1、行業深度研究內容目錄 HYPERLINK l _TOC_250026 投資邏輯：行業自身成長+中國廠商進口替代4 HYPERLINK l _TOC_250025 投資邏輯之一：行業自身成長4 HYPERLINK l _TOC_250024 集成電路設備成長動力：先進制程+新晶圓廠投產4 HYPERLINK l _TOC_250023 LED 芯片行業設備成長動力：LED 芯片應用擴大+行業生產效率提升6 HYPERLINK l _TOC_250022 投資邏輯之二：中國廠商進口替代空間廣闊8 HYPERLINK l _TOC_250021 投資邏輯之三：科創板主打硬核科技，半導體設備公司直接受

2、益10 HYPERLINK l _TOC_250020 半導體主流設備分析10 HYPERLINK l _TOC_250019 半導體制造相關設備10 HYPERLINK l _TOC_250018 晶圓清洗（wafer Cleaning）10 HYPERLINK l _TOC_250017 氧化（Oxidation）11 HYPERLINK l _TOC_250016 薄膜沉積（Film Deposition）占晶圓制造 20%11 HYPERLINK l _TOC_250015 曝光（Exposure）占晶圓制造 20%12 HYPERLINK l _TOC_250014 顯影（Devel

3、opment）12 HYPERLINK l _TOC_250013 刻蝕（Etch）占晶圓制造環節 25%13 HYPERLINK l _TOC_250012 離子注入（Ion Implantation）13化學機械拋光（Chemical Mechanical Polisher）13 HYPERLINK l _TOC_250011 工藝檢測與封測相關設備14 HYPERLINK l _TOC_250010 探針檢測（wafer Probe）14 HYPERLINK l _TOC_250009 切割機（Dicing）14 HYPERLINK l _TOC_250008 鍵合（ Bonding）1

4、4 HYPERLINK l _TOC_250007 測試機14 HYPERLINK l _TOC_250006 行業內重點公司簡析15 HYPERLINK l _TOC_250005 中微半導體硬核科技的代表15 HYPERLINK l _TOC_250004 北方華創A 股半導體設備公司稀缺標的16 HYPERLINK l _TOC_250003 長川科技17 HYPERLINK l _TOC_250002 上海微電子19 HYPERLINK l _TOC_250001 推薦標的21 HYPERLINK l _TOC_250000 風險提示21圖表目錄圖表 1：半導體設備產業鏈4圖表 2：半

5、導體設備產值4圖表 3：近十年半導體先進制程4圖表 4：光刻機發展路徑5圖表 5：2017-2020 新建晶圓廠分布5圖表 6：半導體設備銷售額區域分拆6圖表 7：LED 芯片的產值（億）7- 2 -行業深度研究圖表 8：MOCVD 保有量和新增數量7圖表 9：LED 芯片成本7圖表 10：LED 燈泡價格7圖表 11：MoCVD 設備生產效率對比7圖表 12：MiniLED 與 MicroLED 區別8圖表 13：Micro LED 工藝流程8圖表 14：世界主流廠商與中國廠商財務數據對比8圖表 15：晶圓廠市占率9圖表 16：世界前五大設備廠研發費用（億美金）9圖表 17：中國半導體市占率

6、10圖表 18：中國半導體自給率10圖表 19：集成電路制造流程與設備占比10圖表 20：半導體制程對于清洗設備的需求11圖表 21：光刻機市場份額12圖表 22：刻蝕設備市占率 201613圖表 23：原子層刻蝕市場趨勢13圖表 24：集成電路封測主要流程14圖表 25：2017 主營業務分拆16圖表 26：公司財務數據16圖表 27：2017 年北方華創主營業務情況表17圖表 28：2017 主營業務分拆18圖表 29：公司財務數據18圖表 30：2017 年長川科技主營業務情況表18圖表 31：測試機19圖表 32：分選機19圖表 33：公司發展歷程19圖表 34：公司主要產品20圖表

7、35：盈利預測（股價截止到 2019 年 3 月 5 日）21- 3 -行業深度研究投資邏輯：行業自身成長+中國廠商進口替代半導體設備行業處于半導體行業中上游，屬于芯片制造廠和封測廠的供應商。整體行業景氣度伴隨著半導體周期而波動，雖然周期性比較明顯，但如果從拉長時間軸看，半導體設備整體產值是向上的。全球 2018 市場規模達到 620 億美金，同比增長 28.57%，預計未來七年復合成長 8%-10%圖表 1：半導體設備產業鏈圖表 2：半導體設備產值 來源：國金證券研究所來源： SEMI 國金證券研究所投資邏輯之一：行業自身成長半導體設備整體需求來源于泛半導體領域，即集成電路、LED 芯片等子

8、方向均對半導體設備有不同方面的需求。集成電路設備成長動力：先進制程+新晶圓廠投產圖表 3：近十年半導體先進制程集成電路設備的需求 1：先進制程的推進。集成電路行業的發展史就是芯片先進制程的發展歷史。從 1960s 開始集成電路商用化以來，制程從 10um 到最新的 7nm，大約基本每 5 年左右半導體制程提升一代，每一代的性能與功耗都會大幅度提升。制程提升的動力就是下游電子行業的對于算力的需求的不斷提高。上海華虹三星200620102014201820082012201665納米中芯國際聯華電子英特爾臺積電臺積電7納米14/16納米28納米45納米10納米22納米- 4 -行業深度研究來源：國

9、金證券研究所集成電路新的制程工藝需求更新的半導體設備。但需要注意的是即便制程更新 換代，并不是所有步驟的機器都需要更換，只有最關鍵的步驟才需要更新。以最貴的設備極紫外光刻機（EUV）為例說明先進制程對于半導體設備的拉動：晶片在從空白硅片到填滿上億個晶體管的過程中，需要經過很多個步驟，而其中很多步驟都需要經過光刻工藝。而光刻機就是實施光刻的關鍵。在 14nm 工藝及以上制程，193nm 沉浸式光刻機可以滿足需求。但到了 14nm 制程以后， 傳統的光刻機遇到技術瓶頸，需要采用極紫外光刻機。極紫外光刻機（EUV） 以波長為 13.5 納米的極紫外光作為光源的光刻技術，目標市場是先進制程7nm 工藝

10、。而機器單價也升到 1 億歐元。圖表 4：光刻機發展路徑來源：ASML 國金證券研究所結論：如果摩爾定律沒有終結，那么半導體設備的需求仍會增長，從目前發展來看，到 2025 年內摩爾定律仍會延續，半導體設備還有很大的發展空間。集成電路設備的需求 2：晶圓廠新廠建設速度加快，大部分在中國半導體晶圓廠新開工數量也直接影響設備的需求。從 2017 年開始，亞洲國家開始大面積投入晶圓廠建設，主要中國 30 家、韓國 30 家、臺灣地區 20 家左右，一個廠建設周期約為 2-3 年，對應整體對于半導體設備需求約為 200 億美金，對于半導體設備需求明顯。圖表 5：2017-2020 新建晶圓廠分布- 5

11、 -行業深度研究圖表 6：半導體設備銷售額區域分拆來源：Semi, 國金證券研究所從下圖可以看出，半導體銷售額中中國占比逐步提高，從 2013 年的 15%提升到 2018 年的 27%，由于晶圓廠占比的原因，預計未來中國市場占設備領域市場份額仍會穩步增加。來源：Wind 國金證券研究所LED 芯片行業設備成長動力：LED 芯片應用擴大+行業生產效率提升泛半導體領域第二個對設備需求較大的是 LED 芯片行業。LED 產業鏈包括襯底制作、外延生長、芯片制造、封裝和應用五個主要環節，其中 LED 外延生長和制造環節是 LED 行業關鍵步驟。目前外延片制造主流設備為 MOCVD（金屬有機化學氣相淀積

12、法）。以下以 MOCVD 為例分析 LED 對于設備的拉動：LED 行業對于設備的需求由兩方面拉動：1）擴產 2）技術更新首先，下游 LED 芯片廠商擴產直接拉動設備商需求。生產 LED 芯片主要設備為 MOCVD。由下圖可看出，全球 LED 芯片產值在 2010 年、2014 年、2017 年左右同比增速達到波峰，MOCVD 出貨量相對提前一些，但也符合 LED 芯片產值波動，在以上三個年份亦為周期頂點。- 6 -行業深度研究圖表 7：LED 芯片的產值（億）圖表 8：MOCVD 保有量和新增數量 來源：wind 國金證券研究所來源：wind 國金證券研究所其次，技術更新對于生產成本的優化至

13、關重要。LED 芯片材料帶動成本下降的空間較少，主要靠技術進步驅動成本下降，故此各大 LED 廠商均大力投入技術研發。LED 行業是重資產行業，設備折舊約占芯片成本的 30%，從歷史來看，LED 芯片單位價格持續降低，這與設備更新是分不開的。圖表 9：LED 芯片成本圖表 10：LED 燈泡價格來源：國金證券研究所來源：wind 國金證券研究所圖表 11：MoCVD 設備生產效率對比對比 MOCVD 設備技術參數也可以看出，上市時間相隔 8 年的設備生產效率提升了 140%。LED 芯片廠商如果要保持自己的成本競爭力，必須不斷投資新設備。來源：國金證券研究所第三，下一代顯示技術的推動對于新設備

14、有需求。市場上對室內顯示產品顯示效果的不斷追求，LED 產品不斷往更小的間距發展。追求高解析度已經成為行業發展和進步的一個重要方向。在繼普通 LED 顯示屏以后，小間距顯示屏（間距 250um），M iniLED(間距 100um)，MicroLED(間距小于 100um)將逐步走上商業舞臺。- 7 -行業深度研究圖表 12：MiniLED 與 MicroLED 區別mini-LEDmicro-LED尺寸（微米）100-200100用途LCD 背光自發光顯示特點高動態范圍，節約電能，輕薄高對比度，高效率，高分辨率，快速反應時間應用LCD 背光-從小到大的LCD 板顯微投影顯示，顯示尺寸由小到大

15、來源：國金證券研究所從先后順序來看，2019 年消費者有望最先看到搭載 Mini LED 背光的終端產品。Mini LED 背光應用所采用的 LED 顆數用量要比傳統 LED 背光多 50 倍以上， 從筆記本電腦約 8,000 顆，到 65 英寸電視用量約 10 萬到 30 萬顆。下游應用主要以智能手機、電視等消費電子顯示設備為主。與 MiniLED 競爭的主要對手是 OLED。若 MiniLED（預計 2019 底）與 MicroLED 開始普及，對于 LED 芯片的絕對產量需求將大大提高。同時也必將提高相關工藝設備需求，如薄膜工藝設備MOCVD。圖表 13：Micro LED 工藝流程來源

16、：LEDInside 國金證券研究所投資邏輯之二：中國廠商進口替代空間廣闊半導體設備整體市場呈現兩個特點：1）規模增長穩定。2）集中度進一步提高。目前全球半導體設備市場巨大，2018 年半導體整體設備市場約為 620 億美金。主要廠商由 Applied Materials（美）、 ASML（荷蘭）、東京電子、KLA（美）等國外廠商占據。圖表 14：世界主流廠商與中國廠商財務數據對比- 8 -行業深度研究來源：wind 國金證券研究所半導體設備廠商集中度進一步提高。集中度提高的原因在于：下游 foundry 廠集中度提高。從下表可以看出，前八名晶圓廠 2017 年市占率為 88%， 比 2015

17、 年提高了一個百分點。下游客戶的集中提提高勢必造成供應鏈壓縮。圖表 15：晶圓廠市占率來源：IC insights, Eenewsanalog, 國金證券研究所集成電路設備研發投入高，非頭部企業難以承受。半導體制程進入 28nm 以后，需要的設備復雜度呈指數提升。主流半導體設備企業的研發費用以億美金來計。圖表 16：世界前五大設備廠研發費用（億美金）來源：wind 國金證券研究所中國設備廠商發展空間大。由于中國半導體公司起步時間較晚，晶圓制造環節薄弱（中芯國際僅僅占全球制造不到 5%市場份額），導致晶圓廠相關設備配套公司發展較慢，目前在設備領域市占率極低（小于 3%）。但這也正是中國設備公司的

18、發展機會。- 9 -行業深度研究圖表 17：中國半導體市占率圖表 18：中國半導體自給率來源：semi 國金證券研究所來源：semi 國金證券研究所投資邏輯之三：科創板主打硬核科技，半導體設備公司直接受益科創板是落實創新驅動和科技強國戰略、推動高質量發展的重大改革舉措，重點支持半導體、新一代信息技術、高端裝備、新能源、節能環保以及生物醫藥等高新技術產業和戰略性新興產業，推動互聯網、大數據、云計算、人工智能和制造業深度融合。半導體設備作為硬核科技的代表，長期來看公司的發展離不開資本市場的支持， 短期也對板塊的估值有提升效應。半導體主流設備分析下面我們將選擇制造環節主流設備中我國公司部分實現進口替

19、代或有望實現進 口替代加以分析。半導體制造相關設備半導體制造環節的設備種類繁多，綜合了物理、化學、工程、材料等一系列學科，難度很高。下圖為半導體制造主要流程：圖表 19：集成電路制造流程與設備占比來源：國金證券研究所晶圓清洗（wafer Cleaning）作用：晶圓上極小的灰塵也會影響集成電路的功能。故此在正式制造芯片之前與芯片制造過程中，需要去除的污染主要包括顆粒、化學殘留物等。涉及到的有物理清洗（超聲震動、刷洗等）與化學清洗（清洗液）法。未來發展趨勢：制造芯片過程中清洗晶圓是重要的步驟，一般來說清洗步驟占全部工藝的 30%。隨著先進制程的推進，需要清洗的步驟越來越多，比如20nm 的 DR

20、AM 工藝需要多達 200 個清洗步驟。3D 芯片也會帶動清洗設備需求。隨著 3D 芯片越來越多，比如 3D NAND 存儲器，新的芯片架構會對清洗設備有更高的要求。并且隨著 12 寸硅片的普及，硅片清洗要求越來越高，工藝復雜度也越大。清洗直接影響良率，良率對于晶圓廠利潤影響很大。為了提高良率，清洗步驟數量需要提高。例如對于 10 萬片月產能的 DRAM 廠，每一- 10 -行業深度研究個百分點的良率會影響每年 3000 萬5000 萬美金的凈利潤。圖表 20：半導體制程對于清洗設備的需求來源：盛美半導體，國金證券研究所設備：槽式清洗機（比例逐步減少）、單圓片清洗機（逐步代替槽式清洗機）國外廠

21、商：迪恩士(日)、東京電子（日）、Lam Research（美）。以上三家市占率超過 70%。中國廠商：盛美半導體。氧化（Oxidation）作用：在晶圓上生成一層薄二氧化物層（二氧化硅），用于絕緣或者后續離子注入。硅材料在形成二氧化硅的過程中有天生的優勢，這也是硅能大面積用于芯片材料的一個原因。目前我國設備主要用于小于 150mm 的低端制造領域，300mm 的產線主要依賴進口。國外廠商：東京電子、日立國際中國廠商：北方華創、中電科 48 所。薄膜沉積（Film Deposition）占晶圓制造 20%作用：使某些特定材料以一層薄膜的形式附著于襯底的過程叫做薄膜沉積?？煞譃槲锢須庀喑练e（PV

22、D，利用蒸發或者離子轟擊濺射形成薄膜）與 化學氣相沉積(CVD，通過各種反應氣體進行化學反應形成薄膜)。MOCVD 系統最關鍵的問題就是保證材料生長的均勻性和重復性。薄膜沉積是半導體制造的重點設備，設備復雜度高，使用率高。一臺先進的薄 膜沉積設備售價可達千萬人民幣以上。行業發展趨勢：薄膜沉積設備的創新伴隨著半導體制程的發展。由于不同線寬工藝的改進，薄膜沉積設備也在不斷更新。例如，在亞微米時代，主要采用低壓化學氣相沉積；到了 90nm 時代， 等離子氣相沉積逐步得到應用；28nm 及以下時代，HKMG（High K Metal Gate）工藝逐步普及，線寬變小，薄膜變的更薄，原子層沉積（Atom

23、ic Layer Dpostion）開始普及。2018 年全球薄膜沉積市場規模約為 120 億美金，未來 5 年有望以 CAGR=10% 的速度增長。 PVD 領域，應用材料市占率超過 70%，優勢明顯；CVD 領域， 東京電子占據月 38%的市場份額，后面依次是應用材料與拉姆。中國廠商在金屬有機化學氣相沉積設備（MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition）領域有所突破。MOCVD 主要用于-V 族（GaAs、GaN） 化合物半導體材料，故此在光電子領域有較多應用。作為生產 LED 芯片的關鍵設備，MOCVD 設備市場一直為歐美企業所壟斷，我國廠

24、商中微半導體在MOCVD 上自主研發，突破國外技術封鎖，估計中微半導體 2018 年藍綠光MOCVD 出貨量占比超過 60%。- 11 -行業深度研究應用：邏輯電路、存儲器、先進封裝、LED、微機電系統 MEMS、功率半導體、平板顯示等。國外廠商：應用材料（美）、LAM research （美）、ASML（荷）、東京電子（日）、Aixtron（德）、Veeco（美）中國廠商：中微半導體、北方華創、沈陽拓荊、中晟光電曝光（Exposure）占晶圓制造 20%作用：使用特定波長的光（例如極紫外光）對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會發生光化學反應，從而使被照射區域（感光區域） 化

25、學成分發生變化。這些化學成分發生變化的區域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。設備：光刻機行業發展趨勢:光刻 IC 制造環節核心工藝，也是技術難度最高的一步。衡量光刻機的參數主要有分辨率和產出率。光刻機的發展歷史也就是就集成電路制程的發展史。整體行業市場規模預計 120 億美金，在最新光刻機市場中，ASML 一家獨大，其他廠商逐步掉隊，中國廠商在這方面技術儲備較弱，暫時沒法進入先進制程領域。接觸式光刻機：20 世紀 60 年代開始應用，用于微米級制程投影光刻機：20 世紀 60 年代開始逐步代替接觸式光刻機。步進掃描光刻機：20 世紀 90 年代開始應用，一直沿用至今。其中浸沒式光刻機以及極

26、紫外光刻機（EUV）也是步進式光刻機的一種。浸沒式光刻機：應用于 45nm 以主要下工藝，即在鏡頭與晶圓中間充滿液體，提升成像系統有效數值孔徑。極紫外光刻機：主要應用于 7nm 以下制程，采用 10-14nm 極紫外光作為曝光光源。是最先進的光刻機，單價超過 1 億歐元，目前只有 ASML 公司提供，年出貨量約 20 臺左右。圖表 21：光刻機市場份額來源：Gartner 國金證券研究所國外廠商：ASML（荷）、尼康（日） 中國廠商：上海微電子顯影（Development）作用：在曝光過程結束后加入顯影液，上一步被紫外光照射的區域會溶解于顯- 12 -行業深度研究影液中。這一步完成后，光刻膠層

27、中的圖形就可以顯現出來。主要需要顯影液?？涛g（Etch）占晶圓制造環節 25%作用：用物理或者化學方法腐蝕處理掉上一步中暴露的區域。主要分為干法刻蝕與是濕法刻蝕兩種。干法刻蝕：一般指用等離子體轟擊介質表面進行刻蝕,故又稱為等離子 體刻蝕。按照被刻蝕材料的種類分為硅刻蝕、金屬刻蝕、和電解質刻蝕。濕法刻蝕：指用化學液體進行刻蝕，例如氫氟酸。設備：刻蝕機行業發展趨勢：由于集成電路架構越來越復雜，對于刻蝕工藝的需求越來越高。故此刻蝕是各種設備中用途極為廣泛，并且復雜度較高的設備。主要以美國、 日本廠商設備為主。主要應用為邏輯電路、3D nand、先進封裝(硅通孔 TSV)。由于精度的關系，干法刻蝕逐步

28、代替濕法刻蝕。干法刻蝕目前占設備總銷售額 的比重約為 20%。2018 年目前刻蝕設備市場規模行業現在約為 155 億美金，集成電路復雜度逐步提高，預計未來 5 年刻蝕的市場增速將超過半導體設備平均增速，或將達到15%。刻蝕領域最新設備為原子層刻蝕（ALE, Atomic Level Etch），即用于去除超薄層的刻蝕技術，主要拉動力來源于芯片小型化以及 3D 芯片結構的需求。圖表 22：刻蝕設備市占率 2016圖表 23：原子層刻蝕市場趨勢來源：Gartner VLSI Research 國金證券研究所來源：東京電子 國金證券研究所國外廠商：Lam Research（美）、東京電子（日）、H

29、itachi(日)中國廠商：中微半導體（介質刻蝕機、硅通孔刻蝕機）、北方華創（硅刻蝕機）離子注入（Ion Implantation）作用：用具有一定能量的離子高速轟擊硅襯底并注入，使得襯底具有半導體特性。行業概況：目前主要依賴進口設備：離子注入機國外廠商：SPIRE（美）、AEA（英）等中國廠商：中電科 48 所、中信科電子裝備集團化學機械拋光（Chemical Mechanical Polisher） 作用：利用研磨液與研磨墊來拋光晶圓表面。- 13 -行業深度研究行業概況：國外廠商處于壟斷地位，美國 ASML 公司約占 60%市場份額。設備較為復雜，一般來說一臺 CMP 售價約 300 萬

30、-400 萬美金。國外廠商：應用材料（美）、Ebara（日）等中國廠商：天津華海清科、中電 45 所工藝檢測與封測相關設備晶圓制造完工后，將進入工藝檢測設與封裝測試環節。工藝檢測行業趨勢：工藝檢測設備是保證芯片良率的關鍵。芯片架構的復雜度提升以及 3D 芯片結構的根本性變化，對工藝檢測設備提出了更高的要求。估計工藝檢測設備占前端設備的 10%左右，絕大部分市場被國外公司壟斷。涉及到的主要設備有：電子顯微鏡、薄膜檢測、晶圓缺陷檢測、X射線檢測、應力監測后端封測行業趨勢：相對于前端制造環節，后端封測設備復雜度略低，下圖為半導體封測主要流程，主要分為探針檢測、切割、芯片鍵合、引線鍵合、塑封、測試等主

31、要步驟。圖表 24：集成電路封測主要流程來源：國金證券研究所探針檢測（wafer Probe）作用：利用探針測試臺與探針測試卡來測試晶圓上每一個芯片，以測試芯片的電氣特性。一般包括探針測試臺，探針測試機，探針測試卡三部分。切割機（Dicing）作用：把晶圓切割成一粒粒的芯片。行業概況：切割機主要分為兩種，金剛石砂輪切割機與激光切割機。除了集成電路行業，切割機還廣泛應用于 LED、面板、光伏電池等行業。在這個領域國外廠商占領了絕大部分市場份額。國外廠商：Disco（日）、東京精密（日）中國廠商：金剛石切割機(中電科裝備集團、中電 45 所)、激光切割機（大族激光、華工激光）鍵合（ Bonding

32、）作用：鍵合主要有芯片鍵合和引線鍵合兩種。這兩種設備在封裝廠屬于比較常用的設備，大多數封裝工藝均會采用這兩種設備。在這個領域國外廠商幾乎占領了全部市場份額。芯片鍵合（Die Bonding）：把裸片鍵合在基板（substrate）上，做后續封裝。引線鍵合（Wire Bonding）：用導線連接芯片與封裝引腳。芯片鍵合國外廠商：ASM（美）、BESI（荷蘭）。引線鍵合國外廠商：ASM、K&S。中國廠商：暫無測試機作用：對芯片施加輸入信號，測試芯片功能和性能的有效性。行業概況：隨著集成電路參數項目越來越多，對測試成本的要求越來越高，因此， 市場對測試機功能模塊的需求、測試速度與測試精度要求越來越高

33、（微伏、微安 級精度）。一般來說，在設計驗證和成品測試環節，測試機需要和分選機配合使 用；在晶圓檢測環節，測試機需要和探針臺配合使用。在我國集成電路產業鏈結- 14 -行業深度研究構中，封裝測試環節占比最高，對測試機和分選機的需求量較大，但設備主要依賴進口。國外廠商： 泰瑞達（Teradyne ）（美）、愛德萬（Advantest ）（日）、科利登（Xcerra）（美）中國廠商：長川科技行業內重點公司簡析中微半導體硬核科技的代表中微半導體設備（上海）有限公司成立于 2004 年 8 月，主營業務為半導體制造設備，預計將于 2019 年在科創板上市。我們認為中微半導體是為數不多的可以在集成電路設

34、備細分領域和國外一流公司同臺競爭的公司，全球超過 1100個專利，是國產硬核科技公司的代表。核心競爭力：優秀的管理團隊+核心技術自主可控優秀的管理團隊。公司的董事長兼總裁、創始人尹志堯博士在硅谷有 20 多年的行業及經驗積累，尹志堯博士曾在應用材料公司任職 13 年，曾擔任公司副總裁、等離子體刻蝕設備產品事業群總經理、亞洲區采購副總裁、應用材料亞洲首席技術官等。公司核心創始團隊也有硅谷海外工作經驗。中微半導體憑借技術研發實力，不斷研發新的產品，并逐步占領市場。在這背后，優秀的管理團隊是公司能夠持：續不斷推出新產品的原因。核心團隊成員還包括：杜志游博士：現任中微資深副總裁，主導制定了所有項目運營

35、流程，包括公司生產運營策略、全球物料運營基礎設施、信息技術系統和 ERP（企業資源計劃）項目執行等。加入中微之前，杜志游博士曾擔任梅特勒-托利多儀器（上海）有限公司總經理、寶鋼普萊克斯實用氣體有限公司總經理。朱新萍：副總裁暨大中華事業群總經理。加入中微之前，他曾擔任臺灣應用材料公司（Applied Materials）高級經理一職。之前他曾在華邦電子（Winbond）和臺灣世大集成電路（WSMC）工作，主要負責程序開發和產量提高。陳偉文：中微首席財務官。在加入中微公司之前，陳偉文先生在一家納斯達克上市公司、同時也是世界上最大的太陽能公司之一阿特斯太陽能有限公司任首席財務官。倪圖強博士：倪圖強博

36、士在中微擔任副總裁暨刻蝕設備產品事業群副總經理。他主要領導用于高端電介質刻蝕的 Primo D-RIE 和 Primo AD-RIE 設備的研發和項目管理。加入中微之前，他曾在 Lam Research 公司新產品部門擔任主要技術專家，并是 Lam2300 系列刻蝕產品的發明者之一。核心技術自主可控。公司成立之初就有合作的律師事務所專注 IP 信息收集與保護。與美國應用材料官司和解、與 Lam 公司在臺灣官司勝訴、與 Veeco 官司 和解等，這些有關知識產權的國際訴訟無一失敗的前提是扎實的自主知識產權。美國政府于 2015 年將刻蝕設備從出口管制清單里刪除就是因為 AMEC 能夠生產出具有自

37、主知識產權的刻蝕設備，并進入國際一流晶圓廠。2017 年美國PCAST（美國總統科學技術咨詢委員會）給總統的報告里面提到的唯一一家中國公司是中微半導體。公司主打產品有：刻蝕機：中微的刻蝕設備是半導體制造前端多用的介質等離子體刻蝕與硅刻蝕。等離子體刻蝕機已經全面進入亞洲先進主流生產線，用以加工65 納米，40 納米以及 28 納米以下制程的半導體器件。MOCVD：公司已經成功研發 MOCVD 并進入上游 LED 核心廠商，- 15 -行業深度研究2018 年一季度累計出貨量已經達到 100 腔。我們預計公司 2018 年在藍綠光 MOCVD 的出貨量超過 60%。下游客戶：臺積電、中芯國際等一流

38、晶圓廠投資邏輯：半導體設備投資期限需長久：半導體制造設備是技術難度最高的技術設備。縱觀國外一流設備大廠，很多是伴隨半導體行業發展而成長起來，自身歷史超過 50 年以上，例如應用材料成立于 1967 年，ASML 成立于 1984 年。中微半導體作為后起之秀能批量進入臺積電一流產線，實屬不易。半導體行業本身周期性明顯期有波動，作為產業鏈一環的設備廠也必然遵循周期屬性。但半導體制造設備行業門檻較高，公司護城河較寬，我們仍認為中微半導體憑借優秀的管理團隊+自主核心技術，具有成長為世界巨頭級公司的潛力，長期看好。北方華創A 股半導體設備公司稀缺標的公司成立于 2001 年，總部位于北京，是一家以電子工

39、藝裝備和電子元器件為主營業務的高科技企業，由七星電子和北方微電子戰略重組而成，是目前國內集成電路高端工藝裝備的領先企業。股權結構：公司目前最大股東為北京七星華電科技集團有限公司，持股占比為38.90%，北京國資委為實際控制人。圖表 25：2017 主營業務分拆圖表 26：公司財務數據真空設備18%半導體設備57%鋰電設備1%電子元件24%凈利率毛利率營業總收入(百萬元)201620172018H30.000.0010.00500.0020.001,000.0030.001,500.0040.002,000.0050.002,500.00來源：同花順 國金證券研究所來源:同花順、國金證券研究所公

40、司目前已形成半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備和高精密電子元器件四大業務板塊，其中半導體設備已經占據了一半以上的收入達到 57%，毛利潤占比也接近 50%。- 16 -行業深度研究圖表 27：2017 年北方華創主營業務情況表營業總收入(百萬元)營業收入占比毛利率毛利潤（百萬元）毛利潤占比半導體設備1,133.8551.5935.37401.0249.51電子元件762.9034.7143.72333.5141.17真空設備200.849.1427.9756.176.93鋰電設備100.424.5719.2319.312.38來源：同花順、國金證券研究所核心看點：受益于半導體設備國產化機遇中

41、國本土晶圓廠的興建對公司提供了發展機遇。公司 IC 設備主要客戶為中芯國際、華虹半導體等國內 IC 制造公司，新興晶圓廠如合肥長鑫、長江存儲等亦能增加公司成長動能，公司未來直接受益半導體國產化浪潮。公司目前主要設備有：刻蝕機、物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）、氧化爐、擴散爐、清洗機及氣體流量計（MFC）等 7 大類半導體設備及零部件，在集成電路領域，由公司自主研發的 14nm 等離子硅刻蝕機、單片退火系統、LPCVD 已成功進入集成電路主流代工廠；28nm HardmaskPVD、Al-Pad PVD 設備已率先進入國際供應鏈體系；12 英寸清洗機累計流片量已突破 60 萬片大關

42、。在先進封裝領域，刻蝕機和 PVD 設備、TSV 刻蝕設備已在全球主要先進封裝企業中得到了廣泛應用。在 LED 領域，ELEDE 系列刻蝕機自 2010 年面市以來銷售量已經超過兩百余臺，其中氮化鎵刻蝕機在 20142016 連續三年新增市場占有率達到 80%以上，出貨量遙遙領先；PSS 刻蝕機一直是全球主流 PSS 廠家的主要機臺，目前為止國內規模超卓的中圖半導體公司已累計采購該機型近百臺，對市場起到了有力的表率作用；在技術上一舉打破了多年來本土設備商只能處于追隨狀態的堅冰局面！而同樣面向 LED 芯片制造的 EPEE550 系列 PECVD 自推向市場以來，一直保持著新增市場占有率 80%

43、以上的市場業績，穩居市場前沿。MEMS 及新興市場，深硅刻蝕設備客戶安裝量超過百臺以上。在光伏制造領域，負壓擴散爐目前已成為市場主流產品；晶硅電池線的 大部分關鍵生產設備如在線濕法刻蝕機、槽式單晶制絨機、臥式擴散爐、PECVD 等設備均已實現了進口替代。在平板顯示領域，公司是國內 TFT-LCD 生產線的骨干設備供應商，多種產品在客戶 G5 至 G10.5 各個世代TFT-LCD 生產線及 OLED 生產線上批量應用；CELL 段的 ODF 工藝紫外固化爐 UV Cure 以及 Cutting 工藝的 Grind Cleaner 等設備均在各世代生產線占據重要份額。長川科技公司成立于 2008

44、 年，總部位于杭州。主要從事集成電路專用設備的研發、生產和銷售，主要包括集成電路測試機和分選機。股權結構：公司目前最大股東為趙軼，持股占比為 28.26%，為實際控制人。- 17 -行業深度研究圖表 28：2017 主營業務分拆圖表 29：公司財務數據測試機58%分選機42%凈利率毛利率營業總收入(百萬元)201620172018H370.0060.0050.0040.0030.0020.0010.000.00200.00150.00100.0050.000.00來源：同花順 國金證券研究所來源：同花順、國金證券研究所公司以自主研發為主，目前的產品主要有兩種，測試機和分選機，其中測試機占據一半

45、以上的收入達到 57.96%。圖表 30：2017 年長川科技主營業務情況表營業收入(百萬元)營業收入占比毛利率毛利潤（百萬元）毛利潤占比測試機77.6644.8576.6659.5460.36分選機95.4855.1540.9539.1039.64來源：同花順、國金證券研究所核心看點：受益于中國廠商在封測領域市場份額的提升公司主營在后端封測領域，受益于全球封測向亞洲轉移趨勢。目前公司下游客 戶主要為三大封測廠，雖然在測試機方面以國外廠商主導，公司有逐步提高市占率的趨勢。中國廠商在封測領域較為成熟。在半導體產業鏈中，設計制造封測，中國公司在封測領域的市占率最高，按營收排列，前十家封測公司中國占三家，分別為長電科技、通富微電、華天科技。中國本土封測領域成長