1、磁控濺射沉積(chnj)系統(xtng) 用戶手冊聲明(shngmng)：感謝您購買中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司(n s)（以下簡稱沈陽科儀公司）的設備 ，請您在使用該設備之前認真閱讀本說明書，當您拿到該說明書時，請認真(rn zhn)閱讀以下聲明。如不接受本聲明，請立即與本公司聯系，否則視為全部接受本聲明。本說明書所有內容，未經沈陽科儀公司書面同意，任何人均不得以任何方式（復制、掃描、備份、轉借、轉發、轉載、上傳、摘編、修改、出版、展示、翻譯成其它語言、傳播以及任何其它方式）向第三方提供本說明書的部分或全部內容。如有違反，沈陽科儀公司將保留一切權利。本說明書僅供使用者參考，可作為使用者

2、所在公司學習、培訓的內部資料。本說明書所詳述的內容，不排除有誤或遺漏的可能性。如對本說明書內容有疑問，請與沈陽科儀公司聯系。關于知識產權，請嚴格遵守知識產權保護的相關法律法規。本說明書解釋權歸中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司所有。保護知識產權、促進創新發展；運用知識產權、發展知識經濟；打擊盜版侵權 、繁榮文化事業；保護知識產權、激勵自主創新；加強知識產權保護、規范市場經濟秩序；保護知識產權從你我做起！人人應該做到這樣！磁控濺射沉積系統PAGE 前言(qin yn)：首先(shuxin)感謝購買我們的設備，本著對您負責的精神，并為了確保給您提供(tgng)最優質的售后服務，特別為您準備了本手冊

3、，請您耐心讀取相關信息。您的義務請您在使用過程中，將發生故障的操作步驟填寫在用戶反饋問題清單中，我們將參考此表內容盡我們最大的能力在最短的時間內完成維修。如何使用本手冊如果您是初次使用該設備，那么您需要通讀用戶手冊。如果您是一位有經驗的用戶，則可以通過目錄查找相關信息。本手冊涉及的字體及符號說明：字體的大小直接反應父、子關系，符號說明見下表：符號指示性說明代表意義描述性說明沒有先后順序之分，是比和高一級目錄詳細描述性說明沒有先后順序之分詳細描述性說明有先后順序之分提示性說明有利于深刻認識系統，并且可以避免不必要的故障發生警告性說明必須嚴格遵守的內容，否則會發生嚴重事故目錄(ml) TOC o

4、1-3 h z u HYPERLINK l _Toc381288896 緒言(x yn) PAGEREF _Toc381288896 h 1 HYPERLINK l _Toc381288897 一、系統(xtng)簡介 PAGEREF _Toc381288897 h 1 HYPERLINK l _Toc381288898 1、概述 PAGEREF _Toc381288898 h 1 HYPERLINK l _Toc381288899 2、工作原理以及技術指標 PAGEREF _Toc381288899 h 2 HYPERLINK l _Toc381288900 工作原理： PAGEREF _T

5、oc381288900 h 2 HYPERLINK l _Toc381288901 技術指標： PAGEREF _Toc381288901 h 2 HYPERLINK l _Toc381288902 3、系統主要組成 PAGEREF _Toc381288902 h 3 HYPERLINK l _Toc381288903 濺射真空室組件： PAGEREF _Toc381288903 h 3 HYPERLINK l _Toc381288904 上蓋組件： PAGEREF _Toc381288904 h 4 HYPERLINK l _Toc381288905 真空獲得和工作氣路組件： PAGEREF

6、 _Toc381288905 h 5 HYPERLINK l _Toc381288906 安裝機臺架組件： PAGEREF _Toc381288906 h 7 HYPERLINK l _Toc381288907 4、設備安裝 PAGEREF _Toc381288907 h 7 HYPERLINK l _Toc381288908 安裝尺寸： PAGEREF _Toc381288908 h 7 HYPERLINK l _Toc381288909 配套設施： PAGEREF _Toc381288909 h 7 HYPERLINK l _Toc381288910 二、系統主要機械機構簡介 PAGERE

7、F _Toc381288910 h 8 HYPERLINK l _Toc381288911 1、磁控濺射靶組件 PAGEREF _Toc381288911 h 8 HYPERLINK l _Toc381288912 2、單基片加熱臺組件 PAGEREF _Toc381288912 h 9 HYPERLINK l _Toc381288913 3、基片加熱公自轉臺組件 PAGEREF _Toc381288913 h 10 HYPERLINK l _Toc381288914 4、基片擋板組件 PAGEREF _Toc381288914 h 11 HYPERLINK l _Toc381288915 三

8、、操作規程： PAGEREF _Toc381288915 h 11 HYPERLINK l _Toc381288916 1、開機前準備(zhnbi)工作 PAGEREF _Toc381288916 h 11 HYPERLINK l _Toc381288917 2、開機（大氣(dq)狀態下泵抽真空） PAGEREF _Toc381288917 h 12 HYPERLINK l _Toc381288918 啟動(qdng)總電源： PAGEREF _Toc381288918 h 12 HYPERLINK l _Toc381288919 大氣狀態下濺射室泵抽真空： PAGEREF _Toc38128

9、8919 h 12 HYPERLINK l _Toc381288920 3、濺射室處于真空狀態時抽真空： PAGEREF _Toc381288920 h 13 HYPERLINK l _Toc381288921 4、工作流程： PAGEREF _Toc381288921 h 13 HYPERLINK l _Toc381288922 裝入樣品： PAGEREF _Toc381288922 h 13 HYPERLINK l _Toc381288923 磁控濺射鍍膜： PAGEREF _Toc381288923 h 14 HYPERLINK l _Toc381288924 5、靶材的取出和更換: P

10、AGEREF _Toc381288924 h 15 HYPERLINK l _Toc381288925 6、停機： PAGEREF _Toc381288925 h 16 HYPERLINK l _Toc381288926 四、電源及控制 PAGEREF _Toc381288926 h 16 HYPERLINK l _Toc381288927 分類： PAGEREF _Toc381288927 h 17 HYPERLINK l _Toc381288928 供電要求： PAGEREF _Toc381288928 h 17 HYPERLINK l _Toc381288929 使用說明 PAGEREF

11、 _Toc381288929 h 18 HYPERLINK l _Toc381288930 電控單元使用說明： PAGEREF _Toc381288930 h 19 HYPERLINK l _Toc381288931 五、注意事項 PAGEREF _Toc381288931 h 20 HYPERLINK l _Toc381288932 1、安全用電操作注意事項: PAGEREF _Toc381288932 h 20 HYPERLINK l _Toc381288933 2、操作注意事項： PAGEREF _Toc381288933 h 21 HYPERLINK l _Toc381288934 六

12、、常見故障及排除 PAGEREF _Toc381288934 h 22 HYPERLINK l _Toc381288935 七、緊急狀況應對方法 PAGEREF _Toc381288935 h 23 HYPERLINK l _Toc381288936 1、突然(trn)斷電 PAGEREF _Toc381288936 h 23 HYPERLINK l _Toc381288937 2、突然(trn)斷水 PAGEREF _Toc381288937 h 24 HYPERLINK l _Toc381288938 3、出現嚴重(ynzhng)漏氣 PAGEREF _Toc381288938 h 24

13、HYPERLINK l _Toc381288939 八、用戶反饋問題清單 PAGEREF _Toc381288939 h 25 HYPERLINK l _Toc381288940 九、維護與維修 PAGEREF _Toc381288940 h 26 緒言(x yn)磁控濺射沉積(chnj)系統是高真空多功能磁控濺射鍍膜設備。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以(ky)較好地濺射鐵磁材料（Fe、Co、Ni），制備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下，采用微機控制樣品轉盤和靶擋板，既可以制備單層膜，又可以制備各種多層膜，為新材料和薄膜科學研究領域

14、提供了十分理想的研制手段。一、系統簡介1、概述本系統主要由濺射真空室、磁控濺射靶、單基片加熱樣品臺、基片加熱公自轉臺組件、基片擋板組件、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。附設備總圖如下。2、工作原理(yunl)以及技術指標工作(gngzu)原理： 磁控濺射鍍膜的基本原理是以磁場改變電子運動方向，束縛和延長電子的運動路徑，提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此，在形成高密度等離子的異常輝光(hu un)放電中，正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效。技術指標：極限真空度（Pa）（經烘烤除氣后）系統真空檢漏漏率（Pa.L/S）系統經大氣抽氣，40分鐘可以達到（

15、Pa）停泵關機12小時后真空度（Pa）濺射室4.010-5510-76.610-41Pa3、系統(xtng)主要(zhyo)組成濺射(jin sh)真空室組件：圓筒型真空室尺寸450X350mm，電動上掀蓋結構，可內烘烤100150，選用不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進行化學拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封。真空室組件上焊有各種規格的法蘭接口如下：序號接口大小接口密封方式數量聯接部件名稱1.1CF100無氧銅圈1觀察窗口1.2CF63無氧銅圈1觀察窗口1.3CF16無氧銅圈3進氣管路和放氣閥1.4CF150無氧銅圈1（600升/秒）分子泵1.5CF100無氧銅圈33個磁控濺射靶接口

16、1.6CF35無氧銅圈61個高真空電離規管1個旁抽角閥1個四芯陶封引線法蘭接口3個備用口1.7RF25氟橡膠圈1基片擋板組件接口1.8CF16無氧銅圈11個備用接口1.9CF16無氧銅圈1電阻規接口上蓋組件(z jin)：上蓋組件(z jin)上有一個CF35的法蘭接口(ji ku)和一個CF16的法蘭接口，側面還焊有幫助上蓋升降時定位的擋片。上蓋組件上可以安裝電動提升機構組件，中間安裝單基片加熱樣品臺。真空獲得和工作氣路組件：濺射真空室 選用分子泵T+機械泵R通過一個超高真空閘板閥G主抽，并通過一個旁抽角閥V1進行旁路抽氣；通過兩路MFC質量流量控制器充工作氣體，每路配有角閥V5、V6，配有

17、混氣室，還可以不走混氣室從角閥V2單獨進氣。MFC流量范圍：一路200SCCM、一路100SCCM。通過V4閥充入干燥氮氣放氣。代號名稱聯接方式安裝位置用途廠家V1CF35角閥雙刀口濺射真空室側壁、旁路抽氣沈科儀V2、V3Dg16角閥一刀一卡濺射真空室側壁充入工作氣體沈科儀V4Dg16角閥一刀一卡濺射真空室側壁放氣/充干燥氮氣沈科儀V5、V6Dg16角閥雙卡套機架前面的氣路面板上充氣七星華創GCC-150-B超高真空閘板閥雙刀濺射真空室側面伸出的彎管上主抽閥沈科儀T分子泵（抽速600L/S）CF150刀口主抽泵北京科儀R機械泵（9升/秒）KF40前級泵北京DFKF40電磁隔斷閥KF40分子泵和

18、機械泵之間防止機械泵返油，并能在分子泵前級真空度不夠的情況下進行隔斷，來保護分子泵川北R-DF高真空電磁壓差式帶充氣閥KF40機械泵R1和機械泵聯鎖，停機械泵時，此閥斷開，向機械泵充氣，避免返油上海西馬特MFC1、MFC2質量流量控制器卡套控制氣體流量北京混氣室（兩進一出）卡套混氣沈科儀液壓波紋管兩段快卸卡箍連接管路沈科儀KF40三通一個快卸卡箍川北KF40快卸卡箍若干川北6X1氣路管若干外購氣路卡套若干外購安裝(nzhung)機臺架組件：采用優質(yuzh)方鋼型材（50mmX50mmX4mm）焊接(hnji)成，前面和兩側面安裝快卸圍板，表面噴塑處理；機臺表面用不銹鋼蒙皮裝飾；底面安裝四只

19、腳輪，可固定，可移動；安裝機架尺寸：L1115W860H1000mm,。4、設備安裝安裝尺寸：將設備安裝機架移到指定位置，擰動腳輪升降，調節機架成水平位置。安裝機架平面尺寸：L1115W1000mm2 （包括伸出的閘板閥手輪），電控柜平面尺寸：610650 mm22臺。配套設施：整機配電要求：接三相電源380V6%，50Hz，三火線一零線，功率15KW，配置多路接線插座。聯接地線要求：本設備(shbi)需要配備良好的接地，對地電阻2歐姆(u m)。接冷卻水系統(xtng)，具有民用自來水或循環冷卻水，水溫25，水壓2.5105 Pa，流量達到12L/min，及回水通道。各水路均安裝水流控制器，

20、發生斷水時將自動切斷設備總電源。安裝場地面積25，高度要求高于2.4m。要求安裝場地的標準溫度為2024，標準相對濕度為5060。要求有普通氮氣，工作氣體，壓強要在23個大氣壓之間。要求有外排廢氣管道。！注意：接通電源后，首先確認機械泵旋轉方向，如果發現反轉，則應調相。二、系統主要機械機構簡介1、磁控濺射靶組件磁控濺射靶組件主要組件包括靶頭、可折彎靶支桿、CF100無氧銅圈密封的靶法蘭、齒輪減速異步電動機帶動的靶擋板系統和螺旋升降機構等組成。濺射真空室采用多靶濺射結構，靶在下，基片在上，向上濺射成膜，濺射真空室下底盤上有三個靶位；靶材尺寸60mm（其中一個可以濺射磁性材料）；永磁靶RF、DC兼

21、容；靶內有水冷（每個靶單獨水路冷卻）；三個靶可共同折向上面的樣品中心，靶與樣品距離90110mm可調；每個靶配有單獨的屏蔽罩，以避免靶間交叉污染（非共濺時安裝使用）；每個靶配有單獨的電動擋板，計算機控制擋板開合。!提示(tsh):以后磁控靶需要寄給我們進行維修(wixi)時，靶頭和支桿可以直接從真空室內拆下，不用拆卸靶法蘭部分。拆卸前請事先聯系設計人員，我們會提供一個盲堵，保證您其余(qy)的工作不受影響。2、單基片加熱臺組件單基片加熱臺組件安裝在真空室上蓋組件上，可以放置直徑50mm的基片。基片加熱最高溫度6001，由熱電偶閉環反饋控制。在步進電機帶動下，實現連續回轉，轉速510轉/分，配有

22、手動控制擋板。基片可加負偏壓-200V。3、基片加熱公自轉(zzhun)臺組件基片加熱(ji r)公自轉臺(zhunti)組件安裝在真空室上蓋組件上，轉盤上可以同時放置6個基片，可放置50mm的基片。六個工位中，其中兩個工位安裝加熱爐（切換加熱），基片加熱最高溫度6001，由熱電偶閉環反饋控制。在伺服電機+減速器+同步帶帶輪傳動機構帶動下，實現0360公轉（當拆掉加熱爐后可連續回轉），并通過光柵編碼器機構實現基片準確定位，計算機控制公轉到位及鍍膜過程。基片可加負偏壓-200V。4、基片擋板(dn bn)組件基片擋板(dn bn)組件的擋板(dn bn)上開一個孔，對準一個基片，該基片擋板與基片

23、加熱公自轉臺組件都用計算機控制轉動，僅對一片基片在不同靶位下濺射鍍膜。該片工藝完成后，可計算機控制轉至第二片基片繼續鍍膜。當需要共濺時，需要拆下該基片擋板組件的上半部分即可，不用全部拆下。三、操作規程：1、開機前準備工作開動水閥，接通冷卻水，檢查水壓是否足夠大，水壓控制器是否起作用，保護各水路暢通。檢查總供電電源配線是否完好，地線是否接好，所有儀表電源開關全部處于關閉狀態。檢查分子泵、機械泵油是否標注到刻線處，如沒有達到刻線標記應及時加油。檢查系統所有閥門是否全部處于關閉狀態，確定濺射室完全處在抽真空前為封閉狀態。2、開機(ki j)（大氣(dq)狀態下泵抽真空）啟動(qdng)總電源：確認所

24、有電源開關都在關閉狀態后，按下總電源開關，此時電源三相指示燈全亮，供電正常。!提示:如果電源三相指示燈沒有全亮，應檢查供電電源是否缺相。在確認電源正常之后方可進行下一步工作。大氣狀態下濺射室泵抽真空： 打開旁抽閥V1 啟動機械泵R按下機械泵R開關，機械泵指示燈亮，此時機械泵工作，再打開分子泵T口處的電磁閥DF開關，指示燈亮，打開復合計，測量真空。（復合真空計ZDF-5227使用詳見說明書） 啟動分子泵T（FF-160/620C）先打開分子泵T電源開關，當真空計顯示的真空度高于20Pa時，關閉旁抽閥V1，并迅速打開閘板閥G,然后打開分子泵啟動按鈕，其加速指示燈亮，電源控制面板上顯示頻率，分子泵開

25、始正常工作，約8分鐘，加速指示燈滅，正常燈亮，頻率顯示為600時，分子泵進入正常工作狀態。再用分子泵連續抽氣，經烘烤后，磁控濺射室的真空度可達到極限真空度410-5Pa指標。!提示:設備中的閘板閥設有開關指示功能，閘板閥門開關時手感輕松，在閥門關閉時可聽到一聲響動，同時力量減小、有明顯的空程，這時閥門已經關閉到位，不要繼續硬性旋動手柄，以免閥門傳動機構受到損壞。開啟時也有一聲響動，行程指示到位后閥門也開啟到位。!警告(jnggo):閥門開啟前，必須平衡閥門兩側的壓力（閥門兩側必須同時是真空或大氣）閥板兩側壓力差必須小于3000Pa，如果壓力大于3000Pa硬性開啟閥門會造成密封圈及傳動(chu

26、ndng)機構的損壞，造成閥門無法使用（此項要特別注意，閥門開啟時一定要注意觀察閥門兩側的壓差）。!警告(jnggo):在閥門使用過程中如發現異樣的聲音或者開關閥門時力量異常，首先應該觀察閥門前后真空系統的壓力是否平衡，如果有壓差必須停止強行開啟，待壓力平衡后再進行開啟，以免損壞機構。3、濺射室處于真空狀態時抽真空： 首先,打開復合真空計觀察系統真空度.如果長時間的(10天以上)未開機,真空度高于3040Pa,這時應該按上面所說的濺射室泵抽真空中的操作步驟進行系統抽氣； 如果真空度在35Pa時，即可直接開啟閘板閥G，然后依次開啟機械泵R、電磁閥DF、分子泵T，進行系統抽真空，待真空度達到實驗濺

27、射室要求的本底真空即可。4、工作流程： 裝入樣品： 濺射室暴露大氣：關閉閘板閥G，確認旁抽閥V1和角閥V2、V3處于關閉狀態，然后打開放氣閥V4，向濺射室內充入干燥氮氣。 裝入樣品：濺射室內氮氣壓力與大氣壓力平衡后即可利用升降機提升濺射室上蓋，靶基距調到合理值，然后將清洗好的樣品放入襯底托內，將其放入樣品轉臺內，然后再將濺射室上蓋落下，關閉放氣閥V4，對濺射室泵抽真空（按前面所說的步驟進行操作）至實驗要求的本底真空度。 磁控濺射鍍膜： 待本底真空達到本次實驗所預期要求后，稍關閉(gunb)閘板閥G（不要(byo)關死），用真空計監測真空度。 向濺射(jin sh)室充氣：充氣前將氣瓶關死，打開

28、V5、V6，緩慢打開V3。打開質量流量計電源，預熱3分鐘，將質量流量計打到清洗擋，抽空氣路后關閉各閥，將質量流量計打到關閉擋；緩慢打開進氣截止閥V2 ，此時抽取管路中的氣體，達到預期真空后，關閉這些截止閥，進行充氣工作。若所充氣體需經混氣后進入真空室，則打開V3及機架前面板上的進氣閥V5或V6（根據需要選擇）；若需單路直接進氣，則打開V2。然后打開MFC質量流量計電源，通過流量計充入工作氣體。通過適當調節閘板閥G關閉的大小來調節濺射工作壓強。注：打開質量流量計電源，在MFC質量流量計電源的閥開關處于“關閉”位，將設定流量調到零，再開氣瓶給氣，待零點穩定后，轉“閥控”位，并將流量調至所需值，則實

29、際流量跟蹤設定值而改變。關閉質量流量計時，將閥開關置于“關閉”位，再將電源開關關閉即可。!提示:充氣過程中需用真空計監測真空度不低于20Pa。 射頻濺射：起輝壓強：在設定進氣量恒定情況下，調節閘板閥G使濺射室真空度維持在0.410Pa，可保證磁控靶正常起輝。濺射工作壓強：根據工藝需要，適當調節MFC進氣量，使濺射室真空度維持在0.5Pa以下，此時磁控靶應能穩定工作而不熄弧。射頻電源可切換對應靶，可現場根據要求設置控制各個靶接射頻電源。射頻(sh pn)電源和匹配器的使用詳見射頻(sh pn)電源(dinyun)使用說明書 直流濺射：直流電源有兩臺可根據要求切換對應靶。（詳見直流濺射電源使用說明

30、書） 計算機控制鍍膜：通過程序控制，使樣品按所設定模式進行工作，鍍制單層膜或多層膜，鍍多層膜的靶位可任意組合，在每個靶下停留時間任意設置。程序運行結束后將自動保存結束前的狀態，并保存計算機文件中，下次運行時，這些狀態將自動讀入以恢復以前狀態，所以在程序未運行期間，不建議使用手動操作轉盤，以免再次運行時造成樣品位置錯誤。 停止濺射鍍膜: 首先關閉基片擋板，再關上各磁控靶擋板，通過計算機關閉步進電機電源，再關閉計算機電源。 關閉射頻、直流和勵磁電源，關閉MFC質量流量計電源。 關閉濺射室進氣截止閥V2、V3、V5、V6，全開閘板閥G，使濺射室用分子泵T直接抽氣，進入高真空狀態。使用ZDF-5227

31、監測濺射室真空度，進入10-4Pa或0-5Pa。 取出樣品:鍍膜完成后，將閘板閥G關閉，再將電離規關閉。然后打開接鋼瓶的放氣閥V4，向濺射室充入干燥氮氣。電動提升真空室上蓋，戴上潔凈手套，從樣品臺上取出鍍好的樣品。之后，馬上裝入新的樣品，重復上述各項工作。 5、靶材的取出和更換:濺射室可以在停分子泵暴露大氣的情況下取出或更換靶材，也可以在分子泵工作的時候操作。在分子泵工作的時候更換靶材步驟如下： 在分子泵T單獨對濺射室抽氣工作時，先將閘板閥G關閉，檢查V2、V3是否處于關閉狀態。然后關閉真空計，打開放氣閥V4使濺射室充入大氣（最好充入干燥氮氣）； 當濺射(jin sh)室內氮氣壓力(yl)與大

32、氣壓力平衡后，使用(shyng)升降機將濺射室的上蓋提起，之后拆下基片樣品擋板，電動打開需要更換靶材的靶擋板，擰下靶屏蔽蓋，并卸下靶壓蓋，即可對真空室內的靶材進行取出或更換，然后再將靶壓蓋及靶屏蔽蓋裝上，結束后再用升降機將上蓋落下；！提示：靶屏蔽蓋和靶材之間的距離建議控制在23mm之間。如發現上蓋壓偏，需要重新升起上蓋，找正后再落下。 參照前面濺射室泵抽真空的步驟，對系統抽真空，重復前面所做的工作流程。 6、停機： 首先，關閉系統內所有閥門，尤其注意關閉閘板閥G和旁抽閥V1,進氣閥V2、V3，放氣閥V4，使系統保持真空。 其次，關閉各路電源，先關各路儀表電源，然后關分子泵T電源，當頻率數顯為“

33、200”以下后關閉電磁閥DF，關閉機械泵R，最后關閉總電源及所有水路。！提示：實驗完成后，如果真空室內非常熱，這時，要通過分子泵對系統進行較長的時間抽氣，等到系統內部溫度降到100左右時才能關閉系統。四、電源(dinyun)及控制分類(fn li)： 真空(zhnkng)測量部分：真空計：復合真空計 供電電源 真空獲得部分：控制電源 分子泵電源 供電電源 材料制備部分包括：流量顯示儀 加熱控溫電源 直流電源 直流電源 偏壓電源射頻(sh pn)電源 樣品轉動(zhun dng)控制電源靶擋板控制(kngzh)電源供電電源 供電電源 供電要求：真空獲得部分與濺射鍍膜部分供電需3相380V（50H

34、z）工業動力電，總功率約15KW。供電要求分為以下六部分： 供電電源（1） ：電壓：3相380V（50Hz）容量： 7.5KVA 要求：由3P20A 空氣開關供電，連接電纜采用四芯橡套：2.5mm231.5 mm21 （空氣開關采用工業用動力型，以下均同樣要求，從略。） 供電電源（2） ：電壓：3相380V（50Hz）容量： 7.5KVA 要求：由3P20A 空氣開關供電，連接電纜采用四芯橡套：2.5mm231 5mm21 使用說明 注意事項： 設備操作人員必須高度重視電氣安全問題，嚴格遵守用電安全規程，防止電氣事故造成人身傷害或設備損壞。 嚴禁帶電拆卸接線端子、焊片、接插件等電氣連接件！嚴禁

35、帶電(di din)打開電源機箱，接觸任何電器元件！禁止無電氣技術資格和相關經驗者從事本說明書允許的故障排除工作。設備必須可靠(kko)接地。本系統中所有(suyu)設備裝置的金屬外殼都應可靠接地（包括主機真空設備及電源機柜）。各部分電控裝置按要求實行單閘（空氣開關）供電，不允許一閘多用。經常對設備進行安全檢查，確保電控單元絕緣良好，有可靠的接地或接零保護，檢查有無漏電、絕緣老化情況；定期進行電氣設備和保護裝置的檢查、檢修、試驗及清掃，防止造成設備電氣事故和誤動作。 使用前的準備和檢查按照本說明書的“供電要求”，可靠連接各部分電控裝置，將各部分裝置及主機外殼可靠接“地”。 檢查供電電源電壓、容

36、量是否符合要求，有無缺相等故障。檢查電控裝置與主機設備的電氣連接，確保連接正確可靠。檢查有無漏電、絕緣老化情況。檢查各部分電控單元的開關狀態，應能正常工作，并均設置為初始狀態；檢查各電源負載是否產生短路或斷路，所有電控單元應能正常工作。電控單元使用說明： 真空計：系統采用ZDF5227型數顯復合真空計測量真空室的真空度，量程1105Pa1105Pa。真空計由供電電源（1）提供AC 220V 電源插座供電，具體使用方法及注意事項詳見“附件”中的（ZDF5227型數顯復合真空計）使用說明書。 控制電源：該電源為真空獲得控制電源的主要單元：控制如下單元：機械泵：控制(kngzh)機械泵的啟動和停止，

37、按鈕“開”按下燈亮，繼電器吸合，機械泵工作(gngzu)；按鈕“關”按下燈滅，繼電器斷開(dun ki)，機械泵停止工作；電磁閥：控制電磁閥的啟動和停止，按鈕按下燈亮，繼電器吸合，電磁閥工作；照明：控制照明的啟動和停止，按鈕按下燈亮，繼電器吸合，照明工作；烘烤：控制烘烤的啟動和停止，按鈕按下燈亮，繼電器吸合，烘烤工作，旋轉功率調節旋鈕可以改變烘烤功率；上蓋升、降：控制真空室上蓋的升降，按下“升”或將“降”后，真空室蓋即上升或下降；松開按鈕，真空室蓋停止升降；到達限位位置，真空室蓋同樣停止升降。 提示控制電源照明、烘烤按鈕均為帶鎖按鈕，按下后自鎖，動作后指示燈亮。再按按鈕，按紐抬起時，工作停止。

38、烘烤按鈕按下后，調節烘烤旋鈕，烘烤燈逐漸加大功率。由供電電源通過雙頭四芯航插連接電纜提供3相380V 電源。提示輸出電纜必須按照接頭附近所做標記正確連接！加熱溫控電源：加熱溫控電源由日本公司生產的溫度控制器、移相觸發模塊、可控硅以及外電路構成。樣品加熱溫度可控。需要控溫時首先接好控溫電源的電源線、輸出加熱線和熱電偶的連接線。連接時，要注意熱電偶的正負極。按照控溫表說明書將控溫表的各項指標設置好，然后按相應的按鈕開關“加熱”，控溫電源開始工作。順時針調節“功率限制”電位器旋鈕，使加熱爐正常升溫。當溫度升到控溫表所設定的溫度時，由系統控制加熱爐開始恒溫。當試驗作完后，將“功率限制”電位器旋鈕反時針

39、調到“0”，然后按按鈕開關“停止”，控溫電源停止工作。靶檔板控制電源： 打開(d ki)電源開關，按一下相應的靶檔板“開”按鈕，可打開(d ki)檔板，按一下“關”按鈕可關閉(gunb)檔板。 分子泵電源FF160/620型（北京科儀）分子泵的驅動控制電源，具有過載和過熱保護功能。使用方法及注意事項詳見“附件”中的“系列復合分子泵交流變頻器電機驅動電源”使用說明書。五、注意事項1、安全用電操作注意事項:設備操作人員必須高度重視電氣安全問題，嚴格遵守用電安全規程，防止電氣事故造成人身傷害！使用動力電時，應先檢查電源開關、電機和設備各部份是否良好。如有故障，應先排除后，方可接通電源。啟動或關閉電器

40、設備時，必須將開關扣嚴或拉妥，防止似接非接狀況。 人員較長時間離開房間或電源中斷時，要切斷電源開關，尤其是要注意切斷加熱電器設備的電源開關。電源或電器設備的保險燒斷時，應先查明燒斷原因，排除故障后，再按原負荷選用適宜的保險絲進行更換，不得隨意加大或用其它金屬線代用。沒有掌握電器安全操作的人員不得擅自更改電器設施，或隨意拆修電器設備。若要打開電源柜后蓋，必須先斷開設備總控電源。!必須注意：檢修設備務必事先斷開所有電氣設備的電源！2、操作(cozu)注意事項：磁控靶、分子(fnz)泵工作(gngzu)時，一定要通水冷卻。在使用機械泵旁抽前保證分子泵口與電磁閥處于關閉狀態，特別是分子泵不停真空室暴露

41、大氣后粗抽時，否則大氣從分子泵排氣口進入泵體，急劇加大負載，損壞泵。打開機械泵抽大氣時，旁抽閥要緩慢打開，且抽氣時間不要過長，在10多帕時開分子泵，否則容易造成油污染。系統由大氣抽到低真空的過程中禁止開烘烤燈和照明燈。濺射室烘烤時，真空室壁面及觀察窗溫度不得超過100。在室體內濺射完畢或加熱爐工作完畢之后，樣品可隨爐冷卻，真空室內溫度60以下時再暴露大氣。濺射室暴露大氣前一定要關緊閘板閥，以免損壞分子泵，同時要關緊氣路截止閥，以免氣路受污染。當上蓋處于打開狀態時，要時刻注意保護真空室上端密封面。在取出或更換樣品、靶材時，要注意真空室的清潔；同時要保證屏蔽罩與靶材之間的距離小于3mm。嚴禁閘板閥

42、一端是大氣一端是真空的條件下打開閘板閥。突然停電時，所有電源要復位，過5-7分鐘后，才能重新啟動分子泵。六、常見故障及排除故障現象可能的原因排除方法“供電電源”無法接通電源供電線路故障，缺相或電壓偏低或相序錯誤由供電部門查找原因，排除故障真空抽上不去緊固件沒擰緊擰緊緊固件（可使用酒精判斷有漏的法蘭連接處）快卸接口密封面處有雜物擦拭密封面真空腔內有灰塵和水蒸氣先清洗真空室，再烘烤電極法蘭密封不嚴和我們聯系，更換新的電極法蘭密封膠圈老化更換新的膠圈靶頭里的聚四氟絕緣件受熱變形和我們聯系更換新的絕緣件前級真空抽不上去前級管道及電磁閥的泄露檢漏后如果有泄露，更換機械泵是否油不夠或油質變劣要定期查看油標

43、，及時加注或更換新油。分子泵的油標也要定期檢查（約半年時間查一次）已經給水，但水流繼電器仍舊報警水流繼電器未動作 eq oac(,1)增大水流 eq oac(,2)水流繼電器壞，更換磁控靶水路有堵塞先確認是不是外部水管堵塞，否則需要拆開靶頭清理內部水路閘板閥打不開閥板兩側壓力差3.0103Pa平衡兩側壓力后打開閘板閥密封不良密封面有污物附著用無塵布將污物清洗干凈密封面有劃痕用拋光紙拋光密封面膠圈磨損更換新閥板（與生產廠家聯系）波紋管損壞更換波紋管或補焊（與生產廠家聯系）閥殼受拉1.2105Pa調節閥殼兩側法蘭的間隙閘板閥閥門關閉時力量大或無法關閉閥殼受拉1.2105Pa調節閥殼兩側法蘭的間隙數

44、字信號出現干擾地線接觸不良好良好接地分子泵正常啟動后，電離規不啟動電離規損壞更換熱偶值還沒有達到110-2Pa手動打開“電離”按鈕確認真空達到110-2Pa，然后調節熱偶值。轉動件轉動不靈活軸承內有雜物拆卸后用超聲波清洗電機電源線連接松動緊固電源線接頭加熱絲引線、陶瓷管、照明烘烤燈引線陶瓷管或測溫熱偶陶瓷管易被鍍膜，表面金屬化，以至不起絕緣作用長期鍍膜此時應在暴露大氣時卸下陶瓷管，放在盛有H2O2溶劑的燒杯中，用電爐加熱，煮沸3040分鐘即可。靶不起輝長時間使用或者過熱導致磁鋼退磁，和我們聯系靶電源有故障詳見各電源使用說明書更換了靶材，起輝壓強沒變不同的靶材，起輝壓強不盡相同使用新靶材時出現輝光不穩定，有打火現象出現正常現象，由于新靶材表面的污染物或氧化物層（非導體）造成的等到污染物或氧化物層完全剝離掉后即可穩定工作，建議安裝前清洗靶材其他未列出故障(gzhng)現象發生時，請及時(jsh)填寫在“顧客(gk)反饋問題清單”頁中，并與我們聯系！真空計、分子泵等常見故障及排除方法詳見其說明書。七、緊急狀況應對方法1、突然斷電 首先關閉進氣閥和氣源及旁抽管道（如果此時用旁抽） 及時手動關閉閘板閥，保持真空狀態 關掉總供電(n din)電源和其他電源 將各電源(dinyun)操作按鈕撥回到初始位置，保證設備下次實驗的正常啟動和運行2、突然(trn)斷水