1、2022年斯達半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)細(xì)分及業(yè)務(wù)規(guī)劃研究1.斯達半導(dǎo)作為國產(chǎn)IGBT龍頭，業(yè)績長期高增長，技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先1.1. 發(fā)展歷程：深耕 IGBT 領(lǐng)域 17 年，成就國產(chǎn)龍頭斯達半導(dǎo)成立于 2005 年，主營產(chǎn)品是 IGBT 模組，在全球市場占有率前十，國內(nèi)第 一，是當(dāng)之無愧的行業(yè)龍頭企業(yè)。公司的發(fā)展可分為三個階段：創(chuàng)業(yè)階段，堅持自主研發(fā)路。起初專攻于 IGBT 模塊開發(fā)，于 2007 年便成功完 成 IGBT 模塊關(guān)鍵技術(shù)工藝開發(fā)，成功推出第一款 IGBT 模塊，并不斷攻克 IGBT 模塊核心技術(shù)難題。此后，為擺脫國外供應(yīng)商依賴，實現(xiàn)核心芯片自主供應(yīng)，公 司成功獨立研發(fā)出了平面柵 NPT 型 IGB

2、T 芯片，并于 2012 年實現(xiàn)量產(chǎn)。2015 年，公司實現(xiàn)營業(yè)收入 2.53 億元。快速成長，工控領(lǐng)域成龍頭。2015 年，公司成功獨立研發(fā)出了最新一代溝槽柵 場截止 FS-Trench 型 IGBT 芯片，與市場主流的進口芯片性能相當(dāng)。2017 年，公 司 IGBT 模塊市場份額首次進入全球前十，中國市場第一。2019 年，公司實現(xiàn) 營業(yè)收入 7.79 億元。2015-2019 年，公司營收的復(fù)合增長率達到 32%。技術(shù)領(lǐng)先，新能源創(chuàng)造輝煌。2020 年，公司作為 IGBT 概念龍頭股在 A 股主板 上市。公司較早進入新能源汽車領(lǐng)域，受益于新能源汽車滲透率提升，公司新能 源業(yè)務(wù)營收持續(xù)增加

3、，占比由 2018 年的 18.3%上升至 2021 年的 33.5%。公司基 于第七代微溝槽技術(shù)的新一代車規(guī)級 IGBT 芯片將于 2022 年批量供貨，技術(shù)水 平在國內(nèi)遙遙領(lǐng)先。同時，公司光伏 IGBT 產(chǎn)品也陸續(xù)進入主流逆變器廠商供應(yīng) 名單。此外，公司于 2021 年定增 35 億元，自建 SiC 和高壓 IGBT 晶圓廠，為未 來持續(xù)發(fā)展打下堅實基礎(chǔ)。2019-2021 年，公司營收的復(fù)合增長率達到 48%。1.2. 高管團隊背景突出，核心團隊凝聚力強，經(jīng)營業(yè)績持續(xù)向好股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，實控人與公司利益深度綁定。公司實控人為沈華、胡畏夫婦，二人 通過斯達控股和香港斯達間接持有公司 41.7

4、7%股權(quán)，股權(quán)較為集中。公司董事長兼總經(jīng) 理沈華于 1995 年獲美國麻省理工學(xué)院材料學(xué)博士學(xué)位，曾任英飛凌高級研發(fā)工程師；副 總經(jīng)理胡畏于 1994 年獲美國斯坦福大學(xué)工程經(jīng)濟系統(tǒng)碩士學(xué)位。創(chuàng)始人具有國際化視野， 兼具技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)管理經(jīng)驗。核心團隊匯聚國際人才，技術(shù)背景豐富。副總經(jīng)理湯藝擁有多年的 IGBT 芯片技術(shù)研 發(fā)及管理經(jīng)驗，負(fù)責(zé)公司 IGBT 芯片技術(shù)研發(fā)工作；副總經(jīng)理戴志展擁有多年半導(dǎo)體元器 件設(shè)計及系統(tǒng)應(yīng)用經(jīng)驗，負(fù)責(zé)公司產(chǎn)品測試和系統(tǒng)應(yīng)用工作；研發(fā)部總監(jiān)劉志紅擁有豐富 的模塊技術(shù)研發(fā)以及實踐經(jīng)驗，負(fù)責(zé)公司模塊封裝技術(shù)研發(fā)工作；工藝部總監(jiān)胡少華一直 從事模塊制造工藝的開發(fā)工作，

5、在模塊制造工藝方面有豐富的行業(yè)經(jīng)驗和技術(shù)積累。核心 團隊匯聚國際人才，濃厚的工程師文化助力公司形成領(lǐng)先的生產(chǎn)工藝及技術(shù)優(yōu)勢。股權(quán)激勵綁定核心員工，提升人才粘性。技術(shù)和人才是 IGBT 行業(yè)競爭的重要因素。 公司歷來重視優(yōu)秀人才，上市前已設(shè)立員工持股平臺富瑞德投資，用于對骨干員工進行股 權(quán)激勵，增強員工對公司德歸屬感，目前員工持股平臺持有公司 5.09%股權(quán)。此外，公司 于 2021 年 4 月發(fā)布首期股權(quán)激勵計劃，以 134.67 元/股向 115 名技術(shù)（業(yè)務(wù)）骨干及管 理人員授予股票期權(quán) 65.5 萬份。股權(quán)激勵有利于公司凝聚人心，穩(wěn)定核心團隊，激發(fā)員 工的積極性，為公司的持續(xù)發(fā)展提供強勁

6、動力。公司經(jīng)營情況持續(xù)向好，盈利能力穩(wěn)定提升。公司營業(yè)收入自 2015 年始終保持較高 增速增長。2019 年受新能源汽車補貼退坡，下游需求疲軟疊加產(chǎn)能瓶頸因素，公司營收 增速略有放緩；2020-2021 年，進口品牌受疫情影響交付周期拉長，公司加快客戶導(dǎo)入節(jié) 奏，產(chǎn)能陸續(xù)釋放，公司營收增速回升，2021 年營收更突破 17 億元。憑借過硬的產(chǎn)品實 力和品牌口碑，公司獲得較強的議價能力，盈利能力穩(wěn)定提升，6 年間毛利率由 28.83% 提升至 36.73%，凈利率由 4.69%提升至 23.40%。1.3. 公司重視研發(fā)，核心技術(shù)不斷突破，國內(nèi)領(lǐng)先重視研發(fā)投入，保持技術(shù)優(yōu)勢。IGBT 屬技術(shù)密

7、集型行業(yè)，且國內(nèi)技術(shù)起步較晚，需 要大量的研發(fā)投入。公司高度重視研發(fā)工作，持續(xù)加大研發(fā)投入，研發(fā)費用率一直保持在 較高水平，確保公司保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。2021 年，公司研發(fā)費用達 1.1 億元，同比增長 43.0%，占營收的比重為 6.5%。國內(nèi)率先實現(xiàn)第七代微溝槽技術(shù)量產(chǎn)，大幅領(lǐng)先市場。IGBT 的技術(shù)發(fā)展趨勢為“小 尺寸、高功率、低損耗”，第七代微溝槽技術(shù)可實現(xiàn)面積減小 20%、芯片厚度從 120 微米 減少到 80 微米、導(dǎo)通壓降從 1.7V 降到 1.4V，從而大幅提升 IGBT 的性價比。第七代技術(shù)對工藝要求極高，芯片的減薄和背面工藝是核心。華虹半導(dǎo)體是國內(nèi)唯一 擁有 IGBT 全套

8、背面加工工藝的晶圓代工企業(yè)，包括背面薄片、背面離子注入、背面激光 退火、背面金屬等。IGBT 領(lǐng)域設(shè)計與制造強耦合，通過與華虹的合作，公司于 2021 年 成功研發(fā)出基于第七代微溝槽 Trench Field Stop 技術(shù)的新一代車規(guī)級 650V/750V/1200V IGBT 芯片，并于 2022 年開始批量出貨。在國內(nèi)廠商仍以六代或以下技術(shù)為主的現(xiàn)狀下， 第七代微溝槽 Trench Field Stop 技術(shù)將成為推動公司業(yè)績增長的殺手锏。2.斯達半導(dǎo)新能源業(yè)務(wù)發(fā)展勢不可擋，助力公司業(yè)績騰飛2.1. 汽車電動化進程加速進行，車規(guī) IGBT 迎來持續(xù)高增長根據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，2021 年我國新

9、能源汽車銷量大增達 352 萬輛，同比增長 158%；新 能源汽車發(fā)展迎來拐點，滲透率超過 13.4%。同期，全球新能源汽車銷量超 650 萬輛。技術(shù)突破驅(qū)動新能源汽車滲透率未來加速提升我們認(rèn)為，當(dāng)前新能源汽車的發(fā)展已由政策驅(qū)動為主，轉(zhuǎn)向由技術(shù)突破帶來的市場驅(qū) 動為主。新能源汽車在綜合經(jīng)濟性、外觀造型、智能交互、駕乘體驗等方面已經(jīng)全面超越 燃油車。同時，針對新能源汽車存在的主要痛點，產(chǎn)業(yè)鏈上下游積極探索和嘗試，高密度 電池、高壓技術(shù)、超級混動等技術(shù)已逐漸成熟并取得應(yīng)用。2021 年，特斯拉發(fā)布 4680 電池，電池能量密度提高 5 倍，整體續(xù)航表現(xiàn)提升 16%， 每 kWh 價格降低 14%；

10、比亞迪于 2021 年初推出混動 DM-i，可油可電續(xù)航最高可達 1200 公里，而虧電下油耗最低僅 3.8L/百公里，遠低于傳統(tǒng)燃油車油耗。2022 年 4 月，廣汽埃 安發(fā)布首個超級充換電中心，充電站內(nèi)配備 480kW 功率超充樁，匹配高壓快充車型，充電 5 分鐘即可獲 200km 續(xù)航。隨著產(chǎn)業(yè)鏈其他企業(yè)的加速跟進，短期內(nèi)阻礙用戶選擇新 能源汽車的問題有望將逐步解決。因此我們預(yù)計新能源汽車銷量會持續(xù)高增長，到2025 年中國新能源汽車出貨量實現(xiàn) 1160.4 萬輛。新能源汽車滲透率提升+產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級促進車規(guī) IGBT 量價齊升電驅(qū)動系統(tǒng)是新能源汽車的心臟，而 IGBT 作為其核心器件，可

11、將直流電轉(zhuǎn)為交流電 后驅(qū)動汽車電機，其成本占電機控制器約 40%。根據(jù)車型不同，單車 IGBT 價值在 800- 4000 元左右，當(dāng)前平均價值預(yù)計 1800 元左右。車規(guī)級 IGBT 未來五年 CAGR 有望達 40%+。當(dāng)前電動車市場 A00 級車型占比約 27%，而乘用車整體市場 A00 級僅占 4%。隨著新能源汽車技術(shù)日漸完善，A00 級“試水” 車型占比將逐漸下降，電動車銷售結(jié)構(gòu)未來必然向成熟市場演進，從而提高單車 IGBT 價 值。長遠來看，SiC 模塊有望在高端車型得到大規(guī)模應(yīng)用，考慮到 SiC 模塊價格是硅基IGBT 的 2 倍以上，未來車規(guī)級 IGBT 有望實現(xiàn)量價齊升。因此

12、，考慮 A 級以上車型占比 提升和 SiC 模塊滲透率提升帶來的價格上漲，單車 IGBT 價值預(yù)估年均增加 5%，我們預(yù) 計到 2025 年國內(nèi)車規(guī)級 IGBT 市場規(guī)模可達約 250 億元，CAGR 超過 40%。2.2. 車規(guī) IGBT 產(chǎn)品實力構(gòu)筑護城河，斯達演繹強者恒強客戶認(rèn)證構(gòu)筑護城河，強者恒強持續(xù)做大國產(chǎn)車規(guī) IGBT 龍頭，行業(yè)領(lǐng)先。2021 年，公司在新能源汽車業(yè)務(wù)營收約 5 億元，2022 年 Q1 車規(guī)級 IGBT 市場占有率為 16.4%，僅次于英飛凌的 22.9%，是國內(nèi)當(dāng)之無 愧的龍頭，領(lǐng)先其他國產(chǎn)品牌。車規(guī)級 IGBT 壁壘極高，除了對產(chǎn)品的可靠性、安全性、穩(wěn)定性等

13、方面有嚴(yán)苛的要求， 下游企業(yè)的測試認(rèn)證周期較長，導(dǎo)入時間通常需 1-2 年以上。公司率先在新能源汽車領(lǐng)域 積累了大量優(yōu)質(zhì)客戶資源，產(chǎn)品性能得到終端用戶的充分驗證，使客戶驗證壁壘反而成為 公司的護城河。品牌和口碑的背書有利于公司持續(xù)開拓導(dǎo)入更多客戶，鞏固其龍頭地位并 占據(jù)更多市場份額，提高潛在競爭對手進入該行業(yè)的壁壘，從而形成正向循環(huán)。國產(chǎn)替代已成趨勢，龍頭充分受益。車規(guī)級 IGBT 門檻較高，當(dāng)前進口廠商依然占據(jù) 國內(nèi)近 4 成市場份額，且?guī)缀鯄艛喔叨水a(chǎn)品領(lǐng)域。區(qū)別于邏輯芯片，功率半導(dǎo)體的國產(chǎn)替 代機會大：新能源行業(yè)最大的市場和下游客戶都在中國，國產(chǎn)替代具備天時地利人和的優(yōu) 勢；中美摩擦導(dǎo)致半

14、導(dǎo)體人才回流，同時國家政策更加重視半導(dǎo)體人才培養(yǎng)；功率半導(dǎo)體 不參與先進制程競技，投資門檻略低于邏輯芯片；功率半導(dǎo)體的材料和設(shè)備國產(chǎn)化難度相 對較低；新材料剛剛開始大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，國內(nèi)追趕相對容易。公司作為國產(chǎn) IGBT 龍頭， 有望充分受益于國產(chǎn)替代紅利。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，客戶地位領(lǐng)先，未來增長可期配套車型逐步升級，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化。公司車規(guī)級 IGBT 模塊持續(xù)放量，配套車型 覆蓋 A00 級到 B+級。就單車 IGBT 價值而言，A 級以下車型在 800 元左右，而 B+級車 型超過 3500 元。公司有望憑借先發(fā)優(yōu)勢和技術(shù)優(yōu)勢，有望逐步提高 A+級車型配套占比，預(yù)計 2022 年將上升到 4

15、5%。2021 年，公司新增多個使用全 SiC MOSFET 模塊的 800V 系 統(tǒng)的主電機控制器項目定點，而 SiC 模組的價格是同等硅基 IGBT 的 3-5 倍，SiC 模塊布 局將對公司 2023-2029 年 SiC 模塊銷售增長提供持續(xù)推動力。公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不斷豐富升 級，實現(xiàn)產(chǎn)品單價提升。客戶質(zhì)量優(yōu)異，未來增長可期。公司的核心客戶包括匯川技術(shù)、上海電驅(qū)動、巨一動 力等電控領(lǐng)域 Top 10 主要玩家。匯川是國內(nèi)電控 Tier1 龍頭，市場占有率接近 10%；上 海電驅(qū)動和巨一動力則為新能源車電驅(qū)廠商。這幾家電控廠商服務(wù)的客戶包括宇通客車、 小鵬、理想、奇瑞、長城、廣汽等，都是商用

16、車/乘用車銷量龍頭，銷量增長迅速。公司 手握優(yōu)質(zhì)下游客戶資源，未來增長空間巨大。2.3. 光伏發(fā)電快速發(fā)展，新項目導(dǎo)入助力公司業(yè)績錦上添花光伏行業(yè)未來高速發(fā)展，IGBT 復(fù)合增長率預(yù)期達 17.6%IGBT 在光伏行業(yè)主要應(yīng)用于光伏逆變器，占其價值量的 15%-20%。由于光伏發(fā)電 輸出的電能不符合電網(wǎng)要求，需通過光伏逆變器將其整流成直流電，再逆變成符合電網(wǎng)要 求交流電后輸入并網(wǎng)。IGBT 模塊是光伏逆變器的核心器件，占逆變器價值量的 15%-20%。光伏逆變器根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，主要分為組串式、集中式和集散式逆變器。其中，組串式 逆變器是將光伏組件的直流電通過多個逆變器進行交流轉(zhuǎn)換后進行匯流，其模

17、塊化設(shè)計 體積小、重量輕，便于搬運安裝，適用于中小型光伏發(fā)電站，根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計， 占據(jù)了 66.5%的市場份額；集中式逆變器采用大型逆變器將多個光伏直流電匯流后轉(zhuǎn)化為 交流電，其逆變器數(shù)量少便于管理，功率密度大，常用于大型光伏發(fā)電站，占據(jù) 28.5%的 市場份額。各國政策強推新能源，光伏行業(yè)前景光明。2021 年 10 月，國務(wù)院印發(fā)2030 年前 碳達峰行動方案，強調(diào)大力發(fā)展新能源。全面推進風(fēng)電、太陽能發(fā)電大規(guī)模開發(fā)和高質(zhì) 量發(fā)展，堅持集中式與分布式并舉，加快建設(shè)風(fēng)電和光伏發(fā)電基地。到 2030 年，風(fēng)電、 太陽能發(fā)電總裝機容量達到 12 億千瓦以上。因此，光伏發(fā)電行業(yè)的迅速發(fā)展將

18、成為 IGBT 模塊行業(yè)持續(xù)增長的又一動力。2022 年 5 月歐盟委員會宣布 Repowereu 的能源計劃，將 歐盟“減碳 55%”政策組合中 2030 年可再生能源總體目標(biāo)從 40%提高到 45%，并建立專 門的歐盟太陽能戰(zhàn)略，到 2030 年安裝 600GW。2025 年全球光伏逆變器用 IGBT 市場規(guī)模有望突破百億元。根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會 預(yù)測，2025 年全球光伏逆變器新增裝機量有望達到 330GW，假設(shè)替換裝機量為十年前的 新增裝機量。根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會 2020 年統(tǒng)計，組串式和集中式逆變器占比分別為 66.5%、28.5%（集散式占比小，暫不考慮進計算中），按照 IGBT

19、 占組串式和集中式逆變器 BOM 成本的 18%和 15%計算，預(yù)計全球光伏逆變器用 IGBT 市場規(guī)模將以 17.6%的增 速擴大，2025 年市場規(guī)模將達 102.7 億元。布局早能力強，公司光伏業(yè)務(wù)增長可期較早布局光伏賽道，產(chǎn)品快速放量。2015 年以來，隨著新能源行業(yè)的大力發(fā)展，公 司產(chǎn)品已經(jīng)進入了光伏發(fā)電行業(yè)。經(jīng)過前期數(shù)年研發(fā)積累，公司產(chǎn)品得到市場認(rèn)可，市場 需求增長較快。2020 年，公司自主 IGBT 芯片開發(fā)的適用于集中式光伏逆變器的大功率 模塊系列和組串式逆變器的 Boost 及三電平模塊系列市場份額進一步提高，自主 IGBT 芯 片開發(fā)的分立器件獲行業(yè)內(nèi)重點組串式光伏逆變器

20、客戶的批量裝機應(yīng)用；2021 年，公司 使用自主 650V/1200V IGBT 芯片以及配套快恢復(fù)二極管芯片的模塊和分立器件在國內(nèi)主 流光伏逆變器客戶大批量裝機應(yīng)用；同時，公司繼續(xù)布局寬禁帶功率半導(dǎo)體器件，在光伏 等行業(yè)推出的各類 SiC 模塊得到進一步的推廣應(yīng)用。主要客戶均為我國光伏龍頭企業(yè)，國產(chǎn)替代空間巨大。光伏逆變器是一個競爭激烈 的市場，我國光伏企業(yè)依靠成本及全產(chǎn)業(yè)鏈制造優(yōu)勢，在全球市場中占據(jù)統(tǒng)治地位。據(jù) Wood Mackenzie 統(tǒng)計，2020 年全球光伏逆變器銷量排名前十的公司，其中 6 家來自中國， 包括華為、陽光電源等企業(yè)。公司已是國內(nèi)多家頭主流光伏逆變器客戶的主要供應(yīng)商

21、，如與陽光電源已合作超過 10 年。下游客戶受制于成本及供應(yīng)鏈壓力，進口替代需求迫切， 隨著國產(chǎn) IGBT 性能的不斷提升，為公司帶來巨大的國產(chǎn)替代空間。公司在光伏逆變器市場已有成熟的解決方案。根據(jù)公司官網(wǎng)的光伏應(yīng)用方案介紹， 針對集中式光伏逆變器，公司采用 P2 和 C6.1 系列產(chǎn)品，提供基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高可 靠性方案和靈活的并聯(lián)方案；針對組串式光伏逆變器，公司提供基于 T 字形三電平和一 字型三電平的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的兩種解決方案。對于客戶的個性化需求，公司還提供了基于 T 字 形三電平的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的其他形式解決方案，可滿足光伏行業(yè)的各類應(yīng)用需求。3.斯達半導(dǎo)布局 SiC 和高壓 IGBT，延續(xù)

22、業(yè)績長期高增長3.1. 第三代半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛，帶動 SiC 芯片市場崛起SiC 是第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料之一。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材 料為代表的化合物半導(dǎo)體，因其具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的電子飽和速度等優(yōu)異性能，能夠承受更高的電壓、更高的熱導(dǎo)率、更強的輻射。SiC 功率器件具有 高壓、高頻、耐高溫、開關(guān)損耗小、導(dǎo)通電阻低等顯著優(yōu)勢，可提高功率密度和效率，同 時有效降低能耗，減小體積，可廣泛應(yīng)用于高壓高頻高溫及高可靠性等領(lǐng)域。以汽車領(lǐng)域為例，SiC 功率模組在耐高壓、低損耗、低綜合成本三方面具有顯著優(yōu)勢。Sic 芯片作為目前主流的第三代半導(dǎo)體芯片，被廣泛應(yīng)

23、用于新能源汽車等新興高端行業(yè)市 場。SiC MOSFET 與 IGBT 方案相比，可以有效的提升新能源汽車持續(xù)續(xù)航能力、空間利 用等關(guān)鍵指標(biāo)，同時還可以減小電機控制器的體積，以特斯拉為代表的部分中高端車型已 經(jīng)開始使用 SiC MOSFET 方案。1） 耐高壓：800V 以上電壓平臺為了提高充電速率，主流電動車電壓平臺在從 400V 向 800V 以上演進，但當(dāng)前車規(guī) 級 IGBT 難以承受 800V 以上電壓。受益于 SiC 材料寬禁帶、高臨界擊穿電場等優(yōu)異性能， SiC MOSFET 能滿足 800V 以上電壓平臺的要求，將成為未來 800V 高壓平臺的標(biāo)配。2） 低損耗：低開關(guān)及導(dǎo)通損耗

24、，電驅(qū)系統(tǒng)效率提升SiC MOSFET 擁有更高的開關(guān)頻率和下降的通態(tài)電阻，開關(guān)速度比硅基 IGBT 快，損 耗比硅基 IGBT 少。相同的行駛條件及行駛里程下，在配備 1200V SIC MOSFET 的 800 V 系統(tǒng)中，逆變器能耗降低了 69%，整車能耗降低了 7.6%。3）低綜合成本：提升車輛系統(tǒng)效率單個 SiC 功率器件雖比硅等效器件成本更高，但使用 SiC 器件實則能節(jié)省系統(tǒng)成本。 需要更少的組件、更小的無源組件尺寸、更小的冷卻系統(tǒng)、相同里程范圍內(nèi)更小的電池容 量以及更少的設(shè)計開發(fā)工作量，能耗的降低使得車輛系統(tǒng)效率提高，電池容量需求下降， 節(jié)約的電池成本超過了 SiC 器件增加的

25、成本，從而使總系統(tǒng)成本降低 6%。SiC 市場快速崛起，市場規(guī)模將迅速成長。得益于 SiC 材料的性能優(yōu)勢，下游應(yīng)用場 景豐富，主要包含 EV、快充樁、UPS 電源（通信）、光伏、軌道交通以及航天軍工等領(lǐng) 域，其中新能源汽車行業(yè)有望迎來快速爆發(fā)，通信、光伏等市場空間較大。目前 SiC 功率 器件主要定位于功率在 1kW-500kW 間、工作頻率在 10KHz100MHz 間的場景，特別是 一些對能量效率和空間尺寸要求較高的應(yīng)用，如新能源汽車、光伏微型逆變器、電力牽引、 智能電網(wǎng)、電源等領(lǐng)域，可取代部分硅基 MOSFET 與 IGBT。據(jù) Yole 統(tǒng)計，2021 年 SiC 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模

26、達 10.90 億美元，預(yù)計到 2027 年將增長至 62.97 億美元，2021-2027 年復(fù)合增速高達 34%。3.2. 智能電網(wǎng)、軌交、風(fēng)電行業(yè)快速發(fā)展，高壓 IGBT 需求持續(xù)上升高壓 IGBT（1700V）廣泛用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端。在 發(fā)電端，風(fēng)整流器和逆變器都需要使用 IGBT 模塊；在輸電端，特高壓直流輸電中 FACTS 柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件；在變電端，IGBT 是電力電子變壓器（PET） 的關(guān)鍵器件。目前國內(nèi)柔性直流輸電用 3300V 和 4500V 高壓 IGBT 基本依賴進口，亟需 發(fā)展國產(chǎn)高壓 IGBT 器件，支撐國家重大裝

27、備和重點工程的發(fā)展。高壓 IGBT 有望受益于我國軌道交通持續(xù)快速發(fā)展。軌道交通用 IGBT 的電壓等級 一般為 12006500V，其中干線鐵路主型器件一般采用 3300V、4500V 及 6500V 電壓等級的 IGBT 模塊。高壓 IGBT 是軌交列車“牽引變流器”的核心功率器件，主變流器特殊的 負(fù)載特性和復(fù)雜的運行環(huán)境，所使用的 IGBT 需承受極端的溫度和劇烈的機械沖擊，且 動、靜態(tài)特性與可靠性要求更高，其溫度循環(huán)壽命和功率循環(huán)壽命一般是普通工業(yè)級 IGBT 的 10 倍。綠色交通大背景下，我國城市軌道交通正步入穩(wěn)定發(fā)展階段，據(jù)交通運 輸部數(shù)據(jù)，2021 年我國新增城市軌道交通線路

28、35 條，新增運營里程 1168 公里，同比增 長 15%。風(fēng)電在電力生產(chǎn)結(jié)構(gòu)中的占比逐年上升，為高壓 IGBT 帶來增量需求。“十三五” 以來，我國海上風(fēng)電快速發(fā)展，已成為僅次于英國和德國的世界第三大海上風(fēng)電國家，未 來仍將繼續(xù)保持快速發(fā)展。目前風(fēng)電的風(fēng)機功率等級主要以 2-7MW 為主，未來將達到 10- 20MW，風(fēng)機向著更高功率等級的發(fā)展勢必會帶來 3300V 和 4500V 等高壓 IGBT 器件的 需求。同時，大陸風(fēng)電增速受 IGBT 器件進口受限影響，高壓 IGBT 作為風(fēng)電變流器的核 心功率器件，亟需完成國產(chǎn)替代。3.3. 前瞻布局 SiC 和高壓 IGBT，推動國產(chǎn)替代步伐募

29、資 35 億元加碼 SiC 和高壓 IGBT。2021 年 9 月，公司宣布定增申請獲證監(jiān)會 審核通過，將募資 35 億元用于 SiC 芯片、高壓 IGBT 的研發(fā)及生產(chǎn)。募投項目達產(chǎn) 后預(yù)計將新增年產(chǎn) 6 萬片 6 英寸 SiC 芯片、年產(chǎn) 30 萬片 6 英寸高壓 IGBT 芯片、年 產(chǎn) 400 萬片 IGBT 模塊的產(chǎn)能，持續(xù)擴大以 IGBT 模塊、SiC 模塊為代表的功率半導(dǎo) 體模塊產(chǎn)能，穩(wěn)固公司龍頭地位。加快技術(shù)突破，打破國外壟斷格局。公司本次募資布局 SiC，有助于加快我國第三代 半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)突破，抓住行業(yè)新材料升級機遇，打破國外龍頭企業(yè)壟斷格局，改 變當(dāng)前關(guān)鍵元器件嚴(yán)重進

30、口依賴的局面，推動 SiC 芯片國產(chǎn)化進程。公司積極布局寬禁 帶功率半導(dǎo)體器件，對機車牽引輔助供電系統(tǒng)推出了低電感 SiC 模塊；在新能源汽車領(lǐng) 域推出了低損耗車用 SiC 模塊；在光伏領(lǐng)域推出了混合 SiC 模塊。把握新能源汽車市場機遇，打開未來增長空間。2021 年，公司車規(guī)級 SiC 模塊已獲 國內(nèi)外多家著名車企和 Tier1 客戶的項目定點，本次募投項目量產(chǎn)后，公司將擁有自研車 規(guī)級 SiC MOSFET 模塊，迅速拓展新能源汽車市場份額，為公司業(yè)績持續(xù)增長打下扎實 基礎(chǔ)。豐富公司產(chǎn)品矩陣，全面提升核心競爭力。公司本次募資布局高壓 IGBT，可滿足智 能電網(wǎng)、軌道交通、風(fēng)力發(fā)電行業(yè)高壓功率芯片的需求，豐富公司產(chǎn)品線。同時，加快我 國高壓 IGBT 芯片的技術(shù)突破，實現(xiàn)高壓功率器件的國產(chǎn)化替代，為后續(xù)發(fā)展儲備堅實動 能。4.傳統(tǒng)工控需求穩(wěn)定，支撐IGBT穩(wěn)定增長4.1. 工控領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，IGBT 需求穩(wěn)中有進IGBT 在工控領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，是變頻器、逆變焊機等傳統(tǒng)工控及電源行業(yè)的核心器件。作為電力電子行業(yè)的“CPU”，IGBT 能夠