1、固體物理、激光一、單選題：1、（4222A15） 與絕緣體相比較，半導體能帶結構的特點是 (A) 導帶也是空帶 (B) 滿帶與導帶重合 (C) 滿帶中總是有空穴，導帶中總是有電子 (D) 禁帶寬度較窄 2、（4223B35） 下述說法中，正確的是 (A) 本征半導體是電子與空穴兩種載流子同時參予導電，而雜質半導體(n型或p型)只有一種載流子(電子或空穴)參予導電，所以本征半導體導電性能比雜質半導體好 (B) n型半導體的導電性能優于p型半導體，因為n型半導體是負電子導電，p型半導體是正離子導電 (C) n型半導體中雜質原子所形成的局部能級靠近空帶(導帶)的底部，使局部能級中多余的電子容易被激發

2、躍遷到空帶中去，大大提高了半導體導電性能 (D) p型半導體的導電機構完全決定于滿帶中空穴的運動 3、（4224A10） 世界上第一臺激光器是 (A) 氦氖激光器 (B) 二氧化碳激光器 (C) 釹玻璃激光器 (D) 紅寶石激光器 (E) 砷化鎵結型激光器 4、（4225A15） 在激光器中利用光學諧振腔 (A) 可提高激光束的方向性，而不能提高激光束的單色性 (B) 可提高激光束的單色性，而不能提高激光束的方向性 (C) 可同時提高激光束的方向性和單色性 (D) 既不能提高激光束的方向性也不能提高其單色性 5、（4636A20） 如果(1)鍺用銻(五價元素)摻雜，(2)硅用鋁(三價元素)摻雜

3、，則分別獲得的半導體屬于下述類型： (A) (1)，(2)均為n型半導體 (B) (1)為n型半導體，(2)為p型半導體 (C) (1)為p型半導體，(2)為n型半導體 (D) (1)，(2)均為p型半導體 6、（4789A10） p型半導體中雜質原子所形成的局部能級(也稱受主能級)，在能帶結構中應處于 (A) 滿帶中 (B) 導帶中 (C) 禁帶中，但接近滿帶頂 (D) 禁帶中，但接近導帶底 7、（4790A10） n型半導體中雜質原子所形成的局部能級(也稱施主能級)，在能帶結構中應處于 (A) 滿帶中 (B) 導帶中 (C) 禁帶中，但接近滿帶頂 (D) 禁帶中，但接近導帶底 8、（479

4、1A15） 激發本征半導體中傳導電子的幾種方法有(1)熱激發，(2)光激發，(3)用三價元素摻雜，(4)用五價元素摻雜對于純鍺和純硅這類本征半導體，在上述方法中能激發其傳導電子的只有 (A) (1)和(2) (B) (3)和(4) (C) (1) (2)和(3) (D) (1) (2)和(4) 9、（5373A15） 附圖是導體、半導體、絕緣體在熱力學溫度T =0 K時的能帶結構圖其中屬于絕緣體的能帶結構是(A) (1)(B) (2) (C) (1)，(3) (D) (3) (E) (4) 10、（5620B25） 硫化鎘(CdS)晶體的禁帶寬度為2.42 eV，要使這種晶體產生本征光電導，入

5、射到晶體上的光的波長不能大于 (A) 650 nm (1 nm = 10-9 m) (B) 628 nm(C) 550 nm (D) 514 nm (普朗克常量h =6.63×10-34 J·s，基本電荷e =1.60×10-19 C)11、（8032A15） 按照原子的量子理論，原子可以通過自發輻射和受激輻射的方式發光，它們所產生的光的特點是： (A) 兩個原子自發輻射的同頻率的光是相干的，原子受激輻射的光與入射光是不相干的 (B) 兩個原子自發輻射的同頻率的光是不相干的，原子受激輻射的光與入射光是相干的 (C) 兩個原子自發輻射的同頻率的光是不相干的，原子受激

6、輻射的光與入射光是不相干的 (D) 兩個原子自發輻射的同頻率的光是相干的，原子受激輻射的光與入射光是相干的 12、（8033A15） 激光全息照相技術主要是利用激光的哪一種優良特性？ (A) 亮度高 (B) 方向性好 (C) 相干性好 (D) 抗電磁干擾能力強 二、填空題：1、（4637A20）右方兩圖(a)與(b)中，(a)圖是_型半導體的能帶結構圖，(b)圖是_型半導體的能帶結構圖2、（4642A20） 純凈鍺吸收輻射的最大波長為l 1.9 mm，鍺的禁帶寬度為_3、（4792A10）若在四價元素半導體中摻入五價元素原子，則可構成_型半導體，參與導電的多數載流子是_4、（4793A10）若

7、在四價元素半導體中摻入三價元素原子，則可構成_型半導體，參與導電的多數載流子是_5、（4794A15）太陽能電池中，本征半導體鍺的禁帶寬度是0.67 eV，它能吸收的輻射的最大波長是_ (普朗克常量h =6.63×10-34 J·s，1 eV =1.60×10-19 J)6、（4795A15） 本征半導體硅的禁帶寬度是1.14 eV，它能吸收的輻射的最大波長是_ （普朗克常量h =6.63×10-34 J·s，1 eV =1.60×10-19 J）7、（4971A10） 在下列給出的各種條件中，哪些是產生激光的條件，將其標號列下： _

8、 (1)自發輻射(2)受激輻射(3)粒子數反轉 (4)三能極系統(5)諧振腔8、（5243A15） 產生激光的必要條件是_，激光的三個主要特性是_9、（5244B30） 激光器中光學諧振腔的作用是(1)_，(2)_， (3)_10、（5374A15）已知T =0 K時鍺的禁帶寬度為0.78 eV，則鍺能吸收的輻射的最長波長是_mm (普朗克常量h =6.63×10-34 J·s，1 eV =1.60×10-19 J)11、（5375B25）純硅在T =0 K時能吸收的輻射最長的波長是1.09 mm，故硅的禁帶寬度為_eV (普朗克常量h =6.63×10-34 J·s，1 eV =1.60×10-19 J)12、（5376B25） 若硅用銻(5價元素)摻雜，則成為_型半導體請在所附的能帶圖中定性畫出施主能級或受主能級13、（5377B25） 若鍺用銦(三價元素)摻雜，則成為_型半導體請在所附的能帶圖中定性畫出施主能級或受主能級14、（8034A15）按照原子的量子理論，原子可以通過_兩種輻射方式發光，而激光是由_方式產生的15、（8035A