1、一、 選擇題與絕緣體相比，半導(dǎo)體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量（B 。B。 C. 和絕緣體的相同受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體供應(yīng)（ B電離后向半導(dǎo)體供應(yīng)（C )，本征激發(fā)向半導(dǎo)體供應(yīng)（ A 。A。 B。 C。 電子對(duì)于肯定的 N 型半導(dǎo)體材料，在溫度肯定時(shí)，減小摻雜濃度，費(fèi)米能級(jí)會(huì)（B。A。 B. C。 不變?cè)跓崞胶鉅顟B(tài)時(shí),P 型半導(dǎo)體中的電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，它和(B )有關(guān)雜質(zhì)濃度和溫度 B。溫度和禁帶寬度C。D.雜質(zhì)類(lèi)型和溫度MIS 結(jié)構(gòu)發(fā)生多子積累時(shí)，表面的導(dǎo)電類(lèi)型與體材料的類(lèi)型（ B )。A。相同 B.不同 C。無(wú)關(guān)空穴是（B)。A。帶正電的質(zhì)量為正的粒子 B.帶正電的質(zhì)量為正

2、的準(zhǔn)粒子C。帶正電的質(zhì)量為負(fù)的準(zhǔn)粒子 D。帶負(fù)電的質(zhì)量為負(fù)的準(zhǔn)粒子砷化稼的能帶結(jié)構(gòu)是（ A)能隙結(jié)構(gòu)。A。B。間接將Si摻雜入GaAs中,若Si取代Ga則起（A，若Si 取代As 則起（B ）雜質(zhì)作用。B.C。D。復(fù)合中心EF小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（D，當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比EF態(tài)被電子占據(jù)的概率為（A。小的量子A。大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D。等于1E。等于0P MIS 結(jié)構(gòu)CV特性圖中，AB段代表（A)，CD段代表（B)。多子積累 B。多子耗盡C.少子反型 D。平帶狀態(tài)P型半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型的條件(B。A。V k0 2kB.V0T ln NA Sqniqnik

3、T NT NC.V0lnD D。V0lnD SqniSqni金屬和半導(dǎo)體接觸分為（ B。整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸 D。非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸導(dǎo)體材料,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子若光照突然停止t 后，其中非平衡載流子將衰減為原來(lái)的（ A。A。1/eB.1/2C。0D。2/e載流子的漂移運(yùn)動(dòng)是由(A）引起的,反映集中運(yùn)動(dòng)強(qiáng)弱的物理量是(B。A。電場(chǎng)B。濃度差C。熱運(yùn)動(dòng)D。E.DPF。對(duì)摻雜的硅等原子半導(dǎo)體，主要散射機(jī)構(gòu)是:( B ）.A。聲學(xué)波散射和光學(xué)波散射 B.聲學(xué)波散射和電離雜質(zhì)散射C.D.光學(xué)波散射二、 證明題對(duì)于某n 型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級(jí)在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)

4、米能級(jí)之上.即EFnEi三、 計(jì)算畫(huà)圖題三 塊 半 導(dǎo) 體 Si室 溫 下 電 子 濃 度 分 布 為 ，n1.01016cm3,n1.01010cm3,n1.0104cm3 （N =3010203CV1019cm-3，N =1*1019cm3，n=1010cm3，ln30008，ln10006。V、計(jì)算三塊半導(dǎo)體的空穴濃度、畫(huà)出三塊半導(dǎo)體的能帶圖（3)E 或ECV的位置CFF（n E E ，p E E ）(15CFF室溫下,47 cm，試求本征載流子濃度。若鍺原子的濃度為4.41022 cm3 ,106 個(gè)鍺原子中(設(shè)雜質(zhì)全部電離）試求該摻雜鍺材料的電阻率。 設(shè) n 3600cm2 /V s ，1700cm2 /V s且認(rèn)為不隨摻雜而變化.p若流過(guò)樣品的電流密度為52.3mA / cm2 ，求所加的電場(chǎng)強(qiáng)度。N 型半導(dǎo)體接觸能帶圖（WmW ，且忽視間隙),并分s別寫(xiě)出金屬一邊的勢(shì)壘高度和半導(dǎo)體一邊的勢(shì)壘高度表達(dá)式。如圖所示,P MIS 結(jié)構(gòu)形成的能帶圖，畫(huà)出對(duì)應(yīng)的電荷分布圖.（6 分）6cmn Si 樣