來(lái)講，28nm的刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、氧化擴(kuò)散爐、清洗

7、設(shè)備和離子注入機(jī)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；14nm的硅/金屬刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、單片退火設(shè)備和清洗設(shè)備已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功。8英寸的CMP設(shè)備也已在客戶端進(jìn)行驗(yàn)證；7nm的介質(zhì)刻蝕機(jī)已被中微半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)成功；上海微電子已經(jīng)實(shí)現(xiàn)90nm光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化。在中低端制程，國(guó)產(chǎn)化率有望得到顯著提升，先進(jìn)制程產(chǎn)線為保證產(chǎn)品良率，目前仍將以采購(gòu)海外設(shè)備為主。 從政策上看，隨著國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要中國(guó)制造 2025等綱領(lǐng)的退出，國(guó)內(nèi)針對(duì)半導(dǎo)體裝備的稅收優(yōu)惠、地方政策支持逐步形成合力，為本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商的投融資、研發(fā)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張、人才引進(jìn)等創(chuàng)造良好環(huán)境。 財(cái)政部先后于 2008、2012、2018 年出臺(tái)稅收政策減免集

8、成電路生產(chǎn)企業(yè)所得稅。從地方產(chǎn)業(yè)政策來(lái)看，多地退出集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策及發(fā)展規(guī)劃，從投融資、企業(yè)培育、研發(fā)、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、進(jìn)出口以及政府管理等方面退出一系列政策，對(duì)符合要求的企業(yè)給予獎(jiǎng)勵(lì)和研發(fā)補(bǔ)助。集成電路生產(chǎn)企業(yè)稅收優(yōu)惠政策情況年份文件產(chǎn)線要求A配套減稅政策A產(chǎn)線要求B配套減稅政策B獲利起始年份2008財(cái)政部、國(guó)家稅務(wù)總局關(guān)于企業(yè)所得稅若干優(yōu)惠政策的通知線寬800nm兩免三減半線寬要求80億經(jīng)營(yíng)期在15年以上，五免五減半，經(jīng)營(yíng)期在15年以下，減按15%征稅自獲利年起計(jì)算優(yōu)惠期2012關(guān)于進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知線寬800nm兩免三減半線寬要求80億經(jīng)營(yíng)期在1

9、5年以上，五免五減半，經(jīng)營(yíng)期在15年以下，減按15%征稅自獲利年起計(jì)算優(yōu)惠期2018關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問(wèn)題的通知線寬130nm兩免三減半線寬要求150億經(jīng)營(yíng)期在15年以上，五免五減半企業(yè)按照獲利年實(shí)行優(yōu)惠，項(xiàng)目按照收入年實(shí)行優(yōu)惠 二、芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 全球半導(dǎo)體分為IDM模式和垂直分工模式兩種商業(yè)模式，老牌大廠由于歷史原因，多為IDM模式。隨著集成電路技術(shù)演進(jìn)，摩爾定律逼近極限，各環(huán)節(jié)技術(shù)、資金壁壘日漸提高，傳統(tǒng)IDM模式弊端凸顯，新銳廠商多選擇Fabless（無(wú)晶圓廠）模式，輕裝追趕。集成電路設(shè)計(jì)為知識(shí)密集型產(chǎn)業(yè)，國(guó)際上比較典型的參與者主要有AMD、英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科、

10、蘋果、華為海思等公司。芯片設(shè)計(jì)可以分為數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)和模擬集成電路設(shè)計(jì)兩大類。模擬集成電路設(shè)計(jì)包括電源集成電路、射頻集成電路等設(shè)計(jì)。模擬集成電路包括運(yùn)算放大器，線性整流器，鎖相環(huán)，振蕩電路，有源濾波器等。相較數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)，模擬集成電路設(shè)計(jì)與半導(dǎo)體器件的物理材料性質(zhì)有著更大的關(guān)聯(lián)。數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)包括系統(tǒng)定義，寄存器傳輸級(jí)設(shè)計(jì)，物理設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)過(guò)程中的特定時(shí)間點(diǎn)，還需要多次進(jìn)行邏輯功能，時(shí)序約束，設(shè)計(jì)規(guī)則方面的檢查，調(diào)試，以確保設(shè)計(jì)的最終成果合乎最初的設(shè)計(jì)收斂目標(biāo)。全球芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀全球芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)主要分布在美國(guó)，中國(guó)，臺(tái)灣等國(guó)家地區(qū)，2018年，中國(guó)企業(yè)海思半導(dǎo)體首次入圍全球芯片

11、設(shè)計(jì)前十企業(yè)，營(yíng)收規(guī)模排名全球第五。從整體來(lái)看，美國(guó)企業(yè)仍然占據(jù)了絕對(duì)主流，前10大芯片設(shè)計(jì)公司中有8家都來(lái)自美國(guó)，其他僅有海思半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科(中國(guó)臺(tái)灣)上榜。2018年全球IC設(shè)計(jì)前十企業(yè)設(shè)計(jì)前十企業(yè)排名企業(yè)2018年?duì)I收（百萬(wàn)美元）2017年?duì)I收（百萬(wàn)美元）同比增長(zhǎng)（%）主營(yíng)芯片類型1Broadcom(博通)217541882415.6模擬芯片，邏輯芯片2Qualcomm(高通)1645017212-4.4邏輯芯片，模擬芯片3Nvidia(英偉達(dá))11716971420.6邏輯芯片4Media Tek(聯(lián)發(fā)科)789478260.9邏輯芯片5Hisilicon(華為海思)757356453

12、4.2邏輯芯片，模擬芯片6AMD(超微)6475532921.5邏輯芯片7Marvell(美滿電子)2931240921.7邏輯芯片8Xilinx(賽靈思)2904247617.3邏輯芯片9Novatek1818154717.6邏輯芯片10Realtek1519137010.9邏輯芯片 2018 年全球芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模大約為 1139 億美元，同比增速 14%，過(guò)去五年符合增速約為 6.6%。由于近幾年智能手機(jī)等終端對(duì)于芯片性能和數(shù)量需求的快速提升，全球芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)得以快速增長(zhǎng)。特別是隨著整體芯片設(shè)計(jì)工藝的持續(xù)升級(jí)，芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)充分享受了下游芯片制造大規(guī)模投資的產(chǎn)業(yè)紅利，產(chǎn)業(yè)持續(xù)高速增長(zhǎng)。 H

13、YPERLINK /research/201909/781851.html 根據(jù)智研咨詢發(fā)布的2020-2026年中國(guó)半導(dǎo)體集成電路行業(yè)市場(chǎng)前景規(guī)劃及銷售渠道分析報(bào)告數(shù)據(jù)顯示：2018 年中國(guó)芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模為 2519 億元，同比增長(zhǎng) 21%，5 年復(fù)合增速 24%，遠(yuǎn)超全球整體復(fù)合增速 6.6%。 國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)需求，但是中國(guó)芯片企業(yè)規(guī)模較小，每年芯片我國(guó)進(jìn)口金額仍然在快速增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)具備十分巨大的市場(chǎng)。除了海思半導(dǎo)體之外，我國(guó)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)企業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)的勢(shì)頭。截至2016年底，我國(guó)共有IC設(shè)計(jì)企業(yè)1362家，2015年僅有736家，同比增長(zhǎng)率高達(dá)85%。我國(guó)至今已有11

14、家企業(yè)躋身全球IC設(shè)計(jì)企業(yè)前50強(qiáng)。2018年中國(guó)IC設(shè)計(jì)前十企業(yè) 排名企業(yè)2017年?duì)I收（億元）2018年?duì)I收（億元）同比增長(zhǎng)（%）主營(yíng)芯片類型1海思半導(dǎo)體38750330邏輯芯片，模擬芯片2紫光展銳110110-0.5邏輯芯片，模擬芯片3北京豪威9010010.5CMOS4中興微電子7661-19.7邏輯芯片，模擬芯片5華大半導(dǎo)體526014.7邏輯芯片6匯頂科技3732-13模擬芯片7北京硅成2526.55.5存儲(chǔ)芯片8格科微192639CMOS9紫光國(guó)微182428.5邏輯芯片，模擬芯片10兆易創(chuàng)新202313.5存儲(chǔ)芯片 三、集成電路制造產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 集成電路(IC，integrated

15、 circuit)制造是將設(shè)計(jì)成型的集成電路圖實(shí)現(xiàn)的過(guò)程，在硅片等襯底材料基礎(chǔ)上，通過(guò)高尖端設(shè)備，經(jīng)過(guò)氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、測(cè)試等半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上，制備出具備特定功能的集成電路，又稱芯片。 集成電路，按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類。模擬集成電路用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種幅度隨時(shí)間變化的模擬信號(hào)（例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號(hào)、錄放機(jī)的磁帶信號(hào)等），其輸入信號(hào)和輸出信號(hào)成比例關(guān)系。數(shù)字集成電路則是用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號(hào)。集成電路制造環(huán)節(jié)現(xiàn)狀制造

16、環(huán)節(jié)現(xiàn)狀隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，投資規(guī)模越來(lái)越大，產(chǎn)業(yè)分工越來(lái)越明確。產(chǎn)業(yè)龍頭公司逐步從早期的垂直整合生產(chǎn)轉(zhuǎn)向?qū)I(yè)化分工，出現(xiàn)專業(yè)化的芯片設(shè)計(jì)公司，專業(yè)的芯片制造公司以及專業(yè)的封裝測(cè)試公司。從技術(shù)能力、規(guī)模等角度分析目前全球芯片制造領(lǐng)域的格局。 目前全球IC代工制造領(lǐng)頭企業(yè)為中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電，2018年收入為303.89億美元，占全球前十大IC制造規(guī)模收入比例超過(guò)50%。中國(guó)大陸企業(yè)在前十位的分別有中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體，2018年收入分別為33.78億美元和9.45億美元，占全球前十大IC制造規(guī)模收入比例分別為5.64%和1.58%。全球前十大晶圓代工公司收入規(guī)模排名公司收入規(guī)模排名(億美元)排

17、名公司名稱2015年2016年2017年2018年2018年占比國(guó)家或地區(qū)1臺(tái)積電265.74292.43328.65303.8950.78%中國(guó)臺(tái)灣2三星26.742.9443.9899.5016.63%韓國(guó)3格羅方德50.1949.9954.0762.0910.38%阿聯(lián)酋4聯(lián)電44.6445.6250.1944.567.45%中國(guó)臺(tái)灣5中芯國(guó)際22.3629.1431.1133.785.64%中國(guó)6高塔半導(dǎo)體9.6112.4913.8813.112.19%以色列7華虹半導(dǎo)體9.717.218.079.451.58%中國(guó)8世界先進(jìn)-8.018.179.591.60%中國(guó)臺(tái)灣9力積電12.6

18、88.710.3516.332.73%中國(guó)臺(tái)灣10東部高科-6.666.766.151.03%韓國(guó) 技術(shù)水平格局。集成電路的技術(shù)水平核心指標(biāo)是特征尺寸，特征尺寸是指半導(dǎo)體器件中的最小尺寸。特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低，公司的制造水平越高。從競(jìng)爭(zhēng)格局現(xiàn)狀來(lái)看，目前國(guó)內(nèi)IC制造能力與國(guó)際先進(jìn)比較，制造能力落后5-6年，制程能力相差2代到2.5代。 隨著進(jìn)入7nm以及更高制程周期，領(lǐng)頭企業(yè)與追趕企業(yè)的差距在逐步擴(kuò)大。例如，隨著工藝難度的提升，開(kāi)發(fā)難度不斷增大，投入資金要求越來(lái)越大，格羅方德以及聯(lián)電短期內(nèi)已經(jīng)放棄往7nm制程的升級(jí)。全球主要晶圓制造工廠制程水平公司名稱28nm14

19、nm7nm5nm2nm目前量產(chǎn)的最先進(jìn)制程臺(tái)積電2011年2016年2018年2020年預(yù)計(jì)在2024年7nm三星2012年2015年2019年-10nm格羅方德2013年2015年(三星授權(quán))2018年宣布不再向12nm以下的制程工藝投入研發(fā)資金14nm聯(lián)電2012年2017年2018年宣布退守14nm及以上制程工藝的晶圓代工市場(chǎng)。14nmIntel2011年2015年-14nm中芯國(guó)際2017年預(yù)計(jì)2020年無(wú)無(wú)無(wú)28nm華虹半導(dǎo)體2019年預(yù)計(jì)2020年無(wú)無(wú)無(wú)28nm 提升芯片制造能力的應(yīng)對(duì)措施。隨著下游終端產(chǎn)品例如智能手機(jī)要求的性能越來(lái)越高，高端芯片如華為海思麒麟990芯片、蘋果A12系列芯片、高通驍龍855系列芯片等都采用7nm制程，兩家具備高端制程能力的公司如三星、英特爾等公司由于自身產(chǎn)業(yè)鏈因素，高端制程主要用于自身產(chǎn)品生產(chǎn)。