1、微波有源電路復習1、從伏安特性、結電容和串聯電阻三方面說明肖特基勢壘、從伏安特性、結電容和串聯電阻三方面說明肖特基勢壘二極管與二極管與PN結二極管的不同。結二極管的不同。 2、變容管、三端器件倍頻器和二極管倍頻器有何區別、變容管、三端器件倍頻器和二極管倍頻器有何區別 。3、90平衡電橋混頻器和平衡電橋混頻器和180平衡電橋混頻器有何異同平衡電橋混頻器有何異同 4、變容管倍頻器中空閑回路的作用。、變容管倍頻器中空閑回路的作用。5、變容二極管及階躍恢復二極管有何異同、變容二極管及階躍恢復二極管有何異同 6、負阻二極管怎樣產生負阻的、負阻二極管怎樣產生負阻的7、串聯振蕩回路起振條件和平衡條件、串聯振

2、蕩回路起振條件和平衡條件 8、微波單刀單擲開關的原理、微波單刀單擲開關的原理9、型電阻衰減器的原理型電阻衰減器的原理單管混頻器單管混頻器單平衡混頻器單平衡混頻器180相移型平衡混頻器相移型平衡混頻器轉換功率增益轉換功率增益GT單向化轉換功率增益為單向化轉換功率增益為絕對穩定的充要條件為：絕對穩定的充要條件為：n級二端口網絡的總噪聲系數為級二端口網絡的總噪聲系數為小信號微波晶體管放大器設計小信號微波晶體管放大器設計設計目標：在一定的中心頻率及頻帶范圍內設計輸入、輸出匹配網絡，使設計目標：在一定的中心頻率及頻帶范圍內設計輸入、輸出匹配網絡，使其滿足一定的增益、噪聲系數、輸入其滿足一定的增益、噪聲系

3、數、輸入/輸出駐波比等要求輸出駐波比等要求高增益設計高增益設計輸入輸出雙共軛匹配輸入輸出雙共軛匹配低噪聲設計低噪聲設計輸入最佳噪聲匹配輸入最佳噪聲匹配+輸出共軛匹配輸出共軛匹配小信號微波晶體管放大器設計步驟小信號微波晶體管放大器設計步驟（）選擇管子的直流工作點確定參數、（）選擇管子的直流工作點確定參數、opt、Rn等等（）計算穩定系數確保（）計算穩定系數確保K1（）計算設計所需的源和負載反射系數（）計算設計所需的源和負載反射系數（4）計算單級最大資用功率增益確定放大器級數）計算單級最大資用功率增益確定放大器級數（5）設計輸入匹配網絡）設計輸入匹配網絡（6）設計輸出匹配網絡）設計輸出匹配網絡（7

4、）設計級間匹配網絡）設計級間匹配網絡單向化設計單向化設計當當S120，單向化轉換功率增益，單向化轉換功率增益GTu為為 GS和和GL是與輸入、輸出匹配網絡有關的增益分量，是與輸入、輸出匹配網絡有關的增益分量，G0是晶是晶體管的插入增益。體管的插入增益。最大單向轉換功率增益為最大單向轉換功率增益為實際上晶體管仍是雙向器件，得到的增益仍是實際上晶體管仍是雙向器件，得到的增益仍是GT x 定義為單向優質比定義為單向優質比u（單向化優質因數）。（單向化優質因數）。因此單向化設計時產生一定的誤差，誤差范圍為因此單向化設計時產生一定的誤差，誤差范圍為雙向向在不穩定晶體管實際功率與資用功率增益益圓也可雙向向

5、在不穩定晶體管實際功率與資用功率增益益圓也可如上所述求出。如上所述求出。此時：此時：（1）源阻抗和負載阻抗點的選擇既要在穩定區域內，又要能）源阻抗和負載阻抗點的選擇既要在穩定區域內，又要能提供所期望的增益；提供所期望的增益；（2）對應的輸入、輸出反射系數的共軛點（代表了源和負載）對應的輸入、輸出反射系數的共軛點（代表了源和負載的反射系數）圓必須在穩定區域內；的反射系數）圓必須在穩定區域內；設計方法：把實際功率與資用功率等增益益與晶體管的穩定判設計方法：把實際功率與資用功率等增益益與晶體管的穩定判別益一起畫在別益一起畫在Smith益圖上進行選擇益圖上進行選擇向在不穩定情況向在不穩定情況1.列舉幾

6、種常用的平面傳輸線（）列舉幾種常用的平面傳輸線（）2.微帶線主要傳輸的模式是（），帶線的傳輸主模是（）微帶線主要傳輸的模式是（），帶線的傳輸主模是（）3.微帶線最高工作頻率的影響因素有（）（列舉四個即也）微帶線最高工作頻率的影響因素有（）（列舉四個即也）4.定向耦合器常用表征參量有（）定向耦合器常用表征參量有（）1.簡述簡述MMIC技術的優點技術的優點 第二章自測題第二章自測題填空題填空題1.晶體管器件也分為（）晶體管器件也分為（）2.用數學式子表示放大器絕對穩定的條件（）用數學式子表示放大器絕對穩定的條件（）3.功率合成技術中的電路合成包含（）兩種方式功率合成技術中的電路合成包含（）兩種方式

7、4.低噪聲雙極晶體管的兩個重要的電參數是（）低噪聲雙極晶體管的兩個重要的電參數是（）第三章自測題第三章自測題5.雙極晶體管的噪聲來源有（）雙極晶體管的噪聲來源有（）6.微波晶體管放大器的增益包含（）三種微波晶體管放大器的增益包含（）三種7.描述功率放大器特性的參量有（）描述功率放大器特性的參量有（）8.列舉三種功率合成技術（）列舉三種功率合成技術（）9.晶體管噪聲系是指晶體管輸入端（）與輸出端（）的比值晶體管噪聲系是指晶體管輸入端（）與輸出端（）的比值10.功率雙極晶體管常用的輸出功率有（）三種功率雙極晶體管常用的輸出功率有（）三種簡答題簡答題1.簡述甲、乙、丙三類放大器的工作狀態及特簡述甲、

8、乙、丙三類放大器的工作狀態及特點點2. 分別解釋什么是轉換功率增益、資用功率增益、實際功分別解釋什么是轉換功率增益、資用功率增益、實際功率增益率增益1.混頻器的變頻損耗為（）混頻器的變頻損耗為（）2.檢波器的主要技術指標（）檢波器的主要技術指標（）3.混頻器的噪聲系數包含（）三種混頻器的噪聲系數包含（）三種4.二極管作為混頻器使用時的主要參數有（）二極管作為混頻器使用時的主要參數有（）第四章自測題第四章自測題5.混頻器的指標有（）混頻器的指標有（）6.檢波器常用的類型有（）檢波器常用的類型有（）7.單管混頻器的設計，至少要解決的四個問題是（）單管混頻器的設計，至少要解決的四個問題是（）8.射頻

9、反相型平衡混頻器的輸出電流中，被抵消的是射頻反相型平衡混頻器的輸出電流中，被抵消的是（）的組合頻率成分（）的組合頻率成分9.雙平衡混頻器的特點有（）雙平衡混頻器的特點有（）1.說出說出90平衡混頻器的三個優點。平衡混頻器的三個優點。2. 簡述雙平衡混頻器的特點。簡述雙平衡混頻器的特點。3.環形電橋結構的優缺點與分支電橋相比有哪些？環形電橋結構的優缺點與分支電橋相比有哪些？填空題填空題1.電阻性倍頻器的優點有（）電阻性倍頻器的優點有（）2.變容管倍頻器的基本電路有（）變容管倍頻器的基本電路有（）3.衡量倍頻器特性的主要技術指標有（）衡量倍頻器特性的主要技術指標有（）4.倍頻器噪聲的主要來源（）倍

10、頻器噪聲的主要來源（）5.表征變容二極管性能的靜態參數有（）表征變容二極管性能的靜態參數有（）6.微波晶體管倍頻器與二極管倍頻器相比的優點有（）微波晶體管倍頻器與二極管倍頻器相比的優點有（）7.場效應管中產生諧波的非線性作用主要有（）場效應管中產生諧波的非線性作用主要有（）第五章第五章 自測題自測題1.簡述變容二極管的分類及其依據簡述變容二極管的分類及其依據1.晶體三極管振蕩器與二極管振蕩器相比，所具有的特點（）晶體三極管振蕩器與二極管振蕩器相比，所具有的特點（）2.分頻鎖相式晶體振蕩器的優點（）分頻鎖相式晶體振蕩器的優點（）第六章第六章 自測題自測題3. 負阻振蕩器模型的起振條件（）負阻振蕩

11、器模型平衡條負阻振蕩器模型的起振條件（）負阻振蕩器模型平衡條件（）件（）4. 雪崩二極管的主要電參數有（）雪崩二極管的主要電參數有（）5. 振蕩晶體管的主要微波電參數有（）振蕩晶體管的主要微波電參數有（）6. 負阻振蕩器的設計包括（）負阻振蕩器的設計包括（）7.提高頻率穩定度措施有（）提高頻率穩定度措施有（）8.外腔穩頻振蕩電路的常用形式有（）外腔穩頻振蕩電路的常用形式有（）9.雪崩管的噪聲來源主要有（）三方面雪崩管的噪聲來源主要有（）三方面1.微波電壓控制移相器的基本要求有（）微波電壓控制移相器的基本要求有（）2.移相器的技術指標有（）移相器的技術指標有（）3.移相器的基本要求有（）移相器的

12、基本要求有（）4. 衰減器的主要技術指標（）衰減器的主要技術指標（）第七章自測題第七章自測題1.一個一個PIN二極管參數如下：二極管參數如下：Ls=5nH，RS=5 ，Cp=0.05pF，Rf=0（正向），（正向），Cj=0.2pF，Rr=10 （反向）（反向）如果該如果該PIN二極管是串聯在二極管是串聯在50 的微帶傳輸線系統中的，試計的微帶傳輸線系統中的，試計算算1GHz時該開關的損耗和隔離度（用時該開關的損耗和隔離度（用dB表示）。表示）。1、（、（8）從伏安特性、結電容和串聯電阻三方面說明肖特基）從伏安特性、結電容和串聯電阻三方面說明肖特基勢壘二極管與勢壘二極管與PN結二極管的不同。結

13、二極管的不同。 答：答： 肖特基勢壘二極管有較低的導通電壓、較高的正向電流、肖特基勢壘二極管有較低的導通電壓、較高的正向電流、較強的非線性程度。在同樣偏壓下具有較小的結電阻。（較強的非線性程度。在同樣偏壓下具有較小的結電阻。（3分）分）肖特基勢壘二極管肖特基勢壘二極管Cj在正偏時要比在正偏時要比PN結的小得多，也大大減結的小得多，也大大減小對正偏非線性結電阻的旁路作用。小對正偏非線性結電阻的旁路作用。 （3分）分）肖特基勢壘二極管消除了歐姆接觸電阻，減小了二極管得串肖特基勢壘二極管消除了歐姆接觸電阻，減小了二極管得串聯電阻。聯電阻。 （2分）分）)2cos()(11tVgtiifsif)2co

14、s()(12tVgtiifsif)2cos(2)(1tVgtiifsif2 2、（、（9 9）下圖為什么型式的混頻器，寫出）下圖為什么型式的混頻器，寫出D1D1、D2D2產生的中頻產生的中頻電流及輸出到負載上的中頻電流。電流及輸出到負載上的中頻電流。答：答：180180相移型平衡混頻器；相移型平衡混頻器；3、（、（8）變容管、三端器件倍頻器和二極管倍頻器有何區別？）變容管、三端器件倍頻器和二極管倍頻器有何區別？答：變容管、三端器件倍頻器是容性器件；答：變容管、三端器件倍頻器是容性器件；三端器件倍頻器在保持高變頻效率的同時，也可在寬帶范圍三端器件倍頻器在保持高變頻效率的同時，也可在寬帶范圍內實現

15、變頻增益；內實現變頻增益；二極管倍頻器不也能產生倍頻增益，且在高電平時頻帶很窄。二極管倍頻器不也能產生倍頻增益，且在高電平時頻帶很窄。 4、（、（8分）舉例說明什么樣的器件能產生負阻，為什么？分）舉例說明什么樣的器件能產生負阻，為什么？答：雪崩二極管利用雪崩倍增效應和渡越時間效應相結合而答：雪崩二極管利用雪崩倍增效應和渡越時間效應相結合而產生負阻特性的器件。產生負阻特性的器件。雪崩二極管工作在雪崩擊穿狀態，雪崩電流產生了落后交流雪崩二極管工作在雪崩擊穿狀態，雪崩電流產生了落后交流電壓電壓90的感性相移，另外雪崩電流在漂移區滯后交流電壓的感性相移，另外雪崩電流在漂移區滯后交流電壓90，這樣外電流

16、的基波分量與交流電壓存在，這樣外電流的基波分量與交流電壓存在180相位差，相位差，因而具有負阻特性。因而具有負阻特性。AZRZ/1/1/12002021ZRZRRZA)/(/020221ZRZRVVK1) 1(,2)/1(0201KKZRKKZR5 5、（、（8 8分）如圖，試說明分）如圖，試說明型電阻衰減器的原理。型電阻衰減器的原理。答：答：6 6、（、（8 8分）說明一種微波單刀單擲開關的原理分）說明一種微波單刀單擲開關的原理答：如下圖：答：如下圖：(6分分)正偏低阻通；反偏高阻斷。正偏低阻通；反偏高阻斷。58. 1,211FdBNF2,312FdBNF1010,94. 7921dBGdB

17、G7 . 194. 71258. 11121GFFFdBNFFdBG07. 2, 6 . 16 .311258. 1, 6 .31151二、（二、（1515分）考慮一個串接級聯的兩個放大器，假如第一級分）考慮一個串接級聯的兩個放大器，假如第一級放大器的增益和噪聲系數分別為放大器的增益和噪聲系數分別為9dB9dB和和2dB2dB，而第二級放大器，而第二級放大器的增益和噪聲系數分別為的增益和噪聲系數分別為10dB10dB和和3dB3dB，計算級聯放大器的總噪，計算級聯放大器的總噪聲系數。假如第一級放大器的增益為聲系數。假如第一級放大器的增益為15dB15dB，總噪聲系數又有，總噪聲系數又有何變化？

18、何變化？解：解： 或或NF=10lg(1.7)=2.3dBNF=10lg(1.7)=2.3dB三、（三、（2020分）工作頻率分）工作頻率10.5GHz10.5GHz的的FETFET管子，管子，S S參數如下：參數如下：5 .136538. 0,7 . 1834. 1,3 .11065. 0,2 .15975. 022211211SSSSRs=RL=50，試判斷穩定性和計算單向優質比。，試判斷穩定性和計算單向優質比。4375. 01211 S710. 01222 S1192. 01221SS21122111SSS21122221SSS4 .83343. 03406. 00394. 06 . 913755. 07 .2954035. 021122211jSSSS解：解：155. 0)538. 01)(75. 01 (538. 075. 0834. 1065. 0)1)(1 (22222211*22*112112SSSSSSu1114. 12121122222211SSSSK穩定系數穩定系數5 .136538. 0,7 . 1834. 1,3 .11065. 0,2 .15975. 022211211SSSS0四、（四、（16分）分）工作頻率工作頻率10.5GHz10.5GHz的的FETFET管子，管子，S S參數如下：參數如